半導體二極管又稱為晶體二極管，具有明顯的單向導電性，是各種電器設備中應用較為廣泛的一種半導體元器件，也是日常維修中經常碰到的—種元器件，常見的有普通二極管、穩壓二極管、發光二極管、光敏二極管等。熟練掌握各種二極管的檢測是初學者必需的技能。

1.普通二極管的檢測

（1）小功率鍺二極管的正向電阻為300Ω～500Ω，硅工極管為lkΩ或更大些。鍺二極管的反向電阻為幾十干歐，硅二極管的反向電阻在500kΩ以上（大功率的其值要小些）。

（2）根據二極管的正向電阻小，反向電阻大的特點可判斷二極管的極性。將萬用表撥到歐姆擋（—般用R×100或R×1k擋、不要用R×1擋或R×10k擋。因為R×1擋使用電流太大，容易燒毀管子；而R×10k擋使用的電壓太高，可能擊穿管子）。用表筆分別與二極管的兩極性相連，測出兩阻值，在所測得阻值較小的一次，與黑表筆相連的一端即為二極管的正極。同理，在所測得阻值較大的一次，與黑表筆相接的一端為二極管的負極。如果測得的反向電阻很小，說明二極管內部短路；若正向電阻很大，則說明管子內部斷路。在這兩種情況下二極管就需報廢。

（3）硅二極管一般正向壓降為0.6V～0.7V，鍺二極管的正向壓降為0.IV～0.3V，所以測量一下二極管的正向導通電壓，便可判斷被測二極管是硅管還是鍺管，其方法是在干電池的—端串一個電阻（lkΩ），同時按極性與二極管相接，使二極管正向導通，這時用萬用表測量二極管兩端的管壓降，如果是0，6V～0.7V即為硅管濁口為0，IV～0，3V即為鍺管；若用在路動態測量則更為方便。

2.穩壓二極管的測量

（1）一般使用萬用表的低阻擋測量穩壓二極管，由于表內電池為⒈5V，這個電壓不足以使穩壓二極管反向擊穿，因而使用低阻擋測量穩壓二極管正反向電阻，其阻值應和普通二極管一樣。

（2）穩壓二極管的穩壓值vz的測量。測量時，必須使管子進人反向擊穿區，所以電源電壓要大于被測管的穩定電壓，這樣，就必須用萬用表的高阻擋（R×10k擋），這時表內電池是電壓較高的疊層電池，當萬用表量程置于高阻擋后，測其反向電阻，若實測阻值為Rx，則穩壓二極管的穩壓值為：

式中，n-所用擋次的倍率數，如所用萬用表的最高電阻擋是R×10k，則n=10000。

R0-是萬用表的中心阻值。

E0-是所用萬用表最高電阻擋的電池電壓值。

例：用MF50型萬用表測一只2CW14，R0＝10Ω，最高電阻擋為R×10k擋，Eo=15V，實測反向電阻為75kΩ，則其穩壓值是：

如果實測阻值非常大（接近于無窮），表示被測管的穩壓值Vz大于E0，無法將其擊穿。如果實測阻值很小（0或只有幾歐），則是表筆接反，只要將表筆互換就可以。

3.發光二極管的測量

發光二極管是一種把電能變換成光能的半導體器件，當它通過一定的電流時就會發光。它具有體積小，工作電壓低，工作電流小等特點，

（1）發光二極管內部是一個PN結，具有單向導電性，故其檢測方法類似于—般二極管的測量。

（2）萬用表置于R×1k或R×10k擋，測其正反向電阻值，一般正向電阻小于50kΩ，反向電阻大于200kΩ。

（3）發光二極管的工作電流是重要的一個參數，工作電流太小，發光二極管點不亮，太大則易損壞發光二極管。

（4）發光二極管正向開啟電壓為1.2V～2.5V（高亮LED除外），而反向擊穿電壓為5V左右。

4.光敏二極管的測量

光敏二極管是一種能把光照強弱變化轉換成電信號的半導體器件。

（1）光敏二極管的頂端有一個能射入光線的窗口，光線通過窗口照射到管芯上，在光的激發下，光敏二極管內產生大量的光電粒子，其導電能力大大增強，使內阻減小。

（2）光敏二極管和穩壓二極管類似，也是工作在反向狀態，須加反向電壓。

（3）光敏二極管的正向電阻不隨光的變化而變化，約為幾千歐。其反向阻值在無光照時較大，受到光照時，其反向阻值變小，光照越強，反向電阻越小，甚至僅幾百歐。去除光照條件，反向電阻立即恢復到原阻值。

（4）根據上述原理，用萬用表測光敏二極管的反向電阻，邊測邊改變光的強弱，觀察光敏二極管的反向電阻的變化。如在有光和無光時，反向電阻無變化或變化極小，說明該管已經失效。