2010 年起因為從2G 進入3G 時代(2010~2013) ,帶動智能移動設(shè)備高速起飛,帶動了射頻前端代工廠商業(yè)績騰飛。但是2013后因為有Si制程的PA 高性價比的替代品出現(xiàn)(CMOS PA/MMPA) ,使得出現(xiàn)產(chǎn)業(yè)替代危機。

但到了2013年后，壓抑產(chǎn)業(yè)的不利因子逐漸消失淡化(因為高通與Skyworks推出Si制程MMPA , CMOS PA , 主打高性價比策略) 。緊接著，時代潮流轉(zhuǎn)進高頻多頻帶無線通訊后(eg 4G) , 不管是高中低階, 4G手機滲透率開始起飛,更有利的是所需PA元件用料從以往3G的3~5顆,4G要變多到4~6顆,其他像是WIFI 11.ac ,基站的射頻模組等等也是需要多加用料。這就增長了對射頻器件的需求。

由于3-5族的元件物理特性遠優(yōu)于Si制程元件(低耗、體積小、放大效率佳、高頻線性度佳等等) , 故風水轉(zhuǎn)回3-5族元件，這就讓相關(guān)的產(chǎn)業(yè)鏈廠商大放異彩。其中砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋就是最大的受益者。

穩(wěn)懋：全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭

穩(wěn)懋成立于1999年10月，是亞洲首座以六吋晶圓生產(chǎn)砷化鎵微波通訊晶片的晶圓制造商，自2010年為全球最大砷化鎵晶圓代工廠。

公司主要從事砷化鎵微波集成電路 (GaAs MMIC)晶圓之代工業(yè)務(wù)，提供HBT、pHEMT微波集成電路/離散元件與后端制程的晶圓代工服務(wù)，應(yīng)用于高功率基地臺、低雜訊放大器(LNA）、射頻切換器(RF Switch)、手機及無線區(qū)域網(wǎng)路用功率放大器 ( PA )與雷達系統(tǒng)上。

砷化鎵電晶體制程技術(shù)分為三類：

A.異質(zhì)接面雙極性電晶體(HBT)

B.應(yīng)變式異質(zhì)接面高遷移率電晶體(pHEMT)

C.金屬半導(dǎo)體場效電晶體(MESFET)。

公司所提供是HBT和pHEMT，頻譜范圍由1GHz到100GHz，滿足低頻到高頻應(yīng)用。

射頻模組中的各電路產(chǎn)品中，功率放大器(PA)系以HBT來設(shè)計，而微波開關(guān)器(RF switch)則利用D-mode pHEMT來設(shè)計。

公司領(lǐng)先全球研發(fā)于六吋砷化鎵基板，同時制作二種以上高效能之元件，以整合晶片制程上之技術(shù)，并縮小射頻模組電路面積、降低成本。公司在0.25微米的pHEMT制程擁有領(lǐng)先技術(shù)，在制程縮微方面，也已經(jīng)切入0.1微米領(lǐng)域，高階制程持續(xù)領(lǐng)先同業(yè)。

穩(wěn)懋為全球第一大砷化鎵晶圓代工廠,制程與技術(shù)都自行開發(fā)而非客戶技轉(zhuǎn)( 宏捷科由Skyworks 技轉(zhuǎn)) ,全球產(chǎn)生量市占率約20% ,代工市場市占率50% 以上,目前月產(chǎn)能約24000 片。產(chǎn)品應(yīng)用為手機相關(guān)營收50-55 %, WiFi 比重30-35 %,利基型產(chǎn)品(Infrastructure) 15-20 %。另外, HBT 用于手機PA ,營收占比60-70 %, PHEMT 主要用于switch ,營收占比20-30 %, BiHEMT 用于利基型產(chǎn)品例如IOT ,營收占比小于5 %。客戶包含Avago( 營收占比約30%~40% 為最大客戶) 、Skyworks 、RFMD 、Anadigics 、Murata 等國際大廠與中國白牌手機供應(yīng)商RDA 。

2013 年度砷化鎵元件市場( 含IDM) 總產(chǎn)值為64.7E 美元,較2012 年成長11% ,其中穩(wěn)懋產(chǎn)值市占率為5.4% 排行第五。

2013 年代工市場規(guī)模為5.65E 美元,其中穩(wěn)懋市占率為62.4% ,為全球大一大砷化鎵晶圓代工廠商。

拜產(chǎn)線多樣化與產(chǎn)品組合優(yōu)化外,該公司毛利率穩(wěn)定維持在30~35% 左右,營業(yè)利益率與凈利率也尚屬平穩(wěn)。

2016年，公司宣布跨入光通訊市場，并自建EPI，主要提供美國、日本、加拿大客戶客制化一條龍生產(chǎn)服務(wù)，包括磊晶、二次磊晶及光電元件制造，材料及元件特性描述、測試服務(wù)；其中，磊晶與光電制造能力可供2、4吋的磷化銦基板使用。

競爭者狀況:

根據(jù)Strategy Analytics之研究報告，2015年全球砷化鎵元件市場(含IDM 廠之組件產(chǎn)值)總產(chǎn)值約為81.2億美元，較2014年之74.3億美元成長9.3%。

以整體市場來看，穩(wěn)懋的市占率為4.7%，僅次于skyworks、Qorvo與Avago等IDM大廠，若以晶圓代工市場來看，穩(wěn)懋市占率為58.2%，穩(wěn)居首位，宏捷科以約21%的市占率居于第二。

觀察穩(wěn)懋與同業(yè)宏捷科的競爭關(guān)系，第一：宏捷科是Skyworks技術(shù)轉(zhuǎn)移，并且從中獲得主要訂單，這也造就宏捷科2014-2015年因為蘋果Iphone熱賣而大幅成長，往后成長率又迅速回落的狀況，而且Skyworks也有自有產(chǎn)能需消化的要素在內(nèi)。

而穩(wěn)懋技術(shù)屬于自有，除了與Avago擁有穩(wěn)定的合作關(guān)系外，客戶分布狀況也較平均，抽單風險較為分散。

除了宏捷科之外，中國的競爭者也虎視眈眈，例如在LED產(chǎn)業(yè)崛起的三安光電有意進入砷化鎵產(chǎn)業(yè)，因為制程學(xué)習需求與廠商合作關(guān)系中國***廠仍具有領(lǐng)先優(yōu)勢，但如果藉由并購公司，或是之前傳出穩(wěn)懋工程師出賣商業(yè)機密等方式，中國廠商有可能縮短技術(shù)的差距，需要觀察相關(guān)動態(tài)。

砷化鎵產(chǎn)業(yè)的功率放大器PA是最要的營收來源，那么是否有新技術(shù)能夠取代之將會是左右產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵，半導(dǎo)體CMOS制程的PA即與穩(wěn)懋的GaAs制程不同，擁有價格較低、產(chǎn)能穩(wěn)定的優(yōu)點，但受限于物理特性無法取代。

2014年高通(Qualcomm)并購CMOS PA供應(yīng)商Black Sand，為其RF360方案補強，一度引起市場討論，但在2016初宣布轉(zhuǎn)回砷化鎵制程，并預(yù)計于2017年開始尋找代工廠，一來受益代工廠如穩(wěn)懋及宏捷科，一來也展現(xiàn)對于砷化鎵制程暫時仍難以取代之。

日前高通在這塊有了新的進展，他們宣布與TDK合資，在新加坡設(shè)立了新公司「RF360 Holdings Singapore」，該信公司中，高通占有51%的股份，而TDK占49%。高通計劃在未來的新公司中持續(xù)投入30億美金。TDK旗下從事射頻模組業(yè)務(wù)的子公司EPCOS，會將部分業(yè)務(wù)分拆出來成立「RF360」。

由于高通計劃在2017年推出新的砷化鎵PA，市場預(yù)期，今年會開始尋找合適代工廠，最快年底就會有樣品，明年就能上市。

RF360之前是由臺積電八寸廠制造，再搭配自家手機晶片出貨。

相較高通推出自家PA等RF元件，競爭對手聯(lián)發(fā)科則是采合作方式，在手機公板上認證Skyworks、Avago、RFMD及天津的唯捷創(chuàng)芯(Vanchip)的元件，避免周邊零組件供應(yīng)出現(xiàn)長短腳現(xiàn)象。

這次高通RF元件策略轉(zhuǎn)向砷化鎵制程，將使得宏捷科、穩(wěn)懋等代工廠有機會受益，至于對臺積電的影響則有待觀察。

高通CEO Steve Mollenkopf回應(yīng)時表示，與TDK合作推出的「gallium arsenide PAs」（即砷化鎵PA）將于2017年生產(chǎn)，這是一個比較合適的時間點，屆時會再尋找合適的應(yīng)用市場。

穩(wěn)懋在產(chǎn)業(yè)中具有龍頭地位，同時在技術(shù)與客戶關(guān)系上都處于領(lǐng)先狀況，產(chǎn)業(yè)整體狀況4G智慧型手機高速成長期已過，在下一波風潮來之前會處于較為低迷，在IoT與5G時代到臨的前提之下，砷化鎵市場的成長前景依然穩(wěn)健，端視穩(wěn)懋是否能維持其競爭能力。

但是穩(wěn)懋具有可持續(xù)的競爭優(yōu)勢: 除了無線通訊/ 光通訊/ 衛(wèi)星通訊下的產(chǎn)業(yè)順風車外,其戰(zhàn)略位置也相對重要,因為國際砷化鎵產(chǎn)業(yè)IDM 大廠近年來已不再擴張產(chǎn)能,為了節(jié)省資本資出,晶圓的業(yè)務(wù)都釋出給專業(yè)的代工廠如穩(wěn)懋、宏捷科等等,專注在技術(shù)研發(fā)業(yè)務(wù)上。加上穩(wěn)懋的技術(shù)都是自行研發(fā),并不像宏捷科是由IDM 大廠(Skyworks) 技轉(zhuǎn),研發(fā)能量與營運風險相對穩(wěn)健。

加上4G 的成長率與滲透率皆樂觀看待,另根據(jù)Skyworks 估計, WiFi 相關(guān)終端應(yīng)用從2012~2016 復(fù)合成長率為20% ,其中較高規(guī)格之802.11ac(5GHz 須使用3-5 族元件) 在2013~2016 之復(fù)合成長率為400% ,到2020 全球搭載WiFi 之終端產(chǎn)品數(shù)量將達700 億。砷化鎵還是大有可為。