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氮化鎵單片雙向開關(guān):電力電子技術(shù)的下一代突破2025-04-09 10:57
單片雙向開關(guān)(BDS)被業(yè)界視為電力電子性能實現(xiàn)跨越式發(fā)展的關(guān)鍵推動者。基于橫向氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的技術(shù)具有獨(dú)特優(yōu)勢,可有效應(yīng)用于BDS器件開發(fā)。本文將概述BDS的應(yīng)用場景,并重點介紹即將實現(xiàn)商業(yè)化的新一代GaNBDS器件系列。雙向開關(guān)應(yīng)用解析傳統(tǒng)MOSFET或IGBT開關(guān)通常僅具備正向?qū)ㄅc反向阻斷功能。雖然通過MOSFET體二 -
LEM電流傳感器手冊閱讀指南:如何快速抓取關(guān)鍵信息2025-04-09 10:55
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電阻率在電子電力學(xué)中為何如此重要?2025-04-01 10:39
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Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET2025-03-27 11:49
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創(chuàng)新非對稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護(hù)中的應(yīng)用2025-03-27 11:48
保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計的關(guān)鍵。在本文中,我們將重點介紹非對稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列,這些二極管非常適合用于硅碳化物(SiC)MOSFET的門保護(hù)。瞬態(tài)保護(hù)設(shè)備瞬態(tài)尖峰可以由雷電、附近的機(jī)械設(shè)備、電源負(fù)載切換等引起。一個例子是現(xiàn)代汽車,其中越來越多的車載電子設(shè)備連接到電池和發(fā)電機(jī)。發(fā)電機(jī)的輸出可能不穩(wěn)定,例如在電池斷開 -
探討RC電路在逆變器設(shè)計中的應(yīng)用與限制2025-03-26 12:00
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全球芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入2納米競爭階段:臺積電率先實現(xiàn)量產(chǎn)!2025-03-25 11:25
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智能功率模塊在電動機(jī)驅(qū)動逆變器中的應(yīng)用與優(yōu)勢分析2025-03-25 11:23
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Vicor在臺灣推廣48V電源模塊:模塊化設(shè)計的市場競爭優(yōu)勢2025-03-24 11:38
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浮思特 | 創(chuàng)新互補(bǔ)模型:提升功率電子轉(zhuǎn)換器設(shè)計與仿真的新方法2025-03-24 11:36
功率電子轉(zhuǎn)換器可以視為由分段線性元件(傳統(tǒng)元件如電阻、電感和電容是特例)與電壓源、電流源、二極管和電子開關(guān)(如晶閘管、晶體管、MOSFET等)組成。在此背景下,我們將電子設(shè)備(ED)定義為任何具有分段線性電流-電壓特性的電氣或電子元件,盡管這可能是一個不太精確的術(shù)語。在許多實際情況下,電子設(shè)備可以建模為一個可變電阻,其在導(dǎo)通狀態(tài)下的值非常低,而在阻斷狀態(tài)下的