SK海力士跨向1ynm內存時代 提高DRAM內存芯片產能
SK海力士近日宣布，將在提高第一代10nm級工藝（1xnm） DRAM內存芯片產能的同時，今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝（1ynm）的內存芯片，并為下代內存做好準備。SK海力士首款1ynm工藝產品將是8Gb DDR4-3200芯片，號稱相比1xnm工藝可將尺寸縮小20％，并將功耗降低15％。
此外，這顆新的芯片還具備四相時鐘機制，有利于提高信號強度、維持高頻穩定性，并支持感應放大控制技術（SAC），有利于減少晶體管尺寸縮小時可能出現的數據錯誤。
有消息稱，SK海力士還會用1ynm工藝制造DDR5、LPDDR5、GDDR6內存芯片，所以盡早部署并量產非常關鍵。
其實，SK海力士是內存三巨頭中最后一家大規模上1ynm工藝的，三星、美光去年就用上了。
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