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發布了產品 2022-05-24 09:23
CG2H40045F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CG2H40045F-AMP 頻率：高達 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益165瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 09:18
CG2H40045F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H40045F 頻率：高達 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益276瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 09:16
CG2H40045P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H40045P 頻率：高達 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益：4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益176瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 22:03
C3M0032120D是一款功率轉換器
產品型號：C3M0032120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V303瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 21:57
C3M0032120J1碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0032120J1 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V270瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 21:51
C2M0025120D碳化硅MOSFET
產品型號：C2M0025120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V530瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 21:43
C3M0021120K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0021120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V923瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 21:30
C3M0021120D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0021120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V262瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 21:24
C3M0016120K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0016120K 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V457瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 21:15
C3M0016120D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0016120D 漏源電壓：1200V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V430瀏覽量
