英飛凌工業半導體文章

• 英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目2025-02-08 11:24

  

  英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（HighPerformancePassive/DiscreteD

  MOSFET SiC 功率器件 360瀏覽量

• 新品 | 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離2025-02-08 08:34

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交

  MOSFET SiC 分立器件 406瀏覽量

• 新品 | 頻率和占空比可調的驅動電源用全橋變壓器驅動器評估板2025-02-07 17:02

  

  新品頻率和占空比可調的驅動電源用全橋變壓器驅動器評估板設計工程師可使用該系列評估板評估全橋變壓器驅動器IC-2EP1xxR系列。有三種評估板可供選擇：■EVAL-2EP130R-PR：2EP130R變壓器驅動器評估板，具有雙輸出峰值整流和可定制的輸出電壓，適用于MOSFETS和IGBT。■EVAL-2EP130R-PR-SIC：2EP130R變壓器驅動器評估

  變壓器 評估板 驅動器 驅動電源 541瀏覽量

• 新品 | 2EP1xxR - 頻率和占空比可調的驅動電源用20V全橋變壓器驅動器2025-01-24 17:04

  

  新品2EP1xxR-頻率和占空比可調的驅動電源用20V全橋變壓器驅動器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驅動電源用全橋變壓器驅動器IC系列，采用緊湊型TSSOP8引腳封裝，具有功率集成和優化功能，可產生非對稱輸出電壓，為隔離柵極驅動器供電。由于具有獨特的占空比調整能力，它針對非對稱柵極驅動器電源進行了優化。2EP1xxR還集成了溫度、短路和UVLO保護

  變壓器 驅動器 驅動電源 508瀏覽量

• 功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息2025-01-20 17:33

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。驅動IC電流越來越大，如采用DSO-8300mil寬體封裝的EiceDRIVER1ED3241M

  功率器件 熱設計 驅動器 1352瀏覽量

• 新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V2025-01-17 17:03

  

  新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經驗。它在性能、可靠性和魯棒性方面都具有優勢，并具有柵極驅動靈活性，從而簡化了系統設

  MOSFET SiC 工業 619瀏覽量

• 2025新年啟航，贏取好禮：IPAC直播首秀聚焦光伏行業新趨勢2025-01-16 17:02

  

  隨著新年的鐘聲敲響，光伏行業正迎來前所未有的發展機遇。市場規模持續擴大，據S&PGlobal最新預測，戶用光伏與中小型工商業光伏市場有望在2025年迎來筑底反彈，未來五年將以穩健的6%年復合增長率蓬勃發展。面對這一趨勢，行業對光伏提出了更高要求：更大電流、更高電壓，更高功率密度，以及更高的可靠性，這已然成為行業前行的必然趨勢。如何通過英飛凌最新一代CoolS

  MOSFET 光伏 497瀏覽量

• 英飛凌IGBT7系列芯片大解析2025-01-15 18:05

  

  上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經數代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2，溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現今，英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micropatterntrench）技術，溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且

  IGBT 芯片 英飛凌 1007瀏覽量

• 新品 | 用于交直流固態斷路器評估的高效套件（CoolSiC™版本）2025-01-14 17:35

  

  新品用于交直流固態斷路器評估的高效套件（CoolSiC版本）REF_SSCB_AC_DC_1PH_SIC固態斷路器(SSCB)套件用于快速評估交流和直流斷路器，帶交互式圖形用戶界面GUI。該套件支持110VAC、230VAC或350VDC工作電壓和16A額定電流，自然冷卻，采用頂部散熱(TSC)MOSFET封裝上的非隔離式散熱器。它可支持不同的SSCB應用場

  SiC 斷路器 486瀏覽量

• 功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計2025-01-13 17:36

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體的電流密度隨著功率半導體芯片損耗降低，最高工作結溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是

  PCB設計 功率半導體器件 功率器件 924瀏覽量