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臺積電和三星角逐7納米以下先進(jìn)工藝代工戰(zhàn)場

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:cg ? 2018-12-21 10:55 ? 次閱讀

目前來看,在資本與技術(shù)拉高進(jìn)入門檻下,GlobalFoundries(GF)退場、代工并非本業(yè)的英特爾則放棄代工業(yè)務(wù),7納米以下先進(jìn)工藝代工戰(zhàn)場已成為臺積電、三星晶圓代工雙雄對戰(zhàn)競況。

近日市場再度傳出英特爾(Intel)將退出晶圓代工市場,重新專注自家研發(fā)與制造事業(yè)。對此,半導(dǎo)體業(yè)者則表示,英特爾先前雖大張旗鼓進(jìn)軍代工領(lǐng)域,但實(shí)際上,并無大客戶且訂單規(guī)模尚小,近年晶圓代工業(yè)務(wù)已名存實(shí)亡,接單實(shí)力與專注代工的對手群差甚大。

因此嚴(yán)格來說,英特爾雖投入晶圓代工多時(shí),但并未真正專注且與三星電子(Samsung Electronics)、臺積電同場較勁,英特爾退出晶圓代工與否,對于自身產(chǎn)能調(diào)配及整體代工競況影響甚小,且放棄了不賺錢且分心的代工事業(yè),在10納米以下先進(jìn)工藝中,英特爾或可專注重新站穩(wěn)工藝領(lǐng)先地位。

事實(shí)上,英特爾投入多年的晶圓代工業(yè)務(wù),近2年來已不斷傳出棄守消息,但英特爾對于市場傳聞均未有所回應(yīng)。進(jìn)一步觀察英特爾代工事業(yè)推展,自2010年全面進(jìn)軍晶圓代工市場以來,英特爾在訂單及客戶爭取上并未見顯著斬獲。

雖在2017年技術(shù)及制造大會(Technology and Manufacturing Day)上,英特爾再次強(qiáng)調(diào)將協(xié)助客戶借由設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝及測試等統(tǒng)包式服務(wù)(turnkey services),取得英特爾的技術(shù)與制造資源,并在22、14及10納米FinFET制程,開發(fā)出各種全功能設(shè)計(jì)平臺,提供客戶前所未有的效能與電源效益組合,但迄今依舊是未見效益顯現(xiàn)。

當(dāng)中,英特爾代工業(yè)務(wù)就陸續(xù)揭露多家客戶合作消息,包括樂金電子(LG Electronics)會以英特爾10納米設(shè)計(jì)平臺為基礎(chǔ),打造世界級的行動平臺,而展訊也采用英特爾的14納米晶圓鑄造平臺設(shè)計(jì)產(chǎn)品Achronix則采用英特爾22納米Speedster 22i HD1000網(wǎng)絡(luò)芯片生產(chǎn)自家產(chǎn)品。

而隨著英特爾10納米工藝延遲,連英特爾自身新舊平臺轉(zhuǎn)換都受到嚴(yán)重沖擊,對于客戶而言,英特爾工藝轉(zhuǎn)換與產(chǎn)能調(diào)配大亂,恐將影響自家產(chǎn)品量產(chǎn)時(shí)程,因此已不會選擇下單英特爾,就以樂金來看,其行動平臺藍(lán)圖就受到英特爾10納米工藝推遲影響。

半導(dǎo)體業(yè)者對于英特爾傳將棄守晶圓代工市場均表示并不意外,且認(rèn)為英特爾并未真正進(jìn)入晶圓代工市場,其實(shí)也不算退場。業(yè)者進(jìn)一步認(rèn)為,英特爾當(dāng)年搶進(jìn)晶圓代工市場,首要目標(biāo)其實(shí)應(yīng)不是要與臺積電、三星等晶圓代工大廠搶生意,主要還是考慮產(chǎn)能調(diào)配最佳化。

進(jìn)一步來看,英特爾一直以來保持工業(yè)技術(shù)領(lǐng)先,在14納米工藝世代之前,與對手一直保持2~3個(gè)世代差距,但其實(shí)欲進(jìn)入全新先進(jìn)工藝世代,光是興建新廠與購置設(shè)備,往往要耗資數(shù)十億美元,全面投入工藝研發(fā)后,人力與資金規(guī)模亦相當(dāng)可觀,保持工藝領(lǐng)先的代價(jià)十分驚人,因此,為能填補(bǔ)產(chǎn)能,拉高各制程產(chǎn)能利用率,進(jìn)而提升獲利,英特爾遂決定分身投入晶圓代工市場。

然而,英特爾進(jìn)軍晶圓代工市場,成效并不佳,除了臺積電就穩(wěn)取逾5成市占,三星、GF等晶圓代工大廠也全力固守自身版圖外,英特爾代工報(bào)價(jià)偏高,且在整體供應(yīng)鏈服務(wù)上不及臺積電、三星等對手亦是原因所在。

而始料未及的是,英特爾近2年10納米工藝嚴(yán)重推遲,直至2019年底才會面市,自身14、22納米產(chǎn)能需求吃緊,英特爾更無暇顧及代工訂單,也因此,英特爾放棄晶圓代工,業(yè)界并不意外。

另值得一提的是,英特爾2017年3月舉行技術(shù)及制造大會,英特爾負(fù)責(zé)制造營運(yùn)及業(yè)務(wù)的執(zhí)行副總裁Stacy Smith于會中不僅宣布10納米Cannon Lake處理器將在2017年下半開始量產(chǎn),亦說明最新客制化晶圓代工(custom foundry)策略,會以14納米及10納米全力搶進(jìn)晶圓代工市場。

但原是下任執(zhí)行長熱門人選的Stacy Smith卻突然在2018年初轉(zhuǎn)戰(zhàn)東芝任職,離職原因雖說是退休,但由其在2017年技術(shù)及制造大會上所宣布的2大承諾均跳票,也顯見英特爾的制造業(yè)務(wù)正面臨前所未有的卡關(guān)危機(jī),連本業(yè)都顧不好,更難同時(shí)發(fā)展代工事業(yè)。

半導(dǎo)體業(yè)者表示,晶圓代工競況就是資本競賽,如GlobalFoundries不堪巨額投資,先前就宣布擱置7納米工藝推進(jìn)計(jì)劃,全面聚焦現(xiàn)有12納米及14納米工藝技術(shù),而英特爾比較不同,其是自身10納米工藝出現(xiàn)問題,新舊工藝產(chǎn)能調(diào)配大亂,供不應(yīng)求下,當(dāng)然先顧本業(yè),無力在代工事業(yè)有所發(fā)展,當(dāng)然其原本就不具代工優(yōu)勢,報(bào)價(jià)與服務(wù)均不及對手群也是原因所在。

目前臺積電在2018年第2季就搶先進(jìn)入7納米世代,至年底設(shè)計(jì)定案(Tape out)逾50個(gè),7納米EUV工藝也準(zhǔn)備就緒,5納米將在2019年第2季如期進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2020年正式量產(chǎn),南科廠區(qū)已開始移入機(jī)臺,而下世代3納米工藝則進(jìn)入環(huán)評階段,另外,臺積電也再度重啟布局供需吃緊的8寸工藝。

對比之下,三星先前雖大動作宣布最新工藝大計(jì),將直接推出采用EUV技術(shù)的7納米LPP工藝,現(xiàn)已研發(fā)完成,將進(jìn)入商用化階段,不過,除三星自身產(chǎn)品外,并未見重要客戶大單落袋,目前蘋果2019年A13芯片仍是委由臺積電獨(dú)家代工。

盡管國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會日前公布全球晶圓廠預(yù)測報(bào)告,受到存儲器價(jià)格崩跌與美中貿(mào)易戰(zhàn)等影響,2019年全球晶圓廠設(shè)備投資金額預(yù)將由原先預(yù)估的年成長7%,下修15個(gè)百分點(diǎn)至年衰退8%,而***地區(qū)則是在臺積電積極布建5納米晶圓廠帶動下,***地區(qū)2019年晶圓廠支出金額將逆勢出現(xiàn)24%年成長率表現(xiàn)。

對比之下,受到NAND Flash價(jià)格下跌、DRAM價(jià)格近期也出現(xiàn)松動等影響,連2年的 DRAM 盛世將結(jié)束,存儲器業(yè)者快速反應(yīng)市場情況,并減少資本支出,并暫緩所有已訂購設(shè)備出貨,使得2019年整體存儲器資本支出將年減19%,當(dāng)中,韓國存儲器雙雄三星及SK海力士大砍資本支出為2019年全球晶圓廠設(shè)備投資金額大減的重要關(guān)鍵所在。

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原文標(biāo)題:【IC制造】7納米以下燒錢大戰(zhàn) 臺積電暫領(lǐng)先三星

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