電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）日前，多家服務(wù)器廠商表示因AI服務(wù)器需求高漲拉高業(yè)績增長。隨著AI服務(wù)器需求旺盛，以及英偉達GPU的更新?lián)Q代，勢必帶動HBM供應(yīng)商的積極產(chǎn)品推進。三星方面HBM3E/HBM4有了新進展，SK海力士的HBM4性能更強。同時，DDR4的陸續(xù)減產(chǎn)，更多資源投向了DDR5和HBM。

AI服務(wù)器帶動業(yè)績增長

戴爾科技發(fā)布2026財年第一財季（截至2025年5月2日）業(yè)績報告。數(shù)據(jù)顯示，第一財季戴爾營收達233.8億美元，同比增長5%，non-GAAP下，營業(yè)利潤為17億美元，同比增長10%。得益于收入增長和運營支出下降，凈利潤同比增長13%至11億美元。

戴爾第一財季服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)收入達63億美元，創(chuàng)歷史新高，且市場對AI優(yōu)化服務(wù)器的需求空前高漲。戴爾首席運營官杰夫·克拉克表示：“僅本季度，我們就獲得了121億美元的AI訂單，超過了2025財年全年的出貨量，目前我們還有144億美元的訂單積壓。”

戴爾預(yù)估，第二財季AI服務(wù)器將出貨約70億美元。相比之下，戴爾過去每季AI服務(wù)器出貨約為31億美元。今年2月，戴爾預(yù)估全財年AI服務(wù)器營收預(yù)計約150億美元，與去年度的98億美元相比，大幅成長超50%。

富士康是英偉達AI服務(wù)器制造商，得益于AI服務(wù)器銷售強勁，第一季度營收同比增長24.2%，創(chuàng)同期歷史新高。預(yù)計第二季度將實現(xiàn)顯著同比增長，其中AI服務(wù)器業(yè)務(wù)將呈現(xiàn)兩位數(shù)高增長，量產(chǎn)爬坡速度加快。其1-3月凈利潤達421.2億新臺幣（13.9億美元），高于分析師平均預(yù)估的378億新臺幣。

英偉達近期表示，今年下半年將轉(zhuǎn)向Blackwell Ultra芯片，Blackwell Ultra GPU配備12層HBM3e顯存，實現(xiàn)8TB/s內(nèi)存帶寬。2026年下半年將出貨Vera Rubin。Vera CPU的內(nèi)存是Grace的4.2倍，內(nèi)存帶寬是Grace的2.4倍。Rubin GPU由兩個GPU組成一個單芯片，將配備288GB的HBM4。Vera Rubin之后名為Vera Rubin Ultra的芯片，將Vera CPU和Rubin Ultra芯片（Rubin Ultra由四個GPU組成）結(jié)合，將于2027年下半年上市。

三星、SK海力士積極備戰(zhàn)HBM

外媒消息稱，目前三星12層HBM3E產(chǎn)品已基本通過英偉達的DRAM單芯片認證，現(xiàn)階段正在進行成品認證程序。三星原本預(yù)計6~7月完成認證，但消息稱三星設(shè)定的最新目標是在今年7~8月通過英偉達的12層HBM3E品質(zhì)驗證測試。在一季度財報會議上，三星電子曾表示，下半年將擴大增強型12層堆疊HBM3E產(chǎn)品的銷售。

韓國業(yè)界人士指出，若三星2025年無法供應(yīng)12層HBM3E給英偉達，其2026年的HBM策略將勢必要大幅修正，甚至可能放棄該HBM3E產(chǎn)品，轉(zhuǎn)而專注第六代HBM（HBM4）。

SK海力士全球首款16層堆疊的HBM3E產(chǎn)品，帶寬達到1.2TB/s。預(yù)計將應(yīng)用于NVIDIA最新的GB300“Blackwell Ultra”AI集群產(chǎn)品。
HBM4進展方面，此前SK海力士向公眾展示了其最新一代HBM4高帶寬內(nèi)存技術(shù)。根據(jù)官方介紹，SK海力士HBM4單顆容量最高可達48GB，帶寬高達2.0TB/s，I/O速度達到8.0Gbps。公司計劃在2025年下半年實現(xiàn)HBM4的大規(guī)模量產(chǎn)。

而三星已與多家客戶合作，開發(fā)基于HBM4和增強型HBM4E的定制版本，計劃于今年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)，預(yù)計將于2026年開始商業(yè)供應(yīng)。

當前，SK海力士和美光采用1b DRAM制造HBM4，而據(jù)韓媒報道，三星直指更先進的1c DRAM。三星計劃在韓國華城和平澤擴大1c DRAM（第六代10nm級）生產(chǎn)，相關(guān)投資將在年底前啟動。三星還考慮在今年底前將華城17號生產(chǎn)線從1z DRAM轉(zhuǎn)為1c DRAM生產(chǎn)，以進一步擴大產(chǎn)能。

三星今年早些時候已在平澤第四園區(qū)（P4）啟動首條1c DRAM生產(chǎn)線，目標月產(chǎn)能為3萬片晶圓。若后續(xù)擴建順利，月產(chǎn)能有望提升至4萬片。

DDR4減產(chǎn)，轉(zhuǎn)向DDR5/HBM

三星、美光、SK海力士從去年開始縮減DDR4產(chǎn)能。三星從2025年4月起停止生產(chǎn)1y和1z納米工藝的8GB DDR4產(chǎn)品，最后訂單截止日期為6月。SK海力士在2024年第3季DDR4生產(chǎn)比重已由第2季40%降至30%，第4季計劃進一步降低至20%。而美光也通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊。

隨著DDR4的減產(chǎn)，產(chǎn)能將轉(zhuǎn)到DDR5、LPDDR5、HBM等產(chǎn)品上。美光在最新財報中表示，公司專注于在現(xiàn)有制造設(shè)備中增加HBM產(chǎn)能，以滿足2026年的市場需求。今年4月，美光進行了業(yè)務(wù)部門重組，新成立了向超大規(guī)模云客戶提供內(nèi)存解決方案、為數(shù)據(jù)客戶中心客戶提供HBM的云內(nèi)存業(yè)務(wù)部。美光稱，此次重組的背景是高性能內(nèi)存和存儲在推動AI發(fā)展方面越來越重要。

HBM的熱度也反映在設(shè)備投資上面。據(jù)SEMI最新報告，隨著半導(dǎo)體前端及后端制程投資擴大，帶動設(shè)備市場增長，2024年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備投資額達1171億美元，比上年增長10%。半導(dǎo)體前端設(shè)備領(lǐng)域，晶圓加工和其他設(shè)備投資同比增長分別9%和5%，后端封裝設(shè)備和測試設(shè)備投資也分別增長25%和20%。后端主要是由于對高帶寬存儲器（HBM）的需求增加，導(dǎo)致對基本工藝設(shè)施的投資增加。

集邦咨詢TrendForce預(yù)測，受強勁需求推動，2026年HBM總出貨量將突破300億吉比特，HBM4將在2026年下半年超越HBM3e，成為市場主流解決方案。