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國內氮化鎵大廠被申請破產:曾規劃投資50億,年產36萬片晶圓

Hobby觀察 ? 來源:電子發燒友 ? 作者:綜合報道 ? 2025-05-22 01:07 ? 次閱讀

電子發燒友綜合報道 5月8日,重慶市第五中級人民法院最新信息顯示,聚力成半導體被廣東中保維安保安服務有限公司申請破產清算。而在一個月前,該公司曾以“不能清償到期債務且具有重整價值”為由,申請對聚力成半導體的破產重整。

聚力成半導體早期由重慶捷舜科技有限公司投資設立,并于2018年9月與重慶大足區政府簽約,啟動外延片和芯片產線項目,主要業務是硅基氮化鎵/碳化硅基氮化鎵外延片、功率器件晶圓代工、封裝等。

該公司位于重慶大足區的一期硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片工廠,此前據稱已進入量產階段。整個項目計劃建成年產能12萬片的氮化鎵外延片產線和年產能36萬片的氮化鎵芯片生產和封測產線,總投資約50億人民幣。

根據官方公眾號信息,聚力成半導體有限公司是注冊于大陸的第三代半導體公司成立于2018年9月,團隊由經驗豐富華籍專家組成,大多出于知名半導體公司。采用業界先進的三五族半導體工藝,專注整合設計與制造商業模式的研發及生產制造商。司依托自有先進的氮化鎵外延技術、領先的氮化鎵芯片設計能力、優質完整的晶圓加工及封測供應鏈戰略合作體系以及強大的應用整合能力,致力于打造第三代半導體新功率平臺,助力實現我國第三代半導體自主可控的宏偉目標,加速電力電子領域高速革命。

根據招聘網站信息,聚力成半導體在電力電子領域具備開發6英寸650V/100V硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片技術能力,實現650V/15A硅基氮化鎵功率器件的生產工藝;在微波射頻領域,聚力成半導體同樣具有研發碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延材料的技術能力,技術團隊在射頻芯片生產工藝的開發,有多年豐富經驗,未來產品將定位為射頻通訊和射頻能量市場。

在2021年,聚力成半導體表示其生產的氮化鎵功率器件經過實測,效率達到95.8%,該數據基于65W快充電路演示板在滿載時測得,這一數據意味著聚力成氮化鎵器件將電源損耗降低近60%,大幅度提升能效水平。

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圖源:聚力成半導體


2021年11月,聚力成半導體在中國電源學會第二十四屆學術年會上亮相,展出的產品工藝平臺包含功率用100-700V硅基氮化鎵外延技術平臺(AlGaN型及pGaN型),射頻用100-700V硅基氮化鎵外延平臺,650V 50-400mR D-mode GaN HEMT芯片及器件代工平臺以及150V E-mode GaN HEMT芯片及器件代工平臺。

根據公開信息,聚力成半導體已完成三輪融資,投資方包括鹽城國智、上汽投資、阿里系的云鋒基金、賽伯樂投資等。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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