去年，SK海力士設(shè)備總投資達(dá)17萬億韓元（約合151億美元），預(yù)計2019年設(shè)備投資與去年相比減少40％。

由于中美貿(mào)易爭端和全球IT行業(yè)放緩的影響，今年內(nèi)存半導(dǎo)體市場預(yù)計將“冷淡”，SK海力士已經(jīng)開始減少資本支出。該公司計劃在服務(wù)器、NAND閃存及DRAM需求和價格下降的情況下靈活應(yīng)對市場狀況。

DRAM價格下降11%，NAND價格下降21%

隨著2018下半年內(nèi)存需求放緩，供應(yīng)短缺得到解決，內(nèi)存市場環(huán)境迅速變化。因此，SK海力士第四季度合并收入環(huán)比下降13％至9.94萬億韓元(約合88億美元），營業(yè)利潤為4.43萬億韓元（約合39億美元），環(huán)比下降32％，營業(yè)利潤率為45％。本季度凈收入環(huán)比下降28％至3.4萬億韓元。

圖：2018年Q4季度SK海力士營收分析。 來源：SK海力士18Q4季財報

與上一季度相比，DRAM位出貨量下降2％，平均銷售價格下降11％。對于NAND Flash，比特礦機(jī)芯片出貨量增加了10％，但平均售價下降了21％。

SK海力士計劃專注于高附加值產(chǎn)品和技術(shù)，以應(yīng)對瞬息萬變的市場環(huán)境。并將擴(kuò)大其16Gb DDR4產(chǎn)品的客戶群，以增加服務(wù)器客戶對高密度DRAM模塊的采用。它還將積極響應(yīng)客戶對具有高增長潛力的HBM2和GDDR6產(chǎn)品的需求。為了專注于技術(shù)遷移，計劃擴(kuò)大1Xnm DRAM的比例，并確保1Ynm DRAM的穩(wěn)定批量生產(chǎn)。

對于NAND Flash，SK海力士計劃基于其72層3D NAND進(jìn)一步鞏固其在企業(yè)SSD和移動市場中的地位，同時通過在適當(dāng)時間大規(guī)模生產(chǎn)96層4D NAND來最大化盈利能力。

去年設(shè)備投資達(dá)17萬億韓元，今年減少投資40％

同時，SK海力士表示，“我們計劃在2019年將設(shè)備投資與去年相比減少40％，”該公司在2018年第四季度的電話會議上表示。

2018年的總設(shè)備投資約為17萬億韓元，藉由M15新工廠竣工和中國無錫工廠擴(kuò)建的投資。然而，由于從2018年4季度開始感受到內(nèi)存市場整體疲軟，SK海力士還在考慮通過減少投資規(guī)模來“收緊管理”。

此外，從其發(fā)布的財報數(shù)據(jù)顯示，SK海力士2018財年實現(xiàn)總銷售額40.444萬億韓元（約合360億美元），營業(yè)利潤20.084萬億韓元（約合179億美元），同比增長34.3％和51.9％。但是，如果從去年第四季度看，營業(yè)利潤環(huán)比下降至314.1％，環(huán)比下降31.6％。

另外，SK海力士高層表示，“我們不會減少研發(fā)（R＆D）的投資，因為它將成為公司未來市場增長的引擎，相反，我們將繼續(xù)建設(shè)新的IFC M16晶圓廠。”SK海力士預(yù)計2018年第四季度內(nèi)存市場需求將放緩，價格下跌將持續(xù)至2019年上半年。