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發布了產品 2022-05-23 21:05
C3M0120100K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0120100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V386瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 20:57
C3M0120100J碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0120100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V198瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 18:20
C3M0065100K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0065100K 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V428瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 14:45
CG2H40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CG2H40035F-AMP 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%158瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 14:42
CG2H40035F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H40035F 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%176瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-23 14:36
CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H40035P 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%141瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-22 22:19
C3M0065100J碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0065100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V323瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-22 21:45
C3M0280090J碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0280090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V214瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-22 21:36
C3M0120090D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0120090D 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V334瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-22 21:24
C3M0120090J碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0120090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V183瀏覽量
