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發布了產品 2022-05-24 21:19
C3M0040120K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0040120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V1.1k瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 21:09
C3M0040120D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0040120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V332瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 21:03
C3M0040120J1碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0040120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V142瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 20:56
C3M0032120K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0032120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V673瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 11:21
CG2H80045D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H80045D-GP4 PSAT功率：45 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 擊穿電壓：高擊穿電壓108瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 10:52
CG2H80030D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H80030D-GP4 PSAT功率：30 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓192瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 10:40
CG2H80015D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H80015D-GP4 PSAT功率：15 W 典型 PSAT 電壓：28 伏操作 耐壓：高擊穿電壓218瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 10:04
CG2H40120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CG2H40120F-AMP 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益 增益：2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益126瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 10:01
CG2H40120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H40120F 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益 增益：2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益346瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 09:58
CG2H40120P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H40120P 頻率：高達 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 時 20 dB 小信號增益 增益：2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益136瀏覽量
