動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-02-08 11:24

  英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng)，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

  

  英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎(jiǎng)（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（HighPerformancePassive/DiscreteD

  MOSFET SiC 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2025-02-08 08:34

  新品 | 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見的交

  MOSFET SiC 分立器件

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• 發(fā)布了文章 2025-02-07 17:02

  新品 | 頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動(dòng)電源用全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器評估板

  

  新品頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動(dòng)電源用全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器評估板設(shè)計(jì)工程師可使用該系列評估板評估全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器IC-2EP1xxR系列。有三種評估板可供選擇：■EVAL-2EP130R-PR：2EP130R變壓器驅(qū)動(dòng)器評估板，具有雙輸出峰值整流和可定制的輸出電壓，適用于MOSFETS和IGBT。■EVAL-2EP130R-PR-SIC：2EP130R變壓器驅(qū)動(dòng)器評估

  變壓器 評估板 驅(qū)動(dòng)器 驅(qū)動(dòng)電源

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• 發(fā)布了文章 2025-01-24 17:04

  新品 | 2EP1xxR - 頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動(dòng)電源用20V全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器

  

  新品2EP1xxR-頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動(dòng)電源用20V全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驅(qū)動(dòng)電源用全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器IC系列，采用緊湊型TSSOP8引腳封裝，具有功率集成和優(yōu)化功能，可產(chǎn)生非對稱輸出電壓，為隔離柵極驅(qū)動(dòng)器供電。由于具有獨(dú)特的占空比調(diào)整能力，它針對非對稱柵極驅(qū)動(dòng)器電源進(jìn)行了優(yōu)化。2EP1xxR還集成了溫度、短路和UVLO保護(hù)

  變壓器 驅(qū)動(dòng)器 驅(qū)動(dòng)電源

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• 發(fā)布了文章 2025-01-20 17:33

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。驅(qū)動(dòng)IC電流越來越大，如采用DSO-8300mil寬體封裝的EiceDRIVER1ED3241M

  功率器件 熱設(shè)計(jì) 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2025-01-17 17:03

  新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V

  

  新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個(gè)高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和魯棒性方面都具有優(yōu)勢，并具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)

  MOSFET SiC 工業(yè)

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• 發(fā)布了文章 2025-01-16 17:02

  2025新年啟航，贏取好禮：IPAC直播首秀聚焦光伏行業(yè)新趨勢

  

  隨著新年的鐘聲敲響，光伏行業(yè)正迎來前所未有的發(fā)展機(jī)遇。市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，據(jù)S&PGlobal最新預(yù)測，戶用光伏與中小型工商業(yè)光伏市場有望在2025年迎來筑底反彈，未來五年將以穩(wěn)健的6%年復(fù)合增長率蓬勃發(fā)展。面對這一趨勢，行業(yè)對光伏提出了更高要求：更大電流、更高電壓，更高功率密度，以及更高的可靠性，這已然成為行業(yè)前行的必然趨勢。如何通過英飛凌最新一代CoolS

  MOSFET 光伏

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• 發(fā)布了文章 2025-01-15 18:05

  英飛凌IGBT7系列芯片大解析

  

  上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且

  IGBT 芯片 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 17:35

  新品 | 用于交直流固態(tài)斷路器評估的高效套件（CoolSiC™版本）

  

  新品用于交直流固態(tài)斷路器評估的高效套件（CoolSiC版本）REF_SSCB_AC_DC_1PH_SIC固態(tài)斷路器(SSCB)套件用于快速評估交流和直流斷路器，帶交互式圖形用戶界面GUI。該套件支持110VAC、230VAC或350VDC工作電壓和16A額定電流，自然冷卻，采用頂部散熱(TSC)MOSFET封裝上的非隔離式散熱器。它可支持不同的SSCB應(yīng)用場

  SiC 斷路器

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 17:36

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。功率半導(dǎo)體的電流密度隨著功率半導(dǎo)體芯片損耗降低，最高工作結(jié)溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是

  PCB設(shè)計(jì) 功率半導(dǎo)體器件 功率器件

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