近日，全球半導體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業務，預計在未來兩年內完成這一過渡。這一決定引起了行業的廣泛關注，尤其是在當前競爭激烈的半導體市場環境中。

據供應鏈消息，臺積電退出GaN市場的原因主要與中國大陸市場的低價競爭有關。近年來，隨著氮化鎵技術的成熟和應用需求的增長，許多廠商紛紛進入這一領域，導致價格競爭加劇。面對不斷上升的價格壓力，臺積電選擇停止承接低利潤的GaN訂單，這一策略將使其能夠將資源重新分配至更具增長潛力和競爭力的業務領域。

氮化鎵是一種新型的半導體材料，因其出色的電氣性能和更高的功率密度而被廣泛應用于快速充電、射頻和電力電子等領域。盡管臺積電在GaN技術領域具有強大的制造能力，但公司管理層顯然認為在當前的市場環境下，繼續投入資源并不具備戰略意義。

與此同時，力積電(Lite-On Technology)已與Navitas達成合作，計劃接手臺積電的相關氮化鎵訂單。這一合作預計將幫助力積電擴大其在GaN市場的份額。根據協議，Navitas將其100V至650V的GaN產品組合逐步轉移至力積電的8寸產線生產。Navitas表示，力積電的0.18微米制程技術將有助于提升GaN器件的功率密度、速度和效率，從而優化成本控制與生產良率。這一轉變不僅有助于提升力積電在氮化鎵領域的競爭力，也為客戶提供了更多可靠的產品選擇。

業內分析人士指出，臺積電的這一決定體現了其靈活應對市場變化的能力。在面對激烈競爭和利潤壓力時，企業需要及時調整戰略，以保持其在更具潛力的領域的領先地位。氮化鎵市場雖然前景廣闊，但對于臺積電而言，可能更為重要的是集中精力在其核心競爭力更為突出的技術領域，比如先進制程技術和高效能計算。

另一方面，隨著臺積電退出GaN市場，力積電的崛起將為國內外客戶提供新的供應選擇。力積電在光電、LED和電源管理等領域已有扎實的技術積累，此次進入GaN市場也將進一步增強其在半導體行業的綜合實力。

此外，氮化鎵技術的未來發展仍然值得關注。隨著5G通信、物聯網和電動汽車等新興應用的快速發展，市場對高效能、高密度GaN器件的需求將持續上升。盡管臺積電的退出可能會造成短期內市場格局的變化，但從長遠來看，GaN市場仍然具有廣闊的發展潛力。