半導體分立器件分類及應用領域

一、核心分類

?基礎元件?

?二極管?：包括普通二極管（如硅/鍺二極管）、穩壓二極管、肖特基二極管、瞬態電壓抑制二極管（TVS）等。

?三極管?：如NPN/PNP型雙極型晶體管（BJT）、達林頓管等。

?功率器件?

?MOSFET?（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）：適用于高頻開關場景。

?IGBT?（絕緣柵雙極型晶體管）：結合MOSFET和BJT特性，用于高壓大電流場景。

?晶閘管（可控硅）?：包括單向/雙向可控硅（SCR/Triac），用于交流調壓等場景。

?整流器與整流堆?：如橋式整流器、高壓整流堆。

?特種器件及傳感器?

?光電器件?：如光耦、光敏二極管/三極管。

?敏感器件?：涵蓋壓力、磁敏（霍爾器件）、氣敏、濕敏、離子敏感等傳感器。

?雪崩管、階躍恢復管等特殊功能器件?。

?其他功能器件?

?繼電器?：用于電路隔離控制。

?壓敏電阻?：過壓保護器件。

二、主要應用領域

?汽車電子?：IGBT用于電動汽車逆變器，TVS用于電路保護。

?消費電子?：二極管、MOSFET應用于電源管理和信號處理。

?工業與能源?：晶閘管用于電機驅動，高壓器件支撐光伏逆變器。

?通信與網絡設備?：高頻三極管、場效應管用于信號放大和切換。

?航天與國防?：特種傳感器、高壓器件適配極端環境需求。

三、技術參數與功能特征

?關鍵參數?：導通電阻（RDS(on)）、擊穿電壓（BV）、漏電流（IR）、開關速度等。

?功能特性?：

?單向導電性?（二極管）；

?電流放大或控制功能?（三極管、場效應管）；

?高壓/高溫穩定性?（IGBT、高壓可控硅）。

審核編輯 黃宇