聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
ADI
+關(guān)注
關(guān)注
148文章
46031瀏覽量
259418 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2186瀏覽量
76319 -
航空航天
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
418瀏覽量
25013
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
ADI收購(gòu)了一家eFPGA公司,可重構(gòu)芯片成為FPGA發(fā)展新風(fēng)向?
興歡迎Flex Logix的優(yōu)秀團(tuán)隊(duì)加入ADI!這個(gè)團(tuán)隊(duì)是[eFPGA]技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,在我們繼續(xù)引領(lǐng)智能邊緣的征程中,他們與

GaN與SiC功率器件深度解析
本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析,描述了這些

GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)硅基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元
在開關(guān)模式電源中使用 GaN 開關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況,提到了所面臨的挑戰(zhàn),并展望了

垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)
。這項(xiàng)技術(shù)為橫向和垂直GaN(vGaN)器件的單片集成提供了一種簡(jiǎn)單且可靠的潛在方法。垂直GaN器件橫向GaNHEMT器件已廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域,包括電源適配器和數(shù)據(jù)中

LT8418: 100V Half-Bridge GaN Driver with Smart Integrated Bootstrap Switch Data Sheet adi
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT8418: 100V Half-Bridge GaN Driver with Smart Integrated Bootstrap Switch Data
發(fā)表于 01-15 18:56

ADI公司串行端口開發(fā)和故障排除指南
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-74:ADI公司串行端口開發(fā)和故障排除指南.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-07 13:48
?6次下載

貿(mào)澤電子攜手ADI與Bourns發(fā)布GaN技術(shù)電子書
共同推出了全新電子書。這本電子書深入探討了氮化鎵 (GaN) 材料在效率、性能和可持續(xù)性方面的顯著優(yōu)勢(shì),同時(shí)剖析了在發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)過程中所面臨的諸多挑戰(zhàn)。 作為半導(dǎo)體和電子元器件領(lǐng)域的佼佼者,ADI
南京國(guó)高電氣備自投 —— 技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)電力切換新時(shí)代
在電力切換技術(shù)不斷發(fā)展的今天,南京國(guó)高電氣自動(dòng)化有限公司始終站在技術(shù)創(chuàng)新的前沿,其備自投裝置以卓越的性能和先進(jìn)的技術(shù),引領(lǐng)著電力切換的新時(shí)代
CoolGaN和增強(qiáng)型GaN區(qū)別是什么
: 定義 :CoolGaN是英飛凌(Infineon)公司推出的一系列基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的產(chǎn)品品牌或系列名稱。它代表了英飛凌在GaN功率器件領(lǐng)域的
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌,引領(lǐng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)
自去年以來(lái),氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)升溫,成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過并購(gòu)GaN技術(shù)公司,加速在這一領(lǐng)域的布局,旨在強(qiáng)化
GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮,預(yù)估2030年市場(chǎng)規(guī)模將突破43億美元
隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加,氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點(diǎn)。近期,英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對(duì)GaN技術(shù)的投入不斷加大,標(biāo)志著功率

1200V GaN又有新玩家入場(chǎng),已進(jìn)入量產(chǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近,又有國(guó)內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日,宇騰科技在社交平臺(tái)上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基
文曄攜手ADI亮相第十四屆配電技術(shù)應(yīng)用大會(huì)~
智慧配電網(wǎng)是現(xiàn)代配電網(wǎng)轉(zhuǎn)型升級(jí)的重要方向。為了持續(xù)推動(dòng)配電網(wǎng)的標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)、資源協(xié)同、技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)再造。全國(guó)電力系統(tǒng)管理及其信息交換標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)將在南京市舉辦第十四屆配電技術(shù)應(yīng)用大會(huì)

格芯收購(gòu) Tagore Technology 的 GaN 技術(shù)
人工智能等技術(shù)在數(shù)字世界的不斷發(fā)展,GaN脫穎而出,成為數(shù)據(jù)中心可持續(xù)高效電源管理的關(guān)鍵解決方案。 本次公告強(qiáng)化了格芯對(duì)大
格芯強(qiáng)化GaN技術(shù)布局,收購(gòu)Tagore引領(lǐng)電源應(yīng)用新紀(jì)元
在全球半導(dǎo)體行業(yè)加速向高效能、低功耗方向邁進(jìn)的背景下,格芯(GlobalFoundries)再次展現(xiàn)其前瞻視野與戰(zhàn)略雄心,宣布成功完成對(duì)Tagore公司專有且經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵(GaN)技術(shù)
評(píng)論