晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材，所有集成電路（IC）均構(gòu)建于晶圓之上，其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性，是摩爾定律持續(xù)推進(jìn)的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度（THK）、翹曲度（Warp） 和彎曲度（Bow） 是直接影響工藝穩(wěn)定性和芯片良率的關(guān)鍵參數(shù)：

1、厚度（THK） 是工藝兼容性的基礎(chǔ)，需通過精密切割與研磨實(shí)現(xiàn)全局均勻性。

2、翹曲度（Warp） 反映晶圓整體應(yīng)力分布，直接影響光刻和工藝穩(wěn)定性，需通過退火優(yōu)化和應(yīng)力平衡技術(shù)控制。

3、彎曲度（Bow） 源于材料與工藝的對(duì)稱性缺陷，對(duì)多層堆疊和封裝尤為敏感，需在晶體生長(zhǎng)和鍍膜工藝中嚴(yán)格調(diào)控。

在先進(jìn)制程中，三者共同決定了晶圓的幾何完整性，是良率提升和成本控制的核心參數(shù)。通過WD4000晶圓幾何形貌測(cè)量系統(tǒng)在線檢測(cè)，可減少其對(duì)芯片性能的影響。

WD4000晶圓幾何量測(cè)系統(tǒng)適用于裸晶圓、圖案晶圓、鍵合晶圓、貼膜晶圓、超薄晶圓等復(fù)雜結(jié)構(gòu)晶圓的量測(cè)應(yīng)用。

（1）搭配中圖全自主研發(fā)的EFEM系統(tǒng)，可以適配loadport、smifport、carrier等多種形式，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)上下料，實(shí)現(xiàn)在單系統(tǒng)內(nèi)完成晶圓厚度、平坦度、粗糙度、膜厚等面型參數(shù)的高精度測(cè)量。

（2）系統(tǒng)覆蓋襯底切磨拋，光刻/蝕刻后翹曲度檢測(cè)，背面減薄厚度監(jiān)測(cè)等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)。

晶圓作為半導(dǎo)體工業(yè)的“地基”，其高純度、單晶結(jié)構(gòu)和大尺寸等特點(diǎn)，支撐了芯片的高性能與低成本制造。其戰(zhàn)略價(jià)值不僅體現(xiàn)在技術(shù)壁壘和產(chǎn)業(yè)核心地位，更在于推動(dòng)全球電子設(shè)備小型化、智能化及新興領(lǐng)域（如AI、自動(dòng)駕駛）的發(fā)展。晶圓技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，是半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)步的核心驅(qū)動(dòng)力之一。