英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 新品 | 3300V，1200A IGBT4 IHV B模塊2025-01-02 17:41

  

  3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過了重大改進(jìn)，以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用（如中壓傳動(dòng)或HVDC）當(dāng)前和未來的要求。其最新推出的產(chǎn)品組合類型是經(jīng)過優(yōu)化的IGBT和二極管比率，F(xiàn)Z1200R33HE4D_B9足以取代英飛凌和競爭對(duì)手的1500A3.3kV單開關(guān)。它采用TRENCHSTOPIGBT4和發(fā)射極可控EC

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• 2024年度盤點(diǎn)：創(chuàng)新賦能，銳意前行2024-12-31 17:06

  

  2024年，面對(duì)充滿挑戰(zhàn)且不確定的市場環(huán)境，英飛凌始終秉持創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)先的原則，不斷突破技術(shù)與產(chǎn)品性能的邊界，接連推出了多款重量級(jí)產(chǎn)品。今日，小編帶你一起盤點(diǎn)2024年的高光時(shí)刻。全新2000VCoolSiCMOSFET和二極管，業(yè)界首發(fā)作為市面上第一款擊穿電壓達(dá)到2000V的碳化硅分立器件，全新推出的CoolSiCMOSFET2000V采用TO-247P

  MOSFET 二極管 英飛凌 632瀏覽量

• 2024年度盤點(diǎn)：步履不停，載譽(yù)前行2024-12-30 19:33

  

  在充滿挑戰(zhàn)和不確定的2024年，英飛凌始終堅(jiān)守以客戶為中心的核心價(jià)值觀，將滿足客戶需求作為企業(yè)發(fā)展的根本動(dòng)力。這一年，英飛凌憑借創(chuàng)新的技術(shù)實(shí)力、可靠的產(chǎn)品質(zhì)量，專業(yè)的客戶支持，以及穩(wěn)健的運(yùn)營管理，贏得了客戶的認(rèn)可與贊譽(yù)。今日，小編帶你一起盤點(diǎn)2024年的榮耀時(shí)刻。維諦技術(shù)：最佳產(chǎn)品質(zhì)量獎(jiǎng)特變電工：金牌戰(zhàn)略合作伙伴獎(jiǎng)株洲中車時(shí)代電氣:技術(shù)協(xié)作獎(jiǎng)施耐德電氣:最佳

  施耐德電氣 特變電工 英飛凌 294瀏覽量

• 新品 | CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV XHP™ 2半橋模塊2024-12-27 17:07

  

  新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2半橋模塊XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成體二極管、XHP2封裝，采用.XT互聯(lián)技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)：■FF2000UXTR33T2M1■FF2600UXTR33T2M1■FF4000UXTR33T2M1產(chǎn)品特點(diǎn)Inom大損耗低高開關(guān)頻率體積小.XT連接技術(shù)I2t浪涌電流穩(wěn)健性應(yīng)用價(jià)值能源效率高功率密度

  MOSFET SiC 424瀏覽量

• 英飛凌：30年持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴2024-12-26 17:06

  

  2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災(zāi)害比往年更加嚴(yán)重。在此背景下，推動(dòng)社會(huì)的綠色低碳轉(zhuǎn)型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識(shí)。在經(jīng)濟(jì)社會(huì)踏“綠”前行的過程中，第三代半導(dǎo)體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價(jià)格戰(zhàn)的矛盾，除了當(dāng)下熱門的新能源汽車應(yīng)用，如何在工業(yè)儲(chǔ)能等其他應(yīng)用市場多點(diǎn)開花？在日前舉辦的年度碳

  碳化硅 能源 英飛凌 762瀏覽量

• 白皮書導(dǎo)讀 | 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件2024-12-25 17:30

  

  樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情近年來，電動(dòng)汽車的興起帶動(dòng)了寬禁帶器件的應(yīng)用，并逐漸滲透到各個(gè)市場。目前，工業(yè)電機(jī)主要使用逆變器來提高能效等級(jí)，這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)時(shí)存在一些限制，如總體損耗較高、開關(guān)頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導(dǎo)體的興起，寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機(jī)的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能。《電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

  電動(dòng)汽車 電機(jī) 驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 469瀏覽量

• 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)2024-12-23 17:31

  

  樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)？在功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章《功率半導(dǎo)體殼溫和

  函數(shù) 功率器件 熱設(shè)計(jì) 919瀏覽量

• 新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET2024-12-20 17:04

  

  750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅(jiān)固的SiCMOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗(yàn)。它在性能、可靠性和堅(jiān)固性方面都具有優(yōu)勢，并具有柵極驅(qū)動(dòng)靈活性，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提高了成本效益，實(shí)現(xiàn)了最高的效率和功率

  MOSFET SiC 英飛凌 554瀏覽量

• 新品 | 6EDL04x065xT 系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器2024-12-19 19:00

  

  樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情新品6EDL04x065xT系列三相柵極驅(qū)動(dòng)器650V三相柵極驅(qū)動(dòng)器，帶過電流保護(hù)(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號(hào)：■6EDL04I065NT■6EDL04I065PT■6EDL04N065PT產(chǎn)品特點(diǎn)英飛凌薄膜-SOI技術(shù)最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0.165A/-0.375A集成

  三相柵極驅(qū)動(dòng)器 英飛凌 驅(qū)動(dòng)器 374瀏覽量

• 搶先領(lǐng)取！高壓CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮書推薦2024-12-18 17:20

  

  高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗(yàn)證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實(shí)現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件使用壽命，且大幅超過標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，詳細(xì)闡述了英飛凌用于驗(yàn)證CoolGaN器件的四個(gè)方面的流程。硅的故障機(jī)制清晰，驗(yàn)證方法非常成熟，但傳統(tǒng)的硅驗(yàn)證工藝無法直接應(yīng)用于GaN技術(shù)產(chǎn)品，因?yàn)镚aN器件的材料和結(jié)構(gòu)特性與

  HEMT 晶體管 白皮書 高壓 475瀏覽量