可嵌入心電震發生器（Implantable Cardivoerter Defibrillators-ICD）已通用幾年了，它在世界衛生組織和各成員國的關注和支持下得以不斷的補充、完善，并成為國際公認的衛生信息標準分類。經26個國家的代表共同修訂，通過了一個包括179組死因的詳細分類和一個包含35組死因的簡略分類，這是國際疾病分類（ICD）的第一個版本。此后，每隔10年左右，由法國政府和世界衛生組織先后主持了10次對ICD的國家修訂會議，以補充和完善ICD的內容。

用電荷泵產生高電壓并把它存儲存一個大電容器上。通常，電擊（脈沖）通過一個2相脈沖傳送到心臟。圖1示出2相電震發生器系統和產生所需雙相脈沖的高壓橋的原理框圖。此應用由兩個相同的半橋組成，每個半橋有兩個開關，一個連接地、一個連接高電壓。隔離柵雙極晶體管（IGBT）最常用做開關元件，因為IGBT具有最小的導通電阻及硅面積。高端IGBT需要一個柵極電壓，此電壓比開關電壓高10～15V。通常用一個變壓器進行高壓控制器和開關之間的電平變換。圖2示出一個橋所需元件的原理框圖。

采用變壓器有明顯的缺點：

1.分選來自不同廠家的分立元件，使制造變復雜并增加成本。

2.變壓器體積大而且在生產中難以控制，這導致可靠性降低。

MED427 高電壓半橋

Microsemi公司開發了一款高電壓半橋模件（見圖3），用于甚低功率、低電壓應用，在這些應用中空間大小和靜態電流是主要的關心點。這種模件為低速和低占空因數高電壓開關應提供了一種完整的解決方案。

特性

高電壓半橋模件的主要特性有：

·低電壓接口；可直接從CMOS電平控制器芯片（邏輯電平輸入）控制該橋。

·完全集成了半橋所需的所有元件。

·BGA（球式柵格陣列）MCM（多芯片模件）封裝的小尺寸。

·甚低的靜態電流（50nA典型值）

技術

·為了達到最小可能的尺寸和靜態電流，Microsemi開發出一些新的關鍵技術：

·低柵極電荷IGBT。低柵極電荷使得可用較小值的隔離/電荷變換電容器。

工作原理

HI_NE引腳使能LC1中的高頻振蕩器。此振蕩器輸出經電平變換到IGBT柵驅動電壓（VDD）并驅動隔離和電荷轉換電容器。電容器的另一端連接到IC2，在IC2中對時鐘信號整流以產生柵發射極電壓。IC2也有一個開關，當沒有時鐘信號時此開關使IGBT柵極到發射極短路（見圖4）。圖5的仿真的結果示出所得到的半橋輸出，IGBT柵-發射極電壓和到IC2的時鐘輸入的結果。

結語

大量研究表明，ICD植入要較藥物治療有效得多。ICD的外觀與起搏器類似，植入的部位也基本相同，但ICD要較常規的起搏器大。通常，ICD只有一條電極導線（植入右心室）。ICD可以隨時檢測出并判斷患者所發生的嚴重室性心律失常的類型并給予不同的處理，從而達到終止心律失常、挽救患者生命的目的。這項目的研究就是為了更加快捷和安全的去挽救病人的生命，醫學在科技的帶領下更加安全。