文章來源：老虎說芯

原文作者：老虎說芯

本文介紹了集成電路制造中退火工藝的定義、流程和作用。

退火工藝是晶圓制造中的關鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應力、修復晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學和機械性質。這些改進對于確保晶圓在后續加工和最終應用中的性能和可靠性至關重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關重要的角色。

1. 退火工藝的定義

退火（annealing）是一種熱處理工藝，通過加熱晶圓并保持在一定溫度下，然后再緩慢冷卻，以改變材料的物理和化學性質。這個過程通常在一個專門的爐子中進行。

2. 退火工藝的目的

在晶圓制造中，退火有幾個主要目的：

a. 緩解應力

在制造過程中，晶圓會經歷多種物理和化學加工步驟（如離子注入、刻蝕和金屬沉積），這些步驟會在晶圓內部引入應力。退火通過加熱可以讓晶格重新排列，從而釋放這些應力，避免晶圓在后續加工或使用中發生斷裂或變形。

b. 修復晶格缺陷

在離子注入過程中，高能粒子會破壞晶格結構，導致缺陷和損傷。通過退火，可以使這些缺陷修復，讓原子重新排列回到晶格的正確位置，從而恢復材料的電學性能。

c. 激活摻雜

在離子注入過程中，摻雜原子被注入到晶圓表面，但它們并不立即起作用。退火過程可以使這些摻雜原子移動到正確的位置，并進入晶格中，從而激活摻雜，改變半導體的電特性。

d. 改善材料的電學和機械性質

退火可以改善半導體材料的電學性能，如降低電阻、提高載流子遷移率等。此外，它還能提高材料的機械性質，使晶圓更耐用。

3. 退火工藝的具體步驟

退火通常包括以下幾個步驟：

a. 升溫

晶圓被放入退火爐中，并逐漸加熱到預定的溫度。這個溫度一般在數百到上千攝氏度之間，具體溫度取決于材料和所需的效果。

b. 保溫

晶圓在高溫下保持一定時間，以確保材料充分反應。保溫時間從幾分鐘到幾小時不等，具體取決于工藝要求。

c. 降溫

晶圓被緩慢冷卻，通常是按照控制的速率冷卻，以防止晶圓因快速冷卻而產生新的應力或缺陷。

4. 退火工藝的類型

根據具體的需求，退火可以分為多種類型，如：

a. 快速熱退火（Rapid Thermal Annealing, RTA）

用于需要快速加熱和冷卻的工藝，適合處理短時間高溫工藝。

b. 氣氛退火

在特定氣氛（如氮氣、氫氣或惰性氣體）下進行，防止氧化或其它化學反應。

c. 激光退火

利用激光提供局部高溫，用于處理對溫度極為敏感的材料或結構。

5. 退火工藝的應用實例

離子注入后的激活退火：用于激活摻雜原子，提高半導體器件的性能。

氧化層的退火：改善氧化層的質量，提高電氣性能。

應力緩解退火：在多層金屬互連過程中，緩解因不同熱膨脹系數引起的應力。