?產學研深度融合：無錫迪仕電子與中科院微電子所共建先進封裝聯合實驗室?

?——聚焦三維集成與系統級封裝技術，賦能國產半導體產業升級?

近日，無錫迪仕電子科技有限公司與中國科學院微電子研究所正式簽署合作協議，雙方將共建“先進封裝與系統集成聯合實驗室”，重點攻關三維集成封裝（3D TSV）、系統級封裝（SiP）及高密度互連技術。此次合作標志著迪仕科技在磁性傳感器領域的技術積累與中科院微電子所在集成電路封裝領域的科研優勢深度結合，旨在突破國產半導體封裝技術的“卡脖子”環節，推動國產芯片自主可控進程。

合作背景：技術互補與產業需求驅動?

無錫迪仕電子科技作為國內磁性傳感器領域的領軍企業，長期為美的、華為、上汽等知名企業提供霍爾元件、線性傳感器等核心部件，產品覆蓋智能門鎖、物聯網終端、新能源汽車等領域。中科院微電子所則是國內微電子領域學科方向布局最完整的科研機構，主導建設了“高密度集成電路封裝技術國家工程實驗室”，在三維封裝、TSV互連、晶圓級封裝等領域擁有多項核心技術。

此次合作源于雙方對國產半導體封裝技術升級的共同需求。隨著智能終端、新能源汽車、工業物聯網等領域的快速發展，市場對高密度、小型化、低功耗封裝技術的需求激增，而國產封裝技術在材料、工藝、設備等方面仍存在短板。通過共建聯合實驗室，迪仕科技將依托中科院微電子所的科研平臺，加速磁性傳感器與系統級封裝的融合創新，提升產品競爭力。

?合作內容：聚焦三大技術方向?

?三維集成封裝（3D TSV）技術攻關?

聯合實驗室將重點研發基于TSV（硅通孔）技術的三維堆疊封裝工藝，突破芯片間高速互連、熱管理、應力控制等關鍵技術，實現傳感器模塊的微型化與高性能化。

?系統級封裝（SiP）技術優化?

針對物聯網終端、新能源汽車等場景，開發多芯片異構集成封裝方案，將磁性傳感器、MCU、功率器件等集成于單一封裝體內，降低系統成本并提升可靠性。

?高密度互連材料與工藝研發?

聯合實驗室將探索新型低介電常數材料、納米改性封裝基板等創新技術，提升封裝密度與信號傳輸效率，滿足5G通信、AI算力芯片等高端需求。

?合作模式：產學研協同創新?

?科研端?：中科院微電子所提供前沿技術指導與設備支持，迪仕科技投入研發資金與產業應用場景。

?生產端?：聯合實驗室成果將優先在迪仕科技的無錫、江陰等生產基地實現量產，確保技術快速轉化。

?人才端?：雙方共建研究生聯合培養基地，中科院微電子所為迪仕科技定向輸送封裝技術人才。

?產業影響：推動國產半導體封裝升級?

此次合作不僅將提升迪仕科技在磁性傳感器封裝領域的技術壁壘，更有望為國產半導體產業帶來以下突破：

?技術自主化?：減少對進口封裝設備與材料的依賴，降低供應鏈風險。

?成本優化?：通過高密度集成封裝技術，降低終端產品體積與制造成本。

?應用拓展?：推動磁性傳感器在醫療設備、航空航天等高端領域的國產化替代。

?未來展望：打造國際一流封裝技術平臺?

根據協議，聯合實驗室計劃在未來三年內完成5項以上核心技術攻關，申請發明專利10項，并推動2項以上技術實現量產。迪仕科技運營總監趙鵬表示：“此次合作是迪仕科技從‘傳感器制造商’向‘系統級封裝解決方案提供商’轉型的關鍵一步，我們將與中科院微電子所共同打造具有國際競爭力的封裝技術平臺。”

中科院微電子所相關負責人指出：“無錫是長三角半導體產業集群的核心區域，迪仕科技在磁性傳感器領域的產業化經驗與我們的科研優勢高度互補。聯合實驗室的建立將進一步鞏固無錫在全國封裝測試領域的領先地位?！?/p>

此次產學研深度融合，標志著國產半導體封裝技術向高端化、自主化邁出重要一步，也為區域產業升級提供了創新范本。

審核編輯 黃宇