消費和企業需求推動物聯網(IoT)和機器對機器(M2M)通信的激增。預計到2021年,月數據流量將超過50EB,加之新技術如自動駕駛車輛的需求,及虛擬實境要求下一代蜂窩網絡不僅增速20倍,還減少等待時間。把所有的一切聯接到因特網將需要5G基站以匹配射頻和物理層協議,使用更寬的頻率范圍、多個功率等級、空間復用和波束形成。
安森美半導體提供各種器件用于這些網絡基站的射頻(RF)前端,如用于氮化鎵(GaN)系統的NLHV4157N,通過GaN晶體管與接地點之間的負電壓和信號交換放電。在需要在兩種不同電路之間開關的應用中,NLHV1T0434 MiniGate?高壓RF天線開關驅動器,提供電平位移,最大輸出電壓VoutMAX 60V,同時具有反相輸出和非反相輸出。我們的工業級EEPROM+陣容中,N34TS108數字輸出溫度傳感器提供優化的溫度控制,而不需要由控制器或應用處理器頻繁的讀取溫度讀數。NCS21xR系列精密運放用于電流檢測應用,可在共模電壓?0.3V到26V測量分流器電壓,在寬溫度范圍下具有低偏移量和零漂移。
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原文標題:用于5G基站射頻前端的半導體方案
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