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聚焦離子束技術(shù):微納米制造與分析的利器

金鑒實(shí)驗(yàn)室 ? 2025-07-08 15:33 ? 次閱讀
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聚焦離子束技術(shù)概述

聚焦離子束(Focused Ion Beam,F(xiàn)IB)技術(shù)是微納米尺度制造與分析領(lǐng)域的一項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)。其原理是利用靜電透鏡將離子源匯聚成極為精細(xì)的束斑,束斑直徑可精細(xì)至約5納米。

當(dāng)這束高能離子束轟擊材料表面時(shí),能夠在納米尺度上對(duì)材料實(shí)施剝離、沉積、注入、切割和改性等一系列操作。


FIB/SEM雙束系統(tǒng)加工過(guò)程

FIB/SEM雙束系統(tǒng)是聚焦離子束技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要里程碑。該系統(tǒng)將掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy,SEM)與FIB系統(tǒng)耦合在一起,實(shí)現(xiàn)了離子束加工與電子束成像的同步進(jìn)行。在工作過(guò)程中,樣品被放置在FIB和SEM的共軸高度處,這樣就能夠同時(shí)利用電子束進(jìn)行高分辨率成像和離子束進(jìn)行加工。通過(guò)樣品臺(tái)的靈活傾轉(zhuǎn),還可以使樣品表面與電子束或離子束保持垂直,從而確保加工和成像的精確性。

當(dāng)FIB離子束轟擊材料表面時(shí),入射離子會(huì)在材料內(nèi)部引發(fā)一系列復(fù)雜的散射過(guò)程。在這個(gè)過(guò)程中,離子不斷失去能量,最終停留在材料內(nèi)部。離子損失的能量主要有兩個(gè)去向:一方面,通過(guò)與材料中的原子核發(fā)生碰撞,將部分能量傳遞給原子,使原子發(fā)生移位或者脫離材料表面,從而實(shí)現(xiàn)材料的刻蝕加工;

另一方面,將能量傳遞給原子核周?chē)碾娮樱ぐl(fā)這些電子產(chǎn)生二次電子,或者剝離原子核周?chē)牟糠蛛娮樱乖与婋x成離子,進(jìn)而產(chǎn)生二次離子發(fā)射。這一過(guò)程不僅實(shí)現(xiàn)了材料的加工,還為后續(xù)的分析提供了重要的信號(hào)基礎(chǔ)。


FIB/SEM雙束系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域

FIB/SEM雙束系統(tǒng)的應(yīng)用領(lǐng)域極為廣泛,幾乎涵蓋了所有材料科學(xué)和微電子技術(shù)相關(guān)的領(lǐng)域。

半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,它可以用于芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)的定點(diǎn)觀測(cè)、故障分析以及集成電路的修改等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。對(duì)于鋰電材料,能夠進(jìn)行微觀結(jié)構(gòu)的剖析和性能優(yōu)化研究。金屬材料、陶瓷材料、光電材料以及高分子材料等眾多材料體系,都可以借助FIB/SEM雙束系統(tǒng)進(jìn)行微觀結(jié)構(gòu)的加工和性能分析。

此外,在離子注入、切割等微納加工工藝中,F(xiàn)IB/SEM雙束系統(tǒng)也發(fā)揮著不可或缺的作用,其高精度的加工能力為這些工藝的實(shí)現(xiàn)提供了有力支持。

FIB/SEM雙束系統(tǒng)分析案例

1.材料微觀截面截取與觀察

SEM僅能觀察材料表面信息,聚焦離子束的加入可以對(duì)材料縱向加工觀察材料內(nèi)部形貌,通過(guò)對(duì)膜層內(nèi)部厚度監(jiān)控以及對(duì)缺陷失效分析改善產(chǎn)品工藝,從根部解決產(chǎn)品失效問(wèn)題。

(1)FIB切割鍵合線

利用FIB對(duì)鍵合線進(jìn)行截面制樣,不僅可以觀察到截面晶格形貌,還可掌控鍍層結(jié)構(gòu)與厚度。

(2)FIB切割芯片金道

FIB-SEM產(chǎn)品工藝異常或調(diào)整后通過(guò)FIB獲取膜層剖面對(duì)各膜層檢查以及厚度的測(cè)量檢測(cè)工藝穩(wěn)定性。

(3)FIB切割支架鍍層

利用FIB切割支架鍍層,避免了傳統(tǒng)切片模式導(dǎo)致的金屬延展、碎屑填充、厚度偏差大的弊端,高分辨率的電鏡下,鍍層晶格形貌、內(nèi)部缺陷一覽無(wú)遺。FIB-SEM掃描電鏡下觀察支架鍍層截面形貌,鍍層界限明顯、結(jié)構(gòu)及晶格形貌清晰,尺寸測(cè)量準(zhǔn)確。此款支架在常規(guī)鍍鎳層上方鍍銅,普通制樣方法極其容易忽略此層結(jié)構(gòu),輕則造成判斷失誤,重則造成責(zé)任糾紛,經(jīng)濟(jì)損失!

FIB-SEM掃描電鏡下觀察支架鍍層截面形貌。此款支架在鍍銅層下方鍍有約30納米的鎳層,在FIB-SEM下依然清晰可測(cè)!內(nèi)部結(jié)構(gòu)、基材或鍍層的晶格、鍍層缺陷清晰明了,給客戶和供應(yīng)商解決爭(zhēng)論焦點(diǎn),減少?gòu)?fù)測(cè)次數(shù)與支出。金鑒實(shí)驗(yàn)室在進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),嚴(yán)格遵循相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)操作,確保每一個(gè)測(cè)試環(huán)節(jié)都精準(zhǔn)無(wú)誤地符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

(4)FIB其他領(lǐng)域定點(diǎn)、圖形化切割

2.誘導(dǎo)沉積材料

利用電子束或離子束將金屬有機(jī)氣體化合物分解,從而可在樣品的特定區(qū)域進(jìn)行材料沉積。本系統(tǒng)沉積的材料為Pt,沉積的圖形有點(diǎn)陣,直線等,利用系統(tǒng)沉積金屬材料的功能,可對(duì)器件電路進(jìn)行相應(yīng)的修改,更改電路功能。


聚焦離子束技術(shù)及其衍生的FIB/SEM雙束系統(tǒng),以其獨(dú)特的加工和分析能力,在微納米尺度的科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和創(chuàng)新,其應(yīng)用范圍還將進(jìn)一步拓展,為人類(lèi)探索微觀世界和推動(dòng)科技發(fā)展提供更強(qiáng)大的工具支持。

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