動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-03-14 11:54

  半導(dǎo)體器件電荷載流的控制：柵極技術(shù)解析

  

  在電子工程的世界里，柵極是個魔法般的存在，它就像電路的指揮官，靠著一個個小小的動作就能控制電荷的流動，讓整個電子系統(tǒng)跳動起來

  半導(dǎo)體器件 柵極 電荷

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• 發(fā)布了文章 2024-03-13 14:26

  日立能源與TransnetBW攜手：超級電容器引領(lǐng)電網(wǎng)新風(fēng)向

  

  日立能源與TransnetBW合作，通過超級電容器促進可再生能源增長和電網(wǎng)彈性。雖然可再生能源具有非常好的環(huán)境效益，但其間歇性給電網(wǎng)整合帶來了挑戰(zhàn)。隨著人們注意力轉(zhuǎn)向可再生能源，保持電網(wǎng)穩(wěn)定性成為最緊要的問題。電網(wǎng)不穩(wěn)定的后果包括停電、設(shè)備損壞和基本服務(wù)中斷，因此需要加強電網(wǎng)穩(wěn)定措施和對彈性基礎(chǔ)設(shè)施的投資。日立能源公司與德國TransnetBW簽署了一份重要

  可再生能源 日立 電容器 電網(wǎng) 超級電容器

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• 發(fā)布了文章 2024-03-13 14:21

  什么是單片機：功能強大、應(yīng)用廣泛的集成電路芯片

  

  單片機（MicrocontrollerUnit，MCU）是一種集成電路芯片，它包含了中央處理器（CPU）、隨機存取存儲器（RAM）、MCP2515-I/ST只讀存儲器（ROM）、輸入輸出端口（I/O）和定時器計數(shù)器等部件，可以通過編程實現(xiàn)不同的功能。單片機廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、自動控制、通訊設(shè)備、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。一、術(shù)語介紹1.中央處理器（CPU）：

  mcu ROM 單片機 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2024-03-12 15:34

  一文讀懂何為IGBT

  

  IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心，IGBT結(jié)合了MOSFET的輸入阻抗高和GTR的低飽和壓降的特點，其獨特的工作原理使其在高頻、高效率、高電流環(huán)境下具有卓越表現(xiàn)。IGBT廣泛應(yīng)用于電動汽車、軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、工業(yè)驅(qū)動以及家用電器等眾多領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的晶體管

  IGBT MOSFET 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2024-03-12 15:32

  格力電器將于6月投產(chǎn)全球第二座SiC全自動化化合物芯片工廠

  

  格力電器的董事長兼總裁董明珠在羊城晚報兩會直播間上透露了一個重要消息：格力正在建設(shè)一家全新的SiC芯片工廠，并計劃在今年6月正式投產(chǎn)。據(jù)悉，格力在這個工廠的建設(shè)上投入了高達百億元的資金，旨在成為全球第二座、亞洲第一座全自動化化合物芯片工廠。根據(jù)公開資料顯示，珠海市生態(tài)環(huán)境局于2023年6月在官方網(wǎng)站上發(fā)布了《格力電子元器件擴產(chǎn)項目環(huán)境影響報告表受理公告》，這

  SiC 格力電器 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-03-11 14:39

  功率 MOSFET 特性雙脈沖測試簡介

  

  對于經(jīng)驗豐富的專業(yè)人士來說，不言而喻的事情有時可能會給經(jīng)驗不足的人帶來誤解。作為測試設(shè)備制造商，我們意識到用戶對雙脈沖測試有不同的看法。

  MOSFET 測試 脈沖測試

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• 發(fā)布了文章 2024-03-11 14:34

  全球功率半導(dǎo)體市場迎來黃金成長期，機遇與挑戰(zhàn)并存

  

  最新市場分析報告揭示，全球功率半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷一個高速增長的黃金時期。數(shù)據(jù)顯示，市場規(guī)模從2020年的400億美元預(yù)計將在2030年達到550億美元，年復(fù)合增長率約為3.3%。

  功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 消費電子

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• 發(fā)布了文章 2024-03-08 16:47

  新能源汽車性能提升的催化劑：碳化硅技術(shù)

  

  在新能源汽車的多個性能指標中，電力電子系統(tǒng)尤為關(guān)鍵，它決定了電能的有效管理和利用。而在電力電子系統(tǒng)的核心部件中，碳化硅（SiC）功率模塊以其出色的熱穩(wěn)定性、高效率和耐高溫特性，逐漸成為推動新能源汽車性能提升的重要技術(shù)。SiC功率模塊能夠減小功率器件的體積，提高其工作頻率，進而提升整個驅(qū)動系統(tǒng)的能效和響應(yīng)速度，直接關(guān)系到新能源汽車的續(xù)航里程和功率密度。01在之

  新能源汽車 電能 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2024-03-08 16:45

  半導(dǎo)體設(shè)備巨頭ASML擬遷往其他國家，荷蘭首相親自挽留！

  

  隨著全球?qū)π酒圃斓耐度肴找嬖黾樱商m政府深感危機，擔(dān)憂阿斯麥的離去或擴張將對國家造成重大影響。

  半導(dǎo)體 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-03-07 17:53

  碳化硅功率模塊：未來電力電子行業(yè)的變革者

  

  功率模塊有好幾種類型，常見的比如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和碳化硅（SiC）功率模塊。IGBT適合于高電壓和大電流的場合

  功率模塊 半導(dǎo)體材料 碳化硅

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