引言

Micro OLED 作為新型顯示技術(shù)，在微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中，陽極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果，而光刻圖形的精準(zhǔn)測量是確保制備質(zhì)量的關(guān)鍵。白光干涉儀憑借獨(dú)特優(yōu)勢，為光刻圖形測量提供了可靠手段。

Micro OLED 陽極像素定義層制備方法

傳統(tǒng)光刻工藝

傳統(tǒng) Micro OLED 陽極像素定義層制備常采用光刻剝離工藝。首先在基板上沉積金屬層作為陽極材料，接著旋涂光刻膠，通過掩模版曝光使光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，隨后進(jìn)行顯影，去除曝光或未曝光部分的光刻膠。最后通過剝離工藝，將未被光刻膠保護(hù)的金屬層去除，從而形成陽極像素定義層。但此方法存在缺陷，光刻膠剝離過程中易殘留雜質(zhì)，影響像素電極的導(dǎo)電性和穩(wěn)定性，且工藝復(fù)雜，成本較高 。

新型制備技術(shù)

為克服傳統(tǒng)工藝弊端，新型制備技術(shù)不斷涌現(xiàn)。如噴墨打印技術(shù)，利用高精度噴頭將陽極材料墨水直接噴射到基板指定位置，形成像素定義層圖案。該技術(shù)可實(shí)現(xiàn)材料按需分配，減少材料浪費(fèi)，且能精確控制圖案尺寸，適合制備高分辨率 Micro OLED 陽極像素定義層。此外，納米壓印技術(shù)也備受關(guān)注，通過將帶有圖案的模板壓印在涂有軟質(zhì)材料的基板上，實(shí)現(xiàn)圖案的復(fù)制轉(zhuǎn)移，可快速制備大面積、高精度的陽極像素定義層，有效提升生產(chǎn)效率。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用

測量原理

白光干涉儀基于白光干涉原理，將白光分為兩束，一束照射待測光刻圖形表面反射回來，另一束作為參考光，兩束光相遇產(chǎn)生干涉。通過分析干涉條紋，依據(jù)光程差與表面高度的關(guān)系，可獲取光刻圖形的高度、輪廓等參數(shù)。

測量優(yōu)勢

白光干涉儀具有高精度、非接觸的特點(diǎn)，測量精度可達(dá)納米級，不會對脆弱的光刻圖形造成損傷。同時(shí)，測量速度快，能夠?qū)崟r(shí)在線檢測，配合專業(yè)軟件還能對測量數(shù)據(jù)進(jìn)行可視化處理，直觀呈現(xiàn)光刻圖形質(zhì)量。

實(shí)際應(yīng)用

在 Micro OLED 陽極像素定義層制備中，白光干涉儀可用于測量光刻膠圖案的高度、線寬，以及陽極金屬層圖形的平整度等關(guān)鍵參數(shù)，確保制備的陽極像素定義層符合設(shè)計(jì)要求，為提升 Micro OLED 顯示性能提供保障。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實(shí)時(shí)”動態(tài)/靜態(tài) 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復(fù)雜的問題，實(shí)現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實(shí)現(xiàn)卓越的重復(fù)性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術(shù)，Z向測量范圍高達(dá)100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復(fù)雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)“動態(tài)”3D輪廓測量。

實(shí)際案例

1，優(yōu)于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實(shí)現(xiàn)5nm-有機(jī)油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實(shí)現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇