中芯國際聯席CEO梁孟松10日指出，中芯目前28納米持續推進進度良好，繼去年下半年HKC工藝制程進入量產，明年下半年HKC+也會進入量產，FinFET預計明年上半年風險試產。他強調，中芯國際也不會放過在AI領域發力，目前正準備相關領域ASIC IP，明年上半年跨入。

梁孟松在10日中芯法說會上作出上述表示；同時，聯席CEO趙海軍也在法說會中指出，盡管面對許多挑戰，但中芯首季營運比預期要好，市場需求持續增長，產能利用率回升，公司對研發深具信心，處于轉型過渡期的中芯國際，對今年持續保持謹慎樂觀態度。

2018第一季財報表現優于預期

中芯國際第一季財報，銷售額8.31億美元，其中包含光罩制造、晶圓測試及其它技術授權收入為1.076億美元，毛利2.202億美元，毛利率達26.5%。

產能方面，由于今年第一季深圳8吋工廠產能的擴充，中芯從2017年第四季44.275萬片8吋等值晶圓增至2018年第一季44.775萬片8吋等值晶圓，產能利用率提升至88.3%。

研發方面，中芯第一季支出達1.23億美元，環比增加了2170萬美元。2018年第一季度的資本開支為 3.222億美元，相比2017年第四季為 4.987億美元。其中，2018年計劃用于晶圓廠運作的資本支出由2017第四季19億元增加至約 23億元，增加4億元主要用于研究發展設備及天津、深圳8吋晶圓廠產能擴充。

中芯預期第二季營收將增加7%至9%；毛利率介于23%至25%范圍內；非控制權益將介于正1,700-1,900萬美元之間。

中芯聯席CEO趙海軍表示，目前仍處于過渡時期，面對諸多挑戰；但已看到中芯整體的運營狀況優于預期：客戶與產業需求回升，產能利用率持續改善，工藝研發及新業務平臺的進展皆順利。

第一季來自中國區收入環比上升28%，同比上升40%，趙海軍也在法說會上稱，中國市場巨大成長機遇，尤其消費電子與物聯網普及應用，中芯占良好區位優勢。趙更提到，中芯在電源管理IC與影像感測器件代工已引領業內，今年Nor/Nand Flash產品線更將躍增30%。

梁孟松透露多項研發推進成果

聯席CEO梁孟松則針對外界關注的研發進度與28納米進程給了更清晰的答案。他首先指出，先進工藝方面，繼28納米HKC去年下半年量產后，今年下半年HKC+工藝也將順利邁入量產，28納米是一重要節點，如何在28納米節點上記取教訓，順利推進下一代工藝及時進入市場是關鍵的一課。

根據中芯最新透露，28納米第二季應可呈現高個位數增長，到第三季，28納米HKC量產則將接近28納米Poly-SiON工藝，全年28納米將達高個位數出貨占比。

其次，在成熟工藝平臺方面，梁孟松特別提到電源管理IC工藝平臺提升效能與BCD高壓工藝轉向12吋晶圓廠。中芯國際透露，當前所有8吋廠都受到電源管理IC供不應求影響，產能吃緊，尤其IGBT元器件需求強，中芯也會在上海之外的JV基地建置好產能因應客戶需求。

外界預料，除了深圳、天津8吋廠產能，中芯寧波新設廠也將擔任起電源管理IC與高壓模擬等代工產能要角。

梁孟松最后強調，中芯會致力于搭建業務平臺，完整對接客戶，把握機遇，加速技術開發，目標是建立起完整的工藝平臺，整合技術、IP以及完備的設計服務，強化競爭力，以滿足客戶需求，包括跨入人工智能AI領域，中芯也都準備完整的ASIC IP建置，提供客戶完整設計代工方案，預計明年上半年投入。