作者： Art Pini

從電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲能和充電站，電力電子應用的數量和多樣性持續增加。這些應用需要更高的工作電壓、更大的功率密度、更低的損耗、更高的效率和可靠性，而使用像碳化硅 (SiC) 這樣的基于寬帶隙 (WBG) 技術的功率器件就可以滿足這些要求，而且這種技術還在不斷改進。

為什么選擇 SiC？

與硅 (Si) 相比，SiC 等 WBG 半導體材料具備獨特性能，因此成為開關模式電源系統設計的理想之選。帶隙是指將電子從材料的價帶移動到導帶所需的能量。SiC 的寬帶隙特性使之能夠承受更高的工作電壓。此外，還有其他一些重要特性，包括熱導率、導通電阻、電子遷移率和飽和速度。

熱導率衡量熱量從半導體結傳導至外部環境的速率。SiC 的熱導率幾乎是 Si 的三倍。這一特性使得 SiC 器件散熱更為容易，從而具備更高的額定溫度。同時，相較于額定電壓相似的等效 Si 器件，SiC 半導體可以做得更薄。因此，在既定相同電壓和額定功率的情況下，SiC 器件的尺寸更小。

SiC 能夠讓設計人員在保持芯片尺寸不變的情況下，增大承載電流的面積，進而降低器件電阻。這一特性成就了 SiC 器件最為顯著的優勢：在器件額定電壓相同的條件下，實現更低的溝道導通電阻 (R DS(ON) )。較低的 RDS(ON) 意味著導通損耗更低、效率更高。

SiC 半導體具有更高的電子遷移率，相比 Si 器件，能夠在更高的頻率下工作。功率電路以更高開關頻率運行會時需要使用的變壓器、扼流圈、電感器和電容器等無源元件的尺寸就會縮小，并因此實現成本顯著節省。這種尺寸縮小還減少了這些元器件的體積，從而實現更高的整體功率密度。

飽和速度是電子在高電場中的最大速度。在 SiC 半導體中，電子速度是 Si 半導體的兩倍，從而實現更快的開關時間以及更低的開關損耗。

最新 SiC MOSFET 實例產品

基于 SiC 的核心優勢，[Vishay] 推出了 1200 V [MaxSiC] 系列 SiC MOSFET。該系列采用專有的 MOSFET 技術，以標準封裝提供 45、80 和 250 m? 的 RDS(ON) 值，適用于諸如牽引逆變器、光伏能量轉換和儲存、車載充電器和充電站之類工業應用。該系列產品還具有極快的開關速度和 3 μs 的 (SCWT)。

MaxSiC MOSFET 屬 N 溝道器件，額定最大漏源電壓 (V DS ) 為 1200 V，可在 -55 至 150°C 的溫度下工作。這些器件針對每個 RDS(ON) 值提供兩種標準通孔封裝。最大功率耗散和漏極電流因型號而異，其最大功率耗散和連續漏極電流 (I D ) 分別為 227 W 和 49 A（表 1）。

上列 MaxSiC MOSFET 采用三引線或四引線 TO247-AD 封裝（圖 1）。

圖 1：MaxSiC MOSFET 采用三引線和四引線 TO-247AD 封裝。（圖片來源：Vishay）

四引線封裝為柵極驅動連接增加了一個開爾文連接引線，以最大限度地減少源極引線連接中漏極電流壓降的耦合。

MaxSiC MOSFET 非常適合切換電壓需要大于 600 V、功率水平高至 227 W 的應用，例如 400 和 800 V 汽車電池系統、光伏電源和充電站。

結語

Vishay MaxSiC MOSFET 是適合汽車和電力行業的創新型大功率器件。這些器件可提供比標準 Si 器件更高的電壓規格和更低的溝道電阻，因此成為需要低損耗和高效率設計的理想選擇。

審核編輯 黃宇