動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-06-03 14:15
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發(fā)布了文章 2024-05-31 14:00
新能源汽車再升級(jí)！我國(guó)計(jì)劃投入60億元加速全固態(tài)電池研發(fā)
中國(guó)日?qǐng)?bào)近日?qǐng)?bào)道，中國(guó)政府或?qū)⑼度爰s60億元用于全固態(tài)電池的研發(fā)工作，以推動(dòng)電池技術(shù)的創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。據(jù)悉，這一史無前例的項(xiàng)目由政府相關(guān)部委牽頭實(shí)施，寧德時(shí)代、比亞迪、一汽、上汽、衛(wèi)藍(lán)新能源和吉利等六家行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)有望獲得政府的基礎(chǔ)研發(fā)支持。全固態(tài)電池作為新能源汽車領(lǐng)域的重要?jiǎng)?chuàng)新方向，因其高安全性、長(zhǎng)壽命和快速充電能力而備受矚目。然而，由于原材料獲取困難、制559瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-05-31 13:59
如何保護(hù)電子元器件以延長(zhǎng)生命周期
在電子電力領(lǐng)域，許多關(guān)鍵應(yīng)用要求設(shè)備必須運(yùn)行很長(zhǎng)一段時(shí)間，甚至幾十年。尤其是對(duì)于航空航天、國(guó)防、能源和醫(yī)療行業(yè)方面而言，為了保持設(shè)備正常運(yùn)行，必須在其整個(gè)生命周期內(nèi)持續(xù)供應(yīng)組件。那么，如何保護(hù)電子元器件以延長(zhǎng)生命周期，解決這個(gè)問題的一種方法是在生產(chǎn)結(jié)束后長(zhǎng)期儲(chǔ)存半導(dǎo)體元件。該解決方案使您能夠在設(shè)備的整個(gè)使用壽命期間持續(xù)供應(yīng)組件。01電子設(shè)備如果沒有組成它們的 -
發(fā)布了文章 2024-05-30 11:24
國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓邁入新紀(jì)元，芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破
5月27日，中國(guó)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域迎來里程碑式的事件——芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下線，這一成就標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)正式邁入國(guó)產(chǎn)化階段。此項(xiàng)目總投資高達(dá)9.61億元，預(yù)計(jì)全面投產(chǎn)后，將形成每年6萬片6/8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力，為我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)勁動(dòng)力。來源：芯聯(lián)集成在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，碳化硅(SiC)材料因其獨(dú)特的1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-05-30 11:23
碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較
過去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅技術(shù)來開發(fā)基于各種半導(dǎo)體器件的功率模塊，如雙極結(jié)晶體管(BJT)、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)以及現(xiàn)在的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。碳化硅功率器件在這些碳化硅功率器件的開關(guān)性能中，制造商通常需要在柵極驅(qū)動(dòng)復(fù)雜性和所需性能之間進(jìn)行權(quán)衡 -
發(fā)布了文章 2024-05-29 11:36
英飛凌推出全新CoolSiC™ 400V MOSFET系列，滿足AI服務(wù)器需求
隨著人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展，AI處理器對(duì)功率的需求呈現(xiàn)出顯著增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份有限公司近日宣布，將SiCMOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的開發(fā)范圍擴(kuò)展至400V領(lǐng)域，并推出了全新的CoolSiC?400VMOSFET系列。這一創(chuàng)新產(chǎn)品不僅滿足了AI服務(wù)器電源(PSU)日益增長(zhǎng)的功率需求，同時(shí)保持了服務(wù)器機(jī)架規(guī) -
發(fā)布了文章 2024-05-29 11:35
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發(fā)布了文章 2024-05-28 10:53
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迎飛躍，預(yù)測(cè)2035年市場(chǎng)規(guī)模將增4.7倍
近日，日本市場(chǎng)研究公司富士經(jīng)濟(jì)發(fā)布了一份備受關(guān)注的行業(yè)研究報(bào)告《功率器件晶圓市場(chǎng)的最新趨勢(shì)和技術(shù)趨勢(shì)》。該報(bào)告深入分析了功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)，并預(yù)測(cè)2024年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將比上年增長(zhǎng)23.4%，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2813億日元。預(yù)計(jì)到2035年，這一市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大至10,763億日元，較2023年水平激增4.7倍。報(bào)告指出，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)主要得808瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-05-28 10:51
如何降低功率元器件發(fā)生絕緣品質(zhì)異常
當(dāng)絕緣體內(nèi)存在氣泡(Void)或絕緣體間存在氣隙(Airgap)時(shí)，在正常工作電壓下氣泡或氣隙容易發(fā)生局部放電(PartialDischarge，PD)，導(dǎo)致絕緣劣化造成絕緣品質(zhì)異常。例如：樹酯內(nèi)有氣泡或漆包線間的氣隙，因?yàn)榭諝獾慕殡娤禂?shù)較低，氣泡或氣隙的電容量比原絕緣材料低，所以會(huì)分到相對(duì)高比例的電壓，且在相同間隙距離條件下，氣泡或氣隙的崩潰電壓比絕緣材料的低。此類放電發(fā)生于氣泡或氣隙等局部瑕疵482瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-05-27 11:19
SemiQ 開始針對(duì) SiC 產(chǎn)品組合實(shí)施已知良品芯片(KGD)計(jì)劃
近日，SemiQ已啟動(dòng)了已知良好芯片(KGD)篩選計(jì)劃。該計(jì)劃提供經(jīng)過電氣分類和光學(xué)檢查的高質(zhì)量SiCMOSFET技術(shù)。該技術(shù)已準(zhǔn)備好進(jìn)行后端處理，并且可以直接作為芯片連接。SemiQ的已知良好芯片保證了一致的電氣參數(shù)，使客戶能夠在高壓電源、牽引逆變器和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)等設(shè)備的構(gòu)建中依靠可重復(fù)的性能來實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)線成品率。統(tǒng)一的芯片特性有利于高功率模塊中各種器件的
