深圳市浮思特科技有限公司文章

• 德州儀器發(fā)布超小型微控制器，推動(dòng)嵌入式技術(shù)微型化2025-03-14 11:03

  

  在全球嵌入式技術(shù)領(lǐng)域，德州儀器(TexasInstruments,TI)于近日在德國(guó)舉辦的國(guó)際嵌入式展會(huì)上震撼亮相，推出了一款革命性的微控制器(MCU)——MSPM0C1104。這款微控制器的面積僅為1.38mm²，較目前市場(chǎng)上最小的MCU小了38%，這一突破性進(jìn)展將極大推動(dòng)微型化技術(shù)的發(fā)展，滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。MSPM0C1104基于高效的ArmCor

  mcu 單片機(jī) 微控制器 德州儀器 515瀏覽量

• 2 kV SiC功率模塊：推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命2025-03-14 11:01

  

  由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴(kuò)展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要中壓器件或多級(jí)拓?fù)涞闹绷麈溄与妷含F(xiàn)在可以更輕松地處理。最新的碳化硅電壓等級(jí)正在促進(jìn)1500V級(jí)逆變器的電路拓?fù)滢D(zhuǎn)變。憑借經(jīng)過驗(yàn)證的芯片技術(shù)、低開關(guān)損耗和標(biāo)準(zhǔn)封裝，

  SiC 功率模塊 碳化硅 337瀏覽量

• 意法半導(dǎo)體推出全新STM32U3微控制器，物聯(lián)網(wǎng)超低功耗創(chuàng)新2025-03-13 11:09

  

  近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備帶來革命性的超低功耗解決方案。這款新產(chǎn)品不僅延續(xù)了意法半導(dǎo)體在超低功耗MCU領(lǐng)域的技術(shù)積累，更通過一系列創(chuàng)新設(shè)計(jì)，推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的高效能和長(zhǎng)續(xù)航。STM32U3微控制器搭載了最高96MHz的ARMCortex-M33核心，具備市場(chǎng)

  STM32 微控制器 意法半導(dǎo)體 物聯(lián)網(wǎng) 714瀏覽量

• TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT：感應(yīng)加熱和軟開關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿2025-03-13 11:05

  

  在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景受到了大家的青睞。本文將為您詳細(xì)介紹這一優(yōu)質(zhì)功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域。圖1：TGAN25N120NDIGBT卓越的技術(shù)特點(diǎn)TGAN25N120

  IGBT 功率開關(guān)器件 晶體管 629瀏覽量

• 英飛凌2024年MCU市場(chǎng)份額飆升，首次奪得全球微控制器市場(chǎng)首位2025-03-12 11:42

  

  近日，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia發(fā)布的最新報(bào)告，英飛凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將達(dá)到21.3%，相比2023年的17.8%增長(zhǎng)了3.5個(gè)百分點(diǎn)。這一顯著的增長(zhǎng)幅度使英飛凌在同業(yè)中成為增幅最大的企業(yè)，并且標(biāo)志著其在公司歷史上首次在全球微控制器市場(chǎng)登頂。微控制器是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件，

  mcu 微控制器 英飛凌 589瀏覽量

• 突破電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的技術(shù)瓶頸：先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)2025-03-12 11:40

  

  隨著汽車市場(chǎng)向主流采用加速，電力電子技術(shù)已成為創(chuàng)新的基石，推動(dòng)了卓越的性能和效率。在這一技術(shù)演變的前沿，碳化硅(SiC)功率模塊作為一項(xiàng)關(guān)鍵進(jìn)展，重新定義了電動(dòng)動(dòng)力系統(tǒng)的能力。電動(dòng)汽車的日益普及依賴于延長(zhǎng)車輛續(xù)航里程和降低電池成本。這可以通過減少能量損失和提升逆變器中功率模塊的緊湊性來實(shí)現(xiàn)。由于SiC功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)硅基器件更低的能量損失，因此它們引起

  SiC 動(dòng)力系統(tǒng) 電動(dòng)汽車 522瀏覽量

• 英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET，助力低地球軌道應(yīng)用2025-03-11 11:39

  

  英飛凌(Infineon)近日宣布，擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長(zhǎng)的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著英飛凌在為新一代“新空間”應(yīng)用提供高效、可靠的功率器件方面邁出了重要一步。隨著航天技術(shù)的迅猛發(fā)展，LEO衛(wèi)星星座和其他空間系統(tǒng)的部署需求持續(xù)上升。為了成功實(shí)施這些次世代項(xiàng)目，工程師們需要

  MOSFET 英飛凌 345瀏覽量

• 智能計(jì)算新紀(jì)元：具記憶功能的晶體管問世2025-03-11 11:34

  

  在當(dāng)今電子工業(yè)中，對(duì)更快、更高效組件的需求巨大，以滿足現(xiàn)代計(jì)算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達(dá)到其物理和操作極限，它們?cè)跀?shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間，尤其是在需要數(shù)十億個(gè)晶體管來存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)的場(chǎng)景下。隨著數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的急劇增長(zhǎng)，這種方法變得不可持續(xù)。來自約翰霍普金斯大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了一種新型記憶電阻器(memristor)，能夠擁有更豐富的記憶，提升其效率。該研究

  晶體管 智能計(jì)算 電阻器 324瀏覽量

• Marvell展示2納米芯片3D堆疊技術(shù)，應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)復(fù)雜性挑戰(zhàn)！2025-03-07 11:11

  

  隨著現(xiàn)代科技的迅猛發(fā)展，芯片設(shè)計(jì)面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。特別是在集成電路(IC)領(lǐng)域，隨著設(shè)計(jì)復(fù)雜性的增加，傳統(tǒng)的光罩尺寸已經(jīng)成為制約芯片性能和功能擴(kuò)展的瓶頸。為了解決這一問題，3D堆疊技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)的重要手段。近期，Marvell公司在這一領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展，展示了其采用臺(tái)積電最新2納米制程的矽智財(cái)(IP)解決方案，用于AI和云端基礎(chǔ)設(shè)施芯片

  Marvell 臺(tái)積電 芯片設(shè)計(jì) 449瀏覽量

• SiC與GaN技術(shù)專利競(jìng)爭(zhēng)：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇2025-03-07 11:10

  

  在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢(shì)，如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能夠在高溫下工作，使其特別適用于電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源系統(tǒng)和先進(jìn)通信技術(shù)等應(yīng)用。專利申請(qǐng)通常是一個(gè)領(lǐng)域研發(fā)和商業(yè)活動(dòng)水平的有力指標(biāo)。從圖1可以看出，SiC和GaN基礎(chǔ)的電力電子技術(shù)的專利申請(qǐng)趨勢(shì)在過去十年

  GaN SiC 氮化鎵 498瀏覽量