前言

咬住青山不放松，任爾東南西北風(fēng)：中國積極布局，韓國也沒閑著！

根據(jù)SEMI的估計，不包括外商在內(nèi)的2018年中國半導(dǎo)體業(yè)設(shè)備總投資金額為108億美元，這已經(jīng)是非常樂觀的估計。但SEMI同時也估計，2018年全球存儲器產(chǎn)業(yè)的設(shè)備總投資額為440億美元，而韓國兩大廠貢獻了全球超過70%的市場份額，大約300億美元的韓國存儲器大廠投資，也不是中國短期間能望其項背。

未來兩、三年，在人工智慧、車聯(lián)網(wǎng)等商機的驅(qū)動下，半導(dǎo)體的需求依舊看好。因此，韓國兩家半導(dǎo)體大廠依舊保持投資高點，NAND Flash的投資雖比去年少一點，但相較于以往的經(jīng)驗，仍是屬于投資高峰的狀態(tài)。短期間，存儲器仍是獲利的主流，但非存儲器商機卻是中長期的重要期待。

DRAM制程轉(zhuǎn)換不易，伺服器等需求依然暢旺，Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴大，都給DRAM的商機帶來足夠的保證。針對Flash的多層化，既是產(chǎn)業(yè)的進入障礙，也是韓國掌握厚利商機的來源。非存儲器的商機，占了半導(dǎo)體市場的70%。如果針對未來市場，CIS、行動通信AP與車聯(lián)網(wǎng)三大需求依舊令人期待。更重要的，三星與海力士都有分散業(yè)務(wù)過度集中于存儲器的需求，因此擴大晶圓代工業(yè)務(wù)乃是既定政策，也不容質(zhì)疑。

2017年全球存儲器市場為1,303億美元，比2016年的713億美元暴增82.6%，估計2018年仍可維持26.3%的成長率。在市場的驅(qū)動下，韓國兩大廠的資本支出仍會持續(xù)擴大。

根據(jù)SEMI的資料，全球半導(dǎo)體材料市場將從2017年的247億美元，增加到2018年的278億美元，成長率12.7%，從前年開始的半導(dǎo)體高峰期，有長期化的趨勢，半導(dǎo)體業(yè)者也順勢推舟，在資本支出上更進一步的提高。光是存儲器業(yè)者2016年的資本支出為243億美元，2017年達到401億美元，2018年預(yù)估為440億美元。