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新品 | 采用CoolSiC? 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評估板

英飛凌工業半導體 ? 2025-06-19 17:05 ? 次閱讀

新品

采用CoolSiC 400V SiC MOSFET

ANPC三電平虛擬評估板

977bdcf8-4cec-11f0-986f-92fbcf53809c.jpg


該虛擬設計(提供設計文件,不提供實物產品)為3L-ANPC拓撲,是帶隔離的三相三電平逆變器板。優化的PCB布局最大限度地減少了換流回路電感,降低了開關損耗和電壓過沖。該設計是工程師和研究人員實驗、驗證和優化工業電機驅動器和光伏組串逆變器3L-ANPC系統的理想選擇。


產品型號:

EVAL_10KW_3LANPC_SIC


所用器件:

IMT40R011M2H

BSZ099N06LS5

2EDF7275F

TLI4971-A120T5-E0001

XMC1302-T028X0200 AB

KIT_XMC_LINK_SEGGER_V1

KIT_XMC4400_DC_V1

CURSENSORPROGRAMMERTOBO1


產品特點

3L-ANPC拓撲測試平臺

三相三電平ANPC功率板

隔離輔助電源

XMC4400驅動板接口

高精度無芯電流傳感器

CoolSiC 400V - 無散熱片設計

應用價值


效率高>99.5%,功率密度高

低電磁干擾

降低電壓應力,提高使用壽命

靈活的電機控制算法

允許進行2-L修改以進行比較

通過散熱器(可選)擴展功率范圍


競爭優勢


CoolSiC MOSFET 400V G2在3L-ANPC中的價值主張

400V SiC MOSFET用于三電平拓撲(ANPC),耐電壓能力達800V(DC)

更高的VBUS電壓可提高效率和功率密度,減少PCB銅層,并可以避免并聯

多電平拓撲結構固有較低電流紋波可減小電感器尺寸

固有的較低dv/dt更好的電磁干擾性能

熱量擴散到18個MOSFET上,實現更好的熱管理


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