新品 | 第2代CoolSiC? MOSFET 400V
新品
第2代CoolSiC MOSFET 400V
CoolSiC MOSFET 400V G2將高堅固性與超低開關損耗和導通電阻結合在一起，同時改善了系統成本。400V SiC MOSFET可在2電平和3電平硬開關和軟開關拓撲中提供出色的功率密度和系統效率。目標應用為人工智能服務器PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及D類放大器中的功率轉換。
產品型號：
■IMBG40R011M2H
■IMBG40R015M2H
■IMBG40R025M2H
■IMBG40R036M2H
■IMBG40R045M2H
■IMT40R011M2H
■IMT40R015M2H
■IMT40R025M2H
■IMT40R036M2H
■IMT40R045M2H
產品特點
與650V SiC MOSFET相比，FOM更好
低Qfr值的快速換流二極管
RDS(on)溫度系數小
柵極閾值電壓VGS(th)=4.5V
可以單電源驅動VGSoff=0V
100%經過雪崩測試
開關速度可控性高
高dV/dt運行期間的低過沖
.XT互聯技術
一流的熱性能
應用價值
系統效率高
高功率密度設計
高設計魯棒性
減少EMI濾波
在硬開關拓撲中使用
競爭優勢
支持采用創新拓撲結構（如3L PFC，ANPC）
與HV SiC MOSFET相比，Ron x A降低，FoM提高，RDS(on)與Tj曲線平坦，100°C時增幅最小
低Qgd,Qoss fr,Eoss
高壓擺率控制、線性Coss和低Qfr
高柵極驅動閾值電壓Vth,typ=4.5V實現0V-18V驅動
以及較低的米勒比，以減輕Cgd，Vds/dt引起的寄生導通
應用領域
AI服務器電源
SMPS
電機控制
輕型電動汽車
叉車
電動飛機
固態斷路器
太陽能
能源儲存
D類放大器
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