內(nèi)部電路和基本結(jié)構(gòu)

內(nèi)部電路中包含基準(zhǔn)電壓源、誤差放大器、預(yù)先調(diào)整輸出電壓用電阻、輸出用P溝道MOS晶體管。此外還備有作為保護(hù)功能的定電流限制或限流電路（foldback電路）、過熱停機(jī)功能等。

IC內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓源中難以構(gòu)成雙極工藝所使用的帶隙參考電路，大多采用CMOS工藝所特有的產(chǎn)品，其輸出電壓的溫度特性與雙極線性調(diào)整器相比稍有遜色。

此外，低消耗電流型、高速型、與低ESR電容對(duì)應(yīng)等，能改變各自內(nèi)部的相位補(bǔ)償或電路構(gòu)成。低消耗電流型通常由2級(jí)階放大器構(gòu)成，高速型則在使用同時(shí)滿足低消耗電流和高速瞬態(tài)響應(yīng)的3級(jí)放大器方面進(jìn)行了探討。圖1表示了高速型的內(nèi)部電路圖。

在初級(jí)放大器和用于輸出的P溝道MOS晶體管之間加入緩沖用放大器，能高速驅(qū)動(dòng)輸出用P溝道MOS晶體管的門極容量。輸出電壓由R1和R2決定；限定電流值由R3和R4決定。由于各自能微調(diào)而設(shè)定了良好的精度。特別是高速型多用于無線電儀器或便攜式電子儀器，而且具有小型化要求，大多能與陶瓷電容等低ESR電容相對(duì)應(yīng)。

圖1 Basic Circuitry Block Diagram of High-Speed Type Regulator