IDM廠及IC設計廠均大動作爭搶晶圓代工產能,包括茂矽、漢磊、世界先進、新唐等MOSFET或IGBT訂單滿到年底,第三季6吋晶圓代工價格大漲10~20%,8吋晶圓代工價格亦調漲5~10%......
金氧半場效電晶體(MOSFET)及絕緣閘雙極電晶體(IGBT)等功率半導體下半年恐現缺貨潮,IDM廠及IC設計廠均大動作爭搶晶圓代工產能,包括茂矽、漢磊、世界先進、新唐等MOSFET或IGBT訂單滿到年底,第三季已確定漲價,其中6吋晶圓代工價格大漲10~20%,8吋晶圓代工價格亦調漲5~10%。
受惠于MOSFET價格調漲,帶動功率半導體晶圓代工漲價效應,茂矽及漢磊股價昨(11)日攻上漲停,世界先進及新唐亦同步大漲。法人表示,MOSFET及IGBT需求強勁,6吋及8吋晶圓代工第三季漲價,將帶動業者下半年獲利表現。
茂矽近期已發函通知客戶漲價,預計7月起依產品別調漲晶圓代工價格15~20%,高單價客戶及高售價產品優先投片,6月底未投產完畢的訂單退回并請客戶重新評估需求,重新來單則適用7月起已調漲后的晶圓代工價格。
據業界消息,茂矽通知至8月底前暫停工程實驗及新產品試產,未滿25片的非完整批暫緩投片,未滿150片的爐管最小片數亦暫時降低生產排貨等級,交期將延長。同時,茂矽亦要求客戶配合提供EPI硅晶圓且抵達廠內確定時間才開單。
漢磊昨日召開股東常會,董事長徐建華表示,人工智能、汽車電子及電動車、物聯網等都帶動功率半導體需求,漢磊旗下硅晶圓廠嘉晶產能滿到年底,旗下晶圓代工事業同樣接單滿到年底。漢磊將逐調整產品結構,擴大利基產品量產規模與提高寬能隙產品的比重,希望今年能達全年獲利的目標。
雖然徐建華不愿多談硅晶圓及晶圓代工是否漲價,僅強調漲價要考慮市場及客戶關系。但業界指出,EPI硅晶圓今年已確定逐季漲價,加上上游客戶積極爭取晶圓代工產能,在訂單滿到年底情況下,預期漢磊5吋及6吋晶圓代工價格下半年將同步漲價1成以上。
再者,新唐及世界先進亦傳出調漲第三季晶圓代工價格消息。在MOSFET訂單大舉涌入情況下,新唐6吋晶圓代工產能自去年滿載到現在,目前在手訂單也已經排單到年底,第三季價格傳出調漲1成消息。
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原文標題:MOSFET、IGBT晶圓代工第三季確定漲價,漲幅最高20%
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