源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE（源漏擴(kuò)展結(jié)構(gòu)）引入了一個淺的源漏擴(kuò)展區(qū)，以連接溝道和源漏區(qū)域。結(jié)深的微縮歸因于 SDE 深度的降低。隨著 CMOS尺寸的降低，為控制短溝道效應(yīng)，結(jié)深也需要相應(yīng)的降低。然而，降低源漏擴(kuò)展區(qū)的深度會導(dǎo)致更高的電阻。這兩個互相矛盾的趨勢要求新的工藝技術(shù)能夠在更淺的區(qū)域形成高活化和低擴(kuò)散的高濃度結(jié)。

根據(jù)ITRS 提供的數(shù)據(jù)，不同技術(shù)節(jié)點(diǎn)的結(jié)深歸納如表2.4所示。

結(jié)（junction）的制造工藝包含離子注入工藝和注入后退火工藝。離子注入需要小心控制以在最小化的注入損傷下，在近表面獲得高摻雜濃度。為滿足上述需求，新的工藝技術(shù)，比如無定型化技術(shù)、分子離子注入技術(shù)和冷注入技術(shù)，已經(jīng)得到應(yīng)用。為得到摻雜劑的高活化和有限的摻雜劑擴(kuò)散，注入后退火的熱預(yù)算非常關(guān)鍵。由于將摻雜原子置入晶格中的活化過程相比摻雜劑的擴(kuò)散過程需要更高的活化能，快速升降溫的熱過程有利于高活化和低擴(kuò)散。針對該目的而開發(fā)的毫秒級和亞毫秒級的退火技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。