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基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)2025-06-13 10:07
碳化硅襯底切割過(guò)程中，厚度不均勻問(wèn)題嚴(yán)重影響其后續(xù)應(yīng)用性能。傳統(tǒng)固定進(jìn)給量切割方式難以適應(yīng)材料特性與切割工況變化，基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度均勻性提供了新思路，對(duì)推動(dòng)碳化硅襯底加工技術(shù)發(fā)展具有重要價(jià)值。 技術(shù)原理分析 梯度調(diào)節(jié)依據(jù) 碳化硅硬度高、脆性大，切割起始階段，材料表面完整，刀具與材料接觸狀態(tài)穩(wěn)定，可采用相對(duì)較大的進(jìn)給量提高加工效率碳化硅 90瀏覽量 -
切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化2025-06-12 10:03
引言 在碳化硅襯底加工過(guò)程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿(mǎn)足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。 量化關(guān)系分析 切割機(jī)理對(duì)厚度均勻性的影響 碳化硅硬度高、脆性大，切割過(guò)程中，切割進(jìn)給量直接影響切割力大小與分布 。當(dāng)進(jìn)給量較小時(shí)，切割工具與碳化硅襯底接觸區(qū)域的切削力相對(duì)較小且穩(wěn)定 -
碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究2025-06-11 09:57
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碳化硅襯底高溫加工場(chǎng)景下測(cè)量探頭溫漂的動(dòng)態(tài)修正方法2025-06-06 09:37
引言 碳化硅襯底高溫加工過(guò)程中，溫度的劇烈變化會(huì)引發(fā)測(cè)量探頭溫漂，嚴(yán)重影響襯底厚度等參數(shù)的測(cè)量精度，進(jìn)而干擾加工工藝的精準(zhǔn)控制。探尋有效的動(dòng)態(tài)修正方法，是保障高溫加工質(zhì)量與效率的關(guān)鍵所在。 溫漂影響因素分析 在高溫加工場(chǎng)景下，測(cè)量探頭溫漂受多因素共同作用。一方面，高溫環(huán)境直接導(dǎo)致探頭材料熱膨脹系數(shù)改變，引發(fā)內(nèi)部結(jié)構(gòu)變形，影響測(cè)量元件的性能 。例如，探頭中 -
基于光纖傳感的碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭溫漂抑制技術(shù)2025-06-05 09:43
引言 在碳化硅襯底厚度測(cè)量中，探頭溫漂是影響測(cè)量精度的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)測(cè)量探頭受環(huán)境溫度變化干擾大，導(dǎo)致測(cè)量數(shù)據(jù)偏差。光纖傳感技術(shù)憑借獨(dú)特的物理特性，為探頭溫漂抑制提供了新方向，對(duì)提升碳化硅襯底厚度測(cè)量準(zhǔn)確性意義重大。 光纖傳感原理及優(yōu)勢(shì) 光纖傳感技術(shù)基于光在光纖中傳輸時(shí)，外界物理量（如溫度、應(yīng)變等）對(duì)光的強(qiáng)度、相位、波長(zhǎng)等特性的調(diào)制原理 。當(dāng)溫度發(fā)生變化 -
碳化硅襯底厚度測(cè)量中探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證2025-06-04 09:37
引言 在碳化硅襯底厚度測(cè)量過(guò)程中，探頭溫漂會(huì)嚴(yán)重影響測(cè)量精度。構(gòu)建探頭溫漂的熱傳導(dǎo)模型并進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，有助于深入理解探頭溫漂的產(chǎn)生機(jī)理，為提高測(cè)量準(zhǔn)確性提供理論依據(jù)與技術(shù)支持。 熱傳導(dǎo)模型構(gòu)建 模型假設(shè)與簡(jiǎn)化 為便于建模，對(duì)探頭結(jié)構(gòu)及熱傳導(dǎo)過(guò)程進(jìn)行假設(shè)與簡(jiǎn)化。假設(shè)探頭各部件為均勻連續(xù)介質(zhì)，忽略探頭內(nèi)部微觀(guān)結(jié)構(gòu)差異對(duì)熱傳導(dǎo)的影響；熱傳導(dǎo)過(guò)程遵循傅里葉定律 -
碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x器的選型指南與應(yīng)用場(chǎng)景分析2025-06-03 13:48
引言 碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響半導(dǎo)體器件性能。合理選擇測(cè)量?jī)x器對(duì)準(zhǔn)確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關(guān)重要，不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)測(cè)量?jī)x器的要求存在差異，深入分析選型要點(diǎn)與應(yīng)用適配性，有助于提升測(cè)量效率與質(zhì)量。 選型指南 測(cè)量精度與分辨率 碳化硅襯底 TTV 厚度通常在微米級(jí)甚至亞微米級(jí)，測(cè)量?jī)x器的精度和分辨率需與之匹配。光學(xué) -
優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控2025-05-22 10:05
摘要：本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問(wèn)題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量。 關(guān)鍵詞：濕法腐蝕；晶圓；TTV 管控；工藝優(yōu)化 一、引言 濕法腐蝕是晶圓制造中的關(guān)鍵工藝，其過(guò)程中腐蝕液對(duì)晶圓的不均勻作用，易導(dǎo)致晶圓出現(xiàn)厚度偏差，影響 TT晶圓 98瀏覽量 -
液晶手寫(xiě)板像素缺陷修復(fù)及相關(guān)液晶線(xiàn)路激光修復(fù)2025-05-19 09:36
引言 液晶手寫(xiě)板憑借便捷書(shū)寫(xiě)、環(huán)保節(jié)能等優(yōu)勢(shì)廣泛應(yīng)用于教育、辦公等領(lǐng)域，然而像素缺陷會(huì)嚴(yán)重影響書(shū)寫(xiě)流暢度與顯示清晰度。研究像素缺陷修復(fù)及相關(guān)液晶線(xiàn)路激光修復(fù)技術(shù)，對(duì)提升液晶手寫(xiě)板性能與用戶(hù)體驗(yàn)至關(guān)重要。 液晶手寫(xiě)板像素缺陷的成因與影響 液晶手寫(xiě)板像素缺陷表現(xiàn)為書(shū)寫(xiě)時(shí)筆跡中斷、顏色異常或出現(xiàn)固定亮點(diǎn)、暗點(diǎn)等，嚴(yán)重干擾正常書(shū)寫(xiě)與內(nèi)容顯示。其成因涵蓋多個(gè)方面：生產(chǎn) -
液晶面板色斑缺陷修復(fù)及相關(guān)液晶線(xiàn)路激光修復(fù)2025-05-17 10:58
引言 液晶面板的色斑缺陷嚴(yán)重影響顯示畫(huà)面的色彩均勻性與視覺(jué)觀(guān)感，降低產(chǎn)品品質(zhì)與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。深入研究色斑缺陷修復(fù)及相關(guān)液晶線(xiàn)路激光修復(fù)技術(shù)，對(duì)提升液晶面板質(zhì)量、滿(mǎn)足高端顯示需求具有重要意義。 液晶面板色斑缺陷的成因與影響 液晶面板色斑缺陷表現(xiàn)為屏幕上出現(xiàn)顏色異常的塊狀區(qū)域，破壞畫(huà)面整體一致性。其成因主要有：液晶材料純度不足，內(nèi)部雜質(zhì)導(dǎo)致光線(xiàn)散射與吸收異常，形成