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• 發布了文章 2024-08-06 11:02

  預計2025年中國SiC芯片市場將迎來大幅降價

  

  在中國SiC(碳化硅)產業蓬勃發展的浪潮下，行業前景正經歷著變革。最新市場預測揭示，得益于本土生產能力的飛躍性提升與產業規模的快速擴張，中國碳化硅芯片市場有望在接下來兩年內迎來價格的大幅下滑，降幅預計可達驚人的30%。這一預測不僅彰顯了國內SiC產業鏈的強大成長潛力，也為下游應用行業帶來了重大利好。長期以來，中國電動汽車行業在SiC芯片領域高度依賴進口，這一

  mcu SiC 電動汽車 芯片

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• 發布了文章 2024-08-06 11:01

  碳化硅MOSFET的柵極應力測試

  

  了解半導體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測試的關鍵，這些測試可以確保器件在數據表規定的限制范圍內運行，并滿足汽車和其他電力轉換應用中對每十億個部件的日益嚴格的失效率要求。本文將討論對碳化硅MOSFET器件進行的柵極開關應力(GSS)測試。碳化硅MOSFET中的直流與交流柵極應力效應碳化硅MOSFET的柵氧化層可靠性多年來一直是研究的重點。研究發現，氧

  MOSFET 測試 碳化硅

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• 發布了文章 2024-08-05 11:25

  Navitas推出新一代650V SiC MOSFET，采用高效TOLL封裝

  

  Navitas半導體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體管外形)封裝。這種新型封裝專門針對高功率和高可靠性應用，展現出卓越的熱性能和快速響應能力。新發布的650VSiCMOSFET具備出色的功率處理能力和低至20至55毫歐的導通電阻，旨在實現快速的開關速度和高效能

  MOSFET Navitas 封裝

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• 發布了文章 2024-08-05 11:22

  DC-DC轉換器及其在電動汽車中的應用

  

  在半導體出現之前，將直流電壓轉換為更高電壓的常用技術是通過振蕩電路將其轉換為交流電壓，然后使用升壓變壓器來提高輸出電壓水平，最后再通過整流電路進行直流轉換。在需要高功率的應用中，通常使用電動機和發電機的組合。電動機驅動發電機，提供所需的負載電壓。這些技術雖然成本高且效率低，但在當時沒有其他替代方法的情況下仍得到應用。DC-DC轉換器是一種機電設備或電路，用于

  dcdc轉換器 電動汽車 電壓 轉換器

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• 發布了文章 2024-08-02 11:01

  SiC技術引領中國新能源乘用車功率器件國產化新篇章

  

  近年來，中國新能源乘用車產業在政策和市場的雙重驅動下，取得了顯著進展，尤其是在功率模塊國產化方面，更是邁出了堅實步伐。其中，SiC(碳化硅)領域更是迎來了前所未有的發展機遇，成為推動新能源汽車產業發展的重要力量。據行業權威機構預測，到2028年，中國SiC器件市場規模將超過400億元，新能源汽車、充電樁和風光儲將成為這一市場增長的主要動力。這一預測不僅彰顯了

  SiC 功率器件 新能源乘用車

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• 發布了文章 2024-08-02 11:00

  什么是觸摸芯片：現代電子產品不可或缺的關鍵技術解析

  

  觸摸芯片又叫觸摸屏控制器IC，觸摸芯片是一種能夠感應人體觸摸并能將人體觸摸操作轉換成計算機可讀取的電信號輸入的微處理器，廣泛應用于手機、平板電腦、智能手表等各類數碼設備中，成為現代電子產品不可缺少的一部分。觸摸芯片具有專用外設引腳，可與觸摸傳感器和主機處理器進行連接。通常，該電路安裝在連接傳感器和主機處理器的FPC(柔性印刷電路)上。觸摸芯片起什么作用無論采

  控制器IC 觸摸屏 觸摸芯片 計算機

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• 發布了文章 2024-08-01 10:59

  先進封裝市場迎來黃金增長期，預計2029年規模將達695億美元

  

  根據Yole最新發布的《2024年先進封裝狀況》報告，預計從2023年至2029年，先進封裝市場的年復合增長率將達到11%，市場規模有望顯著擴展至695億美元。推動這一顯著增長的主要動力來自于多個技術趨勢的協同發展。人工智能(AI)、高性能計算(HPC)、汽車電子以及AI個人電腦(AIPCs)等領域的快速發展，對芯片性能、功耗和集成度提出了更高要求，從而促進

  先進封裝 芯片 芯片封裝

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• 發布了文章 2024-08-01 10:58

  利用SLC技術改善熱導率，增強IGBT模塊功率密度

  

  第七代工業IGBT模塊已成功開發用于650V和1200V級，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統要求。與低損耗第七代芯片組結合的SLC技術在熱循環能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻等方面的卓越表現，是第七代NX型IGBT模塊成功的關鍵原因。為了將該技術擴展到1700V級IGBT模塊，已經改善了SLC技術IMB的絕緣能力和熱導率。第七代650V和

  IGBT slc 模塊 電力電子

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• 發布了文章 2024-07-30 11:24

  德州儀器(TI)推出六款新型DC-DC電源模塊，采用MagPack組件封裝

  

  德州儀器(TexasInstruments，簡稱TI)近日正式推出了其最新的MagPack組件封裝，其中涵蓋六款高性能功率磁性模塊。該系列模塊相較于TI的前幾代產品，體積縮小了50%，同時相比于市場競爭對手的同類產品也小了23%。這一創新封裝不僅在尺寸上具有優勢，還在電磁干擾(EMI)方面表現出色，降低了8dB的EMI，同時提高了2%的能效。MagPack電

  DCDC 德州儀器 電源模塊

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• 發布了文章 2024-07-30 11:23

  采用GaN功率IC簡化電力電子設計

  

  早期的氮化鎵(GaN)功率器件需要復雜、昂貴且頻率受限的外部電路，以及復雜的封裝來保護和控制脆弱的柵極，這嚴重限制了市場的采用。單片集成的GaN功率IC的引入，將驅動、邏輯和場效應管集成在一個芯片上，是向前邁出的重要一步。這種信號與功率的強大融合提供了一種堅固的解決方案，易于使用，并極大簡化了整體系統設計。本文強調了一些早期GaN技術的困難，介紹了新款GaN

  GaN 功率IC 電子設計

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