Intel量產(chǎn)32nm工藝技術(shù)的回顧
到了今年Q4季度，Intel就正式量產(chǎn)32nm工藝了，2009年的時(shí)候Intel在CPU處理器架構(gòu)及工藝上還是很無敵的，08年推出的Nehalem一舉奠定了未來幾年的基礎(chǔ)，友商那時(shí)候完全沒有還手之力。
Intel最早在2007年首次展示了32nm工藝，2009年Q4季度開始量產(chǎn)，最早的一批產(chǎn)品是Clarkdale系列的酷睿i3/i5，2010年Q1季度還有高端的Gulftown系列，比如i7-980X等，下半年還有更主流的酷睿i7-970。
與之前的45nm工藝相比，32nm工藝優(yōu)點(diǎn)多多，首次使用HKMG材料，大幅提升了性能，SRAM面積從45nm的0.346um2減少到了0.171um2，晶體管密度提升帶7MTr/mm2，晶體管性能提升22%。
當(dāng)然，與現(xiàn)在Intel最先進(jìn)的10nm工藝相比，其晶體管密度可達(dá)100MTr/mm2，比32nm工藝提升了10倍多，SRAM面積也縮小到了0.032um2，提升了5倍多。
值得一提的是，現(xiàn)在的酷睿處理器命名也差不多是32nm時(shí)代的酷睿處理器的10倍——酷睿i9-9900K/i7-9700K vs酷睿i7-970/980X。
不過更有意思的是，網(wǎng)友還對比了十年來處理器的單核性能，酷睿i7-970頻率3.5GHz，GK4單核得分約為606分，而酷睿i9-9900K頻率5GHz，單核得分1334分，10年來單核性能提升了一倍多點(diǎn)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
19409瀏覽量
231190 -
cpu
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
10904瀏覽量
213027 -
intel
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3483瀏覽量
186442
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
ALD和ALE核心工藝技術(shù)對比
ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù)，它們分別從沉積和刻蝕兩個(gè)維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補(bǔ)又相輔相成，未來在半導(dǎo)體、光子學(xué)、能源等領(lǐng)域的聯(lián)用將顯著加速
創(chuàng)飛芯90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產(chǎn)
一站式 NVM 存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯（CFX）今日宣布，其反熔絲一次性可編程（OTP）技術(shù)繼 2021年在國內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，2024 年在國內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm BCD 工
臺(tái)積電2nm工藝將量產(chǎn)，蘋果iPhone成首批受益者
近日，據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體領(lǐng)域的制程競爭正在愈演愈烈，臺(tái)積電計(jì)劃在明年大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝制程。這一消息無疑為整個(gè)行業(yè)注入了新的活力。 早前，有傳言稱臺(tái)積電將使用其2nm節(jié)點(diǎn)來制造蘋果的
安森美推出基于BCD工藝技術(shù)的Treo平臺(tái)
近日，安森美（onsemi，納斯達(dá)克股票代號：ON）宣布推出Treo平臺(tái)，這是一個(gè)采用先進(jìn)的65nm節(jié)點(diǎn)的BCD（Bipolar–CMOS-DMOS）工藝技術(shù)構(gòu)建的模擬和混合信號平臺(tái)。該平臺(tái)為安森美
雙極型工藝制程技術(shù)簡介
本章主要介紹了集成電路是如何從雙極型工藝技術(shù)一步一步發(fā)展到CMOS 工藝技術(shù)以及為了適應(yīng)不斷變化的應(yīng)用需求發(fā)展出特色工藝技術(shù)的。
概倫電子NanoSpice通過三星代工廠3/4nm工藝技術(shù)認(rèn)證
概倫電子(股票代碼：688206.SH)近日宣布其新一代大容量、高性能并行SPICE仿真器NanoSpice通過三星代工廠3/4nm工藝技術(shù)認(rèn)證，滿足雙方共同客戶對高精度、大容量和高性能的高端電路仿真需求。
英特爾3nm制程工藝“Intel 3”投入大批量生產(chǎn)
據(jù)外媒最新報(bào)道，全球知名的處理器大廠英特爾在周三宣布了一個(gè)重要的里程碑：其先進(jìn)的3nm級制程工藝技術(shù)“Intel 3”已在兩個(gè)工廠正式投入大批量生產(chǎn)。這一技術(shù)的突破，無疑將為英特爾在超
三星電子澄清：3nm芯片并非更名2nm，下半年將量產(chǎn)
李時(shí)榮聲稱，“客戶對代工企業(yè)的產(chǎn)品競爭力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴(yán)格要求，而4nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3nm工藝及明年2nm
CMOS工藝技術(shù)的概念、發(fā)展歷程、優(yōu)點(diǎn)以及應(yīng)用場景介紹
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor， 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝技術(shù)是當(dāng)今集成電路制造的主流技術(shù)，99% 的 IC 芯片，包括大多數(shù)數(shù)字、模擬和混合信號IC，都是使用 CMOS 技術(shù)
是德科技攜手Intel Foundry成功驗(yàn)證支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件
是德科技與Intel Foundry的這次合作，無疑在半導(dǎo)體和集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域引起了廣泛的關(guān)注。雙方成功驗(yàn)證了支持Intel 18A工藝技術(shù)的電磁仿真軟件，為設(shè)計(jì)工程師們提供了更加先進(jìn)和高效的設(shè)計(jì)工具。
是德科技與Intel Foundry成功驗(yàn)證支持Intel 18A工藝的電磁仿真軟件
設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在可以使用 RFPro 對 Intel 18A 半導(dǎo)體工藝技術(shù)中的電路進(jìn)行電磁仿真
Cadence數(shù)字和定制/模擬流程通過Intel 18A工藝技術(shù)認(rèn)證
Cadence近日宣布，其數(shù)字和定制/模擬流程在Intel的18A工藝技術(shù)上成功通過認(rèn)證。這一里程碑式的成就意味著Cadence的設(shè)計(jì)IP將全面支持Intel的代工廠在這一關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上的工作，并提
MEMS封裝中的封帽工藝技術(shù)
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽?？偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了
三星與Arm攜手，運(yùn)用GAA工藝技術(shù)提升下一代Cortex-X CPU性能
三星繼續(xù)推進(jìn)工藝技術(shù)的進(jìn)步，近年來首次量產(chǎn)了基于2022年GAA技術(shù)的3nm MBCFET ? 。GAA技術(shù)不僅能夠大幅減小設(shè)備尺寸，降低供
工商網(wǎng)監(jiān)
評論