不出預(yù)料，三星（Samsung）在“Samsung晶圓代工論壇2019”以3nm產(chǎn)品為主打，最新的MBCFET架構(gòu)成為眾所矚目焦點(diǎn)，此產(chǎn)品將在2019年最新建成的華城EUV專(zhuān)線(xiàn)上生產(chǎn)。除了最進(jìn)階的技術(shù)值得關(guān)注外，Samsung也提到2019年將順利推出18FDS服務(wù)以進(jìn)軍eMRAM市場(chǎng)。

Samsung號(hào)稱(chēng)2021年將以3nm超越對(duì)手

Samsung Electronics在美國(guó)硅谷的Samsung Foundry Forum 2019上，搶先臺(tái)積電揭露自家最先進(jìn)3nm制程技術(shù)路線(xiàn)，相較于2019年量產(chǎn)的7nm，3GAE可望進(jìn)一步提升35%性能、降低50%功耗、減少45%面積。

事實(shí)上，Samsung與臺(tái)積電一直把對(duì)方視為最主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，2019上半年更愈演愈烈，除在4～5月間相繼發(fā)布7/6/5nm進(jìn)程，連未來(lái)技術(shù)的發(fā)布時(shí)間都可以成為比拼項(xiàng)目，Samsung此次率先發(fā)布自家3nm進(jìn)度，更號(hào)稱(chēng)能快于臺(tái)積電、Intel之前量產(chǎn)，估計(jì)臺(tái)積電很快就會(huì)做出回應(yīng)。

華城EUV專(zhuān)線(xiàn)成Samsung第6條晶圓代工產(chǎn)線(xiàn)

自7nm開(kāi)始，EUV光刻的投資成為臺(tái)積電、Samsung每年編列資本支出時(shí)最重要的考量環(huán)節(jié)，Samsung投資13億美元于華城EUV專(zhuān)線(xiàn)，在2019年第二季建設(shè)完成后將逐步移入機(jī)臺(tái)，據(jù)Samsung官方資訊，2019年Samsung將有6條晶圓代工產(chǎn)線(xiàn)，以2條封測(cè)代工產(chǎn)線(xiàn)（分別位于蘇州及安陽(yáng)）為全球芯片客戶(hù)服務(wù)。

▲Samsung 2019年晶圓代工產(chǎn)線(xiàn)。

Samsung押寶18FDS值得關(guān)注

雖然不及3nm產(chǎn)品線(xiàn)搶眼，Samsung依然特別提到其18FDS有望于2019年取得不錯(cuò)進(jìn)展。事實(shí)上，晶圓代工廠商當(dāng)中最大力推廣FD-SOI平臺(tái)的廠商當(dāng)屬Globalfoundries，不過(guò)該平臺(tái)鎖定的12～28nm市場(chǎng)已被臺(tái)積電等廠商以成熟的FinFET、HKMG等相關(guān)產(chǎn)品把持，F(xiàn)D-SOI技術(shù)因苦于市場(chǎng)規(guī)模不足無(wú)法達(dá)到合適的經(jīng)濟(jì)效益，此一現(xiàn)象間接導(dǎo)致獨(dú)壓此平臺(tái)的Globalfoundries在晶圓代工市場(chǎng)節(jié)節(jié)敗退。

而Samsung身為同時(shí)布局FinFET、FD-SOI兩技術(shù)的代表性晶圓代工廠商，其18/28FDS的未來(lái)走向自然值得觀察，期望5G生態(tài)系養(yǎng)成后所需的低功耗芯片市場(chǎng)，能為FD-SOI平臺(tái)帶來(lái)及時(shí)雨。