在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

龍騰半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)超結(jié)MOSFET LSB60R041GFA概述

龍騰半導(dǎo)體 ? 來源:龍騰半導(dǎo)體 ? 2025-06-17 11:20 ? 次閱讀

專注創(chuàng)新 不止于新

車規(guī)級(jí)超結(jié)

MOSFET LSB60R041GFA

PART 01

產(chǎn)品概述

本款產(chǎn)品采用新一代超結(jié)技術(shù),專為汽車電子和高功率場景打造。在質(zhì)量與可靠性方面,產(chǎn)品嚴(yán)格遵循 AEC - Q101 車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)以及 IATF 16949 汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證要求。憑借低導(dǎo)通電阻與高功率密度設(shè)計(jì),確保在極端工況下穩(wěn)定運(yùn)行,為高效電機(jī)系統(tǒng)提供核心動(dòng)力支持。

43234cb8-4832-11f0-b715-92fbcf53809c.png

封裝形式

產(chǎn)品可靠性測試報(bào)告

PART 02

核心特性

導(dǎo)通損耗低

低阻值設(shè)計(jì),減少發(fā)熱并提升能效;

開關(guān)損耗低

低柵極電荷,顯著降低驅(qū)動(dòng)損耗;

功率密度高

卓越的熱設(shè)計(jì),適用于緊湊型高效能系統(tǒng)。

PART 03

Test Circuit & Waveforms

435ca666-4832-11f0-b715-92fbcf53809c.jpg

Gate Charge Test Circuit & Waveform

436e5faa-4832-11f0-b715-92fbcf53809c.jpg

Resistive Switching Test Circuit & Waveform

437cfd94-4832-11f0-b715-92fbcf53809c.jpg

Unclamped Inductive Switching (UlS)

Test Circuit & Waveform

43875e9c-4832-11f0-b715-92fbcf53809c.jpg

Diode Recovery Test Circuit & Waveform

PART 04

產(chǎn)品優(yōu)勢

車規(guī)品質(zhì)

雙重認(rèn)證確保產(chǎn)品符合汽車行業(yè)嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn),可靠性與安全性行業(yè)先進(jìn);

高效節(jié)能

通過降低RDS(on)與Qg,系統(tǒng)能耗顯著降低的同時(shí)提升了運(yùn)行性能;

高可靠性

嚴(yán)苛測試保障惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。

PART 05

典型應(yīng)用

汽車領(lǐng)域

48V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機(jī)(OBC)、電池管理系統(tǒng)(BMS);

工業(yè)場景

工業(yè)開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源(UPS);

新能源

光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)解決方案。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    8353

    瀏覽量

    218989
  • 汽車電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3036

    文章

    8272

    瀏覽量

    169700
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    8576

    瀏覽量

    144941

原文標(biāo)題:車規(guī)級(jí)超結(jié)MOSFET LSB60R041GFA :以極致能效驅(qū)動(dòng)高功率應(yīng)用新高度

文章出處:【微信號(hào):xa_lonten,微信公眾號(hào):龍騰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    瑞能半導(dǎo)體第三代結(jié)MOSFET技術(shù)解析(2)

    瑞能G3 結(jié)MOSFET Analyzation 瑞能結(jié)MOSFET “表現(xiàn)力”十足 可靠性
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:59 ?108次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>第三代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析(2)

    瑞能半導(dǎo)體第三代結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代結(jié)MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?149次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>第三代<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析(1)

    美信檢測榮獲規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)服務(wù)杰出供應(yīng)商

    近日,以 “啟芯時(shí)代,引領(lǐng)芯未來” 為主題的 2025 全球規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體峰會(huì)(GAPS)在杭州隆重開幕。深圳市美信檢測技術(shù)股份有限公司
    的頭像 發(fā)表于 05-20 15:13 ?320次閱讀

    半導(dǎo)體榮膺陜西省半導(dǎo)體協(xié)會(huì)20周年突出貢獻(xiàn)單位

    此前,4月27日至28日,2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)成立20周年大會(huì)在西安盛大召開,半導(dǎo)體受邀參會(huì)。
    的頭像 發(fā)表于 05-07 11:49 ?411次閱讀

    新潔能Gen.4結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

    結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級(jí)結(jié)”單元,通過電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件,其核心設(shè)計(jì)通過優(yōu)化電場分布實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通
    的頭像 發(fā)表于 05-06 15:05 ?366次閱讀
    新潔能Gen.4<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b> 800V和900V產(chǎn)品介紹

    國產(chǎn)新突破!江波龍車規(guī)級(jí) LPDDR4x與規(guī)級(jí)eMMC重磅發(fā)布,定義存儲(chǔ)新標(biāo)桿

    4月23日,在上海車展上,江波召開了新品發(fā)布會(huì),亮相了多款創(chuàng)新的規(guī)存儲(chǔ)產(chǎn)品,包括規(guī)級(jí)eMM
    的頭像 發(fā)表于 04-24 07:06 ?1239次閱讀
    國產(chǎn)新突破!江波龍車<b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b> LPDDR4x與<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>eMMC重磅發(fā)布,定義存儲(chǔ)新標(biāo)桿

    會(huì)展動(dòng)態(tài)|TMC2025規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇「初步日程+展覽」首發(fā)

    將聚焦規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體前沿技術(shù),匯聚全球頂尖企業(yè)與行業(yè)領(lǐng)袖。兩天議程覆蓋四大核心板塊: >第三、四代規(guī)
    發(fā)表于 04-17 13:50 ?482次閱讀
    會(huì)展動(dòng)態(tài)|TMC2025<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>論壇「初步日程+展覽」首發(fā)

    從陳星弼院士無奈賣出超結(jié)MOSFET專利到碳化硅功率半導(dǎo)體中國崛起

    中國功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程是一部從技術(shù)引進(jìn)到自主創(chuàng)新、從受制于人到逐步突破的篳路藍(lán)縷奮斗史。從陳星弼院士的結(jié)MOSFET專利到全國產(chǎn)碳化硅(SiC)技術(shù)的崛起,這一歷程體現(xiàn)了中國在
    的頭像 發(fā)表于 03-27 07:57 ?263次閱讀

    SGS規(guī)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)培訓(xùn)深圳站成功舉行

    近日,國際公認(rèn)的測試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS主辦的規(guī)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)培訓(xùn)在深圳成功舉行。此次培訓(xùn)聚焦于規(guī)級(jí)
    的頭像 發(fā)表于 03-03 16:57 ?557次閱讀

    結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?460次閱讀
    <b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>升級(jí)至650V碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基
    發(fā)表于 01-22 10:43

    新聲半導(dǎo)體多款濾波器獲AEC-Q200規(guī)認(rèn)證

    近日,新聲半導(dǎo)體傳來喜訊,其TC-SAW和BAW系列多款濾波器產(chǎn)品成功通過了AEC-Q200規(guī)認(rèn)證。這一成就不僅彰顯了新聲半導(dǎo)體在濾波器領(lǐng)域的卓越技術(shù)實(shí)力,更標(biāo)志著其成為國內(nèi)首家通過
    的頭像 發(fā)表于 10-16 16:55 ?938次閱讀

    評(píng)估結(jié)功率 MOSFET 的性能和效率

    半導(dǎo)體材料層來構(gòu)成 PN 結(jié),從而實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)平面 MOSFET 更低的導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ) 和柵
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:51 ?1028次閱讀
    評(píng)估<b class='flag-5'>超</b><b class='flag-5'>結(jié)</b>功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的性能和效率

    基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101規(guī)級(jí)認(rèn)證

    近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:20 ?1040次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>通過AEC-Q101<b class='flag-5'>車</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>認(rèn)證

    基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過規(guī)級(jí)認(rèn)證,為汽車電子注入新動(dòng)力

    近日,中國半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司,再次在科技領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通過了AEC-Q101
    的頭像 發(fā)表于 06-26 17:58 ?1250次閱讀
    主站蜘蛛池模板: 在线看一区二区 | 一级不卡毛片 | 又粗又长又大又黄的日本视频 | 亚洲国产精品网站久久 | 天堂网2021天堂手机版丶 | 美女丝袜长腿喷水gif动态图 | 日日拍夜夜嗷嗷叫狠狠 | 免费看日本大片免费 | 色网站在线看 | 色丁香在线| 天堂最新版在线地址 | 女人aaaaa片一级一毛片 | 久久亚洲综合中文字幕 | 123综合网在线 | 色婷婷资源网 | 成人性生活免费视频 | 午夜免费观看福利片一区二区三区 | 日本三级香港三级人妇网站 | 色欧美在线视频 | 人人插人人艹 | 在线观看深夜观看网站免费 | 欧美另类色| 欧美一级欧美三级在线 | 深夜视频在线 | 欧美淫 | 天天操夜夜干 | 69中国xxxxxxxx18 | 亚洲国产精品嫩草影院 | 香蕉视频在线观看国产 | 亚洲视频在线观看一区 | 综合涩| 上课被同桌摸下面做羞羞 | 美女和帅哥在床上玩的不可描述 | 男人的天堂在线精品视频 | 日本免费精品视频 | 日本黄色片视频 | 欧美白人极品性喷潮 | 视频一区二区在线播放 | 精品无码中出一区二区 | 久久精品综合网 | 国产免费人成在线视频视频 |