英飛凌工業半導體文章

• 功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法2024-11-12 01:04

  

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個很復雜的問題，從芯片表面測量溫度，可以發現單個芯片溫度也是不均勻的。所以工程上

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• 新品 | 符合AQG324標準的車載充電用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模塊2024-11-08 01:03

  

  新品符合AQG324標準的車載充電用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模塊符合AQG324標準的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一個集成的直流緩沖器Snubber電路。完美的性價比組合，適用于車載充電器和電動汽車輔助系統應用。產品型號：■F4-35MR07W1D7S8_B11/A產品特點高度可靠的壓接式針腳預涂

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• 英飛凌再次榮膺2024年全球電子產品獎，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目2024-11-07 08:03

  

  11月5日，英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（HighPerformancePassive/Dis

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• 功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法2024-11-05 08:02

  

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際，比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂

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• 新品 | CoolSiC™肖特基二極管G5系列10-80A 2000V2024-11-01 08:06

  

  新品CoolSiC肖特基二極管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二極管2000VG5系列在高達1500VDC的高直流母線系統中實現了更高的效率和設計簡化。由于采用了.XT互聯技術，該二極管具有一流的散熱性能和很強的防潮能力。它與配套的CoolSiCMOSFET2000V產品組合完美匹配。產品型號：■IDYH10G200C5■IDYH25G20

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• 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效2024-10-31 08:04

  

  •英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導體晶圓處理和加工技術的公司；•通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進而將功率損耗減少15%以上；•新技術可用于各種應用，包括英飛凌的AI賦能路線圖；•超薄晶圓技術已獲認可并向客戶發布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，英飛凌

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• 功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和并聯2024-10-29 08:02

  

  /前言/功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》，已經把熱阻和電阻聯系起來了，那自然會

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• 英飛凌推出CoolSiC™肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達1500 VDC2024-10-25 08:04

  

  如今，許多工業應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC肖特基二極管2000VG5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000V的分立碳化硅二極管。該產品系列適用于直流母線電壓高達1500VD

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• 新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板2024-10-24 08:03

  

  新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D²PAK7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率開關和柵極驅動器接口的單半橋，可輕松構建任何基于半橋的功率拓撲。相關器件：IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)該系列還有各種功

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• 功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻2024-10-22 08:01

  

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現為半導體器件發熱

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