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英飛凌工業半導體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導體產品、技術和應用的交流平臺,包括工程師應用知識和經驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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  • 發布了文章 2024-12-19 19:00

    新品 | 6EDL04x065xT 系列三相柵極驅動器

    樣品活動進行中,掃碼了解詳情新品6EDL04x065xT系列三相柵極驅動器650V三相柵極驅動器,帶過電流保護(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產品型號:■6EDL04I065NT■6EDL04I065PT■6EDL04N065PT產品特點英飛凌薄膜-SOI技術最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0.165A/-0.375A集成
  • 發布了文章 2024-12-18 17:20

    搶先領取!高壓CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮書推薦

    高壓CoolGaNGITHEMT(高電子遷移率晶體管)可靠性和驗證的白皮書共33頁,被翻譯成中文和日文,主要介紹了英飛凌如何實現CoolGaN技術和器件使用壽命,且大幅超過標準的規定,詳細闡述了英飛凌用于驗證CoolGaN器件的四個方面的流程。硅的故障機制清晰,驗證方法非常成熟,但傳統的硅驗證工藝無法直接應用于GaN技術產品,因為GaN器件的材料和結構特性與
  • 發布了文章 2024-12-17 17:03

    英飛凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再獲殊榮,榮獲極光獎兩項大獎

    英飛凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度贏得行業殊榮,榮獲2024年度極光獎“年度影響力產品”獎項。與此同時,憑借其在碳化硅技術領域的持續創新突破及產品性能的顯著提升,英飛凌被授予“第三代半導體年度標桿領軍企業”的榮譽。點擊可查看大圖此外,作為功率半導體行業的領導者,英飛凌持續致力于碳化硅技術的革新與發展,推動市場向更高功率等級與更高能
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  • 發布了文章 2024-12-16 17:22

    功率器件熱設計基礎(九)——功率半導體模塊的熱擴散

    樣品活動進行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。任何導熱材料都有熱阻,而且熱阻與材料面積成反比,與厚度成正比。按道理
  • 發布了文章 2024-12-13 17:04

    新品 | 6EDL04x065xR 和 6EDL04N03PR 系列三相柵極驅動器

    新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相柵極驅動器650V和300V三相柵極驅動器,帶過電流保護(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產品型號:■6EDL04I065NR■6EDL04I065PR■6EDL04N065PR■6EDL04N03PR產品特點英飛凌薄膜-SOI技術最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0
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  • 發布了文章 2024-12-12 17:03

    新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊

    新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開關IGBT模塊經過了重大改進,以滿足牽引和工業應用(如中壓傳動或HVDC)當前和未來的要求。這是首次擴展二極管產品組合,DD1600S33HE4是同類最佳的3.3kV二極管模塊,足以取代原來2個雙二極管3.3kV模塊。它采用發射極可控EmCon4二極管,功率循環能力更強,標準封裝
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  • 發布了文章 2024-12-11 17:04

    深度 | GaN還是SiC,電氣工程師該如何選擇?

    /編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體,相比于傳統的硅材料功率半導體,他們都具有許多非常優異的特性:耐壓高,導通電阻小,寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性:氮化鎵晶體管的極小寄生參數,極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動,高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體
  • 發布了文章 2024-12-11 01:03

    功率器件熱設計基礎(八)——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流

    /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型,Cauer模型和Foster模型,這一篇以二極管的浪涌電流為例,講
  • 發布了文章 2024-12-10 01:00

    英飛凌推出新型EiceDRIVER™ Power全橋變壓器驅動器系列,適用于結構緊湊、經濟高效的柵極驅動器電源

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR系列擴大了英飛凌功率器件產品陣容,為設計人員提供了隔離式柵極驅動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現非對稱輸出電壓,以經濟高效、節省空間的方式為隔離式柵極
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  • 發布了文章 2024-12-07 01:05

    新品 | 電動汽車充電直流-直流變換器次級用Easy模塊

    新品電動汽車充電直流——直流變換器次級用Easy模塊DDB2U60N07W1RF_B58和DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK封裝圖DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE為1200V、60A整流模塊,采用溝槽柵場終止技術IGBT7和CoolSiC肖特基二極管G51200V芯片,帶NTC和PressFIT壓接針腳技術。DDB2

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認證信息: 英飛凌工業半導體

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