動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-11-12 01:04

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法

  

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復(fù)雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上

  功率半導(dǎo)體 功率器件 熱設(shè)計(jì) 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-11-08 01:03

  新品 | 符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模塊

  

  新品符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標(biāo)準(zhǔn)的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個集成的直流緩沖器Snubber電路。完美的性價比組合，適用于車載充電器和電動汽車輔助系統(tǒng)應(yīng)用。產(chǎn)品型號：■F4-35MR07W1D7S8_B11/A產(chǎn)品特點(diǎn)高度可靠的壓接式針腳預(yù)涂

  CoolMOS 充電 車載

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• 發(fā)布了文章 2024-11-07 08:03

  英飛凌再次榮膺2024年全球電子產(chǎn)品獎，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

  

  11月5日，英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（HighPerformancePassive/Dis

  MOSFET 功率器件 模塊 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-11-05 08:02

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

  

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會聯(lián)系實(shí)際，比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。功率半導(dǎo)體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂

  功率半導(dǎo)體 功率器件 散熱器 熱設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2024-11-01 08:06

  新品 | CoolSiC™肖特基二極管G5系列10-80A 2000V

  

  新品CoolSiC肖特基二極管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二極管2000VG5系列在高達(dá)1500VDC的高直流母線系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)了更高的效率和設(shè)計(jì)簡化。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，該二極管具有一流的散熱性能和很強(qiáng)的防潮能力。它與配套的CoolSiCMOSFET2000V產(chǎn)品組合完美匹配。產(chǎn)品型號：■IDYH10G200C5■IDYH25G20

  SiC 二極管 肖特基二極管

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• 發(fā)布了文章 2024-10-31 08:04

  英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

  

  ?英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司；?通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進(jìn)而將功率損耗減少15%以上；?新技術(shù)可用于各種應(yīng)用，包括英飛凌的AI賦能路線圖；?超薄晶圓技術(shù)已獲認(rèn)可并向客戶發(fā)布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌

  功率半導(dǎo)體 晶圓 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-10-29 08:02

  功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。第一講《功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）----功率半導(dǎo)體的熱阻》，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來了，那自然會

  SiC 功率器件 熱設(shè)計(jì) 熱阻

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• 發(fā)布了文章 2024-10-25 08:04

  英飛凌推出CoolSiC™肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC

  

  如今，許多工業(yè)應(yīng)用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC肖特基二極管2000VG5，這是市面上首款擊穿電壓達(dá)到2000V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流母線電壓高達(dá)1500VD

  直流母線 肖特基二極管 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2024-10-24 08:03

  新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板

  

  新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D2PAK7引腳封裝，是LVD可擴(kuò)展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率開關(guān)和柵極驅(qū)動器接口的單半橋，可輕松構(gòu)建任何基于半橋的功率拓?fù)?。相關(guān)器件：IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)該系列還有各種功

  MOSFET 功率 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2024-10-22 08:01

  功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

  

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開通和關(guān)斷過程中和導(dǎo)通電流時會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱

  功率半導(dǎo)體 功率器件 熱設(shè)計(jì) 熱阻

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