深圳市浮思特科技有限公司文章

• 使用快速恢復二極管MOSFET在電源中的應用2024-06-14 11:35

  

  “超級結”技術由于其優越的品質因數，已經在擊穿電壓超過600V的功率MOSFET市場中占據主導地位。在設計基于超級結的功率器件時，工程師必須考慮一些因素，以提高電源應用中的效率、功率密度和可靠性。工程考慮因素如圖1所示，首先需要考慮的是P列從基區延伸，形成漂移區的“電荷平衡”，以實現更高的摻雜濃度，即相應區域的更低電阻。延伸的結區域帶來了過多反向恢復電荷的缺

  MOSFET 二極管 電源 953瀏覽量

• 電子元件市場展望樂觀，下半年將迎來強勁增長?2024-06-13 11:40

  

  根據最新的ECST(電子元件狀態調查)報告，2024年下半年電子元件銷售前景樂觀，預計將實現強勁增長。盡管5月份的調查顯示半導體、被動元件和機電元件的銷售信心受到一定打擊，但6月的展望顯示市場將迎來積極反彈。在5月份的調查中，半導體領域的銷售信心得分下滑明顯，跌幅超過18點。被動元件和機電元件雖然跌幅較小，但也呈現出市場下滑的趨勢。然而，這種短暫的低迷并未持

  半導體 機電產品 電子元器件 759瀏覽量

• 一文讀懂MOSFET開關損耗介紹2024-06-13 11:38

  

  MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開關模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道，但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道的電流都很大，導致晶體管內的功耗很高。在開關模式下，柵源電壓要么低到足以阻止電流流動，要么高到足以使FET進入“完全增強”狀態，此時通道電阻大大降低。在這種狀態下，晶體管像一個閉合開關：即使有大電流通過通道，

  MOSFET 開關損耗 晶體管 2202瀏覽量

• 全球掀起8英寸SiC投資熱潮，半導體產業迎來新一輪技術升級2024-06-12 11:04

  

  隨著全球半導體產業的快速發展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期，8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球，各大半導體廠商紛紛加大投入，積極布局這一新興產業。8英寸SiC晶圓相較于傳統的6英寸晶圓，具有更高的生產效率和更低的成本。據行業專家分析，從6英寸升級到8英寸，雖然單片晶圓成本有所增加，但由于每片晶圓中可用的裸片數量大幅增加，產量更高，最終

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• 功率半導體技術如何助力節碳減排2024-06-12 11:03

  

  相信大家都知道，全球氣候變暖問題日益嚴重，節碳減排已經成為了全球的共同使命。而功率半導體技術，作為電子設備的核心技術之一，在節碳減排方面發揮著重要作用。今天我們就來聊聊功率半導體技術如何助力節碳減排。01首先，我們來簡單了解一下什么是功率半導體。功率半導體是指用于高功率轉換和控制的半導體器件，常見的有絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、晶閘管(SCR)、場效應晶

  功率半導體 晶體管 電子設備 776瀏覽量

• 臺積電2024年5月營收穩健，持續領跑半導體行業2024-06-11 10:50

  

  在全球半導體行業復雜多變的市場環境下，臺積電依然保持強勁的增長勢頭。據臺積電于6月7日公布的2024年5月營收報告，公司當月實現凈營收約為2,296.2億新臺幣，這一成績雖較4月略有下滑，但同比去年同期增長顯著，展現了其強大的市場適應能力和技術實力。盡管面臨全球經濟波動和行業周期性挑戰，臺積電在2024年前五個月的累計總營收仍高達10,582.9億新臺幣，較

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• 突破碳化硅(SiC)和超結電力技術的極限2024-06-11 10:49

  

  PowerMasterSemiconductor(PMS)是一家韓國半導體器件公司，團隊在電力半導體行業擁有超過二十年的經驗，他們專注于開發和生產先進的碳化硅(SiC)二極管和MOSFET，以及超結(SJ)MOSFET，今天來聊聊他們創新的eMOSE7和eSiCMOSFET技術。eMOSE7超結技術提供了快速的開關性能，同時具有低開關噪音和過沖尖峰。這提高了

  MOS 半導體 碳化硅 725瀏覽量

• 全球半導體產業加速布局，兩大巨頭投資數十億美元建設新工廠2024-06-07 11:19

  

  在全球半導體產業持續回暖的背景下，兩大半導體巨頭意法半導體(ST)和恩智浦半導體(NXP)近期分別宣布了重大投資計劃，以加速在碳化硅(SiC)和半導體晶圓制造領域的布局。5月31日，意法半導體在其官網上正式宣布，將于意大利卡塔尼亞建設全球首個一站式碳化硅產業園。該產業園將作為8英寸碳化硅功率器件和模塊的大規模制造及封測綜合基地，實現碳化硅制造的全面垂直整合。

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• 半導體基礎功率模塊與離散元件的比較2024-06-07 11:17

  

  半導體基礎功率模塊因其相對于傳統離散元件的諸多優勢而變得越來越突出。在不斷發展的功率電子領域，選擇半導體基礎功率模塊與離散元件對效率、可靠性和整體系統性能有著顯著的影響。半導體基礎功率模塊的優勢半導體基礎功率模塊將多個組件集成到單一封裝中，與離散元件相比設計更為緊湊。模塊可以輕松集成從改善開關行為的電容器到電流測量的分流器和減少雜散電感的組件。圖1：帶有集成

  分流器 功率模塊 半導體 672瀏覽量

• 阿斯麥(ASML)與比利時微電子(IMEC)聯合打造的High-NA EUV光刻實驗室正式啟用2024-06-06 11:20

  

  近日，全球領先的半導體制造設備供應商阿斯麥(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)共同宣布，位于荷蘭費爾德霍芬的High-NAEUV光刻實驗室正式啟用。這一里程碑式的事件標志著雙方合作研發的高數值孔徑(HighNA)極紫外(EUV)光刻技術即將進入大批量生產階段，預計將在2025至2026年間實現廣泛應用。該實驗室的核心設備是一臺名為TWINSCANE

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