概述
ADuM524x 系列是雙通道數字隔離器，采用isoPower? 技術集成隔離電源。基于ADI公司iCoupler?技術的芯片級dc-dc轉換器，在5 V電壓時提供50 mW控制隔離功耗，在低功耗隔離設計中，無需使用單獨的隔離DC-DC轉換器。ADI公司的芯片級變壓器iCoupler技術用來隔離邏輯信號以及DC-DC轉換器。在小型封裝內提供完整的隔離解決方案。

ADuM524x隔離器提供兩個獨立的隔離通道，支持多種通道配置，輸入工作電壓為5 V。ADuM524x系列可以與其它iCoupler產品配合使用，以實現更多的通道數。
數據表：*附件：ADuM5240 ADuM5241 ADuM5242雙通道隔離器技術手冊.pdf
特性

• 集成隔離式DC/DC轉換器
• 5 V/10 mA調節輸出
• 兩個DC至1 Mbps (NRZ)信號隔離通道
• 8引腳窄體SOIC封裝
• 符合RoHS標準
• 工作溫度最高可達：105℃
• 精確定時特性
  最大脈寬失真度：3 ns（最大值）
  通道間匹配：3 ns（最大值）
  傳播延遲：70 ns（最大值）
• 高共模瞬變抗擾度：>25 kV/μs
• UL認證
  1分鐘2500 Vrms，符合UL 1577標準
• CSA元件驗收通知#5A
• VDE合格證書
  VIORM = 560 V峰值

功能框圖

引腳配置描述

典型性能特征

應用信息

直流-直流轉換器部分

ADuM524x的直流-直流轉換器基于現代電源設計中常見的原理工作。V_{DD1} 電源為振蕩電路供電，該電路將電流切換到芯片級空芯變壓器。功率被傳輸到次級側，在那里被整流為直流電壓，然后線性調節到高5.2V，并提供給次級側數據部分和 V_{ISO} 引腳供外部使用。這種設計使得該器件能采用 8 引腳 SOIC 封裝，實現物理上的小型化。由于尺寸和成本限制，本版本未采用有源反饋。

由于振蕩器以恒定的高頻運行，與負載無關，多余的功率在輸出電壓調節過程中內部耗散。變壓器線圈和組件的有限空間也會導致額外的功率損耗。這會導致低功率轉換效率，尤其是在低負載電流時。

圖 8 中的負載特性表明，在無 V_{ISO} 負載時，V_{DD1} 電流通常為 80 mA ，在滿 V_{ISO} 負載時為 110 mA 。

該技術允許采用其他電源架構，如次級側反饋進行電壓調節。在初級側添加反饋可顯著提高功率、效率，并實現多個電源的同步，不過會增加尺寸和成本。未來的 iPower 實現將包含反饋以實現這些性能提升。

ADuM524x 可在內部直流-直流轉換器啟用或禁用的情況下運行。啟用內部直流-直流轉換器后，Pin 8 的隔離電源為器件的輸出功率以及次級側電路供電。

ADuM524x 的內部直流-直流轉換器狀態由輸入 V_{DD1} 電壓控制，如表 6 所定義。在正常工作模式下，V_{DD1} 設置在 4.5 V 至 5.5 V 之間，內部直流-直流轉換器啟用。當需要禁用內部直流-直流轉換器時，V_{DD1} 降低到 2.7 V 至 4.0 V 之間的值。在此模式下，V_{ISO} 功率由用戶外部提供，且 ADuM524x 的信號通道繼續正常運行。

一旦直流-直流轉換器處于活動狀態，輸入電壓必須降低到關斷閾值以下才能禁用轉換器。此功能可確保轉換器不會因噪聲輸入功率而進入振蕩狀態。

傳播延遲相關參數

傳播延遲是描述邏輯信號通過一個組件傳播所需時間的參數。信號到邏輯低電平輸出的傳播延遲，可能與到邏輯高電平輸出的傳播延遲不同。

脈沖寬度失真是這兩個傳播延遲值之間的最大差異，它體現了輸入信號定時的保持精度。

通道間匹配指的是單個 ADuM524x 器件內各通道之間傳播延遲差異的最大量。

傳播延遲差異指的是在相同條件下工作的多個 ADuM524x 器件之間傳播延遲差異的最大量。

直流正確性和磁場抗擾度

隔離器輸入的正向和負向邏輯轉換，會使窄（~1 ns ）脈沖通過變壓器發送至解碼器，進而對解碼器進行置位或復位，表明有輸入邏輯轉換。在輸入邏輯轉換缺失（即輸入為邏輯 1 持續超過 1μs ）時，會發送一組刷新脈沖，以確保輸出的直流正確性，表明正確的輸入狀態。

如果解碼器在約 5μs 內未收到脈沖，輸入側內部電路會被視為未通電或無功能，隔離器輸出會被看門狗定時器強制置為默認高電平狀態（見表 12 至表 14 ）。

ADuM524x 的磁場抗擾度由以下條件設定：變壓器接收線圈中感應的電壓足夠大，會錯誤地置位或復位解碼器。以下分析明確了可能出現這種情況的條件。對 ADuM524x 的 3V 工作條件進行研究，因為這代表了該產品最敏感的工作模式。

變壓器輸出的脈沖幅度大于 1.0 V 。解碼器的感應閾值約為 0.5 V ，因此確定了一個 0.5 V 的裕量，在此裕量內感應電壓可被容忍。接收線圈上感應的電壓由下式給出：

其中：

• β 為磁通密度（高斯）。
• r_{n} 為接收線圈中第 n 匝的半徑（厘米）。
• N 為接收線圈的匝數。