什么是隔離？電機(jī)控制中IGBT驅(qū)動(dòng)為什么需要隔離？
電化隔離：電荷無(wú)法由一個(gè)電路移動(dòng)到另一個(gè)電路，雙方信號(hào)通過(guò)其他方式交換信息。
IGBT驅(qū)動(dòng)電路過(guò)流保護(hù)的分類(lèi)及其檢測(cè)方法
IGBT的過(guò)流保護(hù)電路可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是低倍數(shù)(1.2-1.5倍)的過(guò)載保護(hù)；另一類(lèi)是高倍數(shù)（可達(dá)8....
佳恩半導(dǎo)體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目名單！
近日，市民營(yíng)經(jīng)濟(jì)發(fā)展局公示了青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項(xiàng)目的名單，我司成功入選，同時(shí)感謝大家....
IGBT典型過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享
所謂集中過(guò)電流保護(hù)，就是檢測(cè)逆變橋輸入直流母線上的電流，當(dāng)該電流值超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí)，封鎖所有橋臂IG....
淺析IGBT元件的并聯(lián)注意事項(xiàng)
由于門(mén)極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關(guān)系，如果在門(mén)極驅(qū)動(dòng)環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩，有可能因?yàn)?...
?IGBT模塊的損耗特性介紹
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF....
IGBT模塊的門(mén)極驅(qū)動(dòng)介紹
額定門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓：門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓在±20V范圍內(nèi)施加超過(guò)此范圍的電壓時(shí)，門(mén)極-發(fā)射極間的氧化膜（SiO....
IGBT模塊電磁兼容性設(shè)計(jì)
變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度隨輸入、輸出母線中通過(guò)電流的強(qiáng)弱而變化，同時(shí)IGBT模塊產(chǎn)生的空間交....
IGBT單管及IGBT模塊的區(qū)別在哪？
IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。
溫度變化對(duì)模塊壽命有何影響？
所有功率模塊內(nèi)部的熱循環(huán)變化都會(huì)導(dǎo)致模塊老化。原因是使用材料的熱膨脹性不同，所以它們之間熱應(yīng)力是連接....
IGBT模塊機(jī)械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)
? IGBT模塊參數(shù)詳解-模塊整體參數(shù) 該部分描述與IGBT模塊機(jī)械構(gòu)造相關(guān)的電氣特性參數(shù)，包括絕緣....
igbt模塊的作用 igbt模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開(kāi)通關(guān)斷時(shí)的電壓電....
哪些場(chǎng)景只能用三極管而不能用MOSFET
開(kāi)關(guān)速度：當(dāng)需要高速開(kāi)關(guān)時(shí)，三極管是更好的選擇。例如，在瞬態(tài)電路中，需要快速切換的信號(hào)通常需要使用三....
IGBT半導(dǎo)體與MOS管、三極管的區(qū)別
我們就從常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)說(shuō)起，這邊給他接一個(gè)電源，右邊接一個(gè)負(fù)載，然后不停的開(kāi)關(guān)這個(gè)開(kāi)關(guān)，那么這個(gè)負(fù)載上的....
功率半導(dǎo)體器件IGBT結(jié)溫測(cè)試方法
功率循環(huán)試驗(yàn)中最重要的是準(zhǔn)確在線測(cè)量結(jié)溫，直接影響試驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測(cè)量方法的一致性....
IGBT失效原因分析
超出關(guān)斷安全工作區(qū)引起擎住效應(yīng)而損壞擎住效應(yīng)分靜態(tài)擎住效應(yīng)和動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)。IGBT為PNPN4層結(jié)構(gòu)....
變頻器的制動(dòng)單元和逆變部分的續(xù)流二極管不是矛盾了嗎？
通過(guò)制動(dòng)單元外接制動(dòng)電阻，該方式配合母線電壓檢測(cè)。當(dāng)電機(jī)迅速停機(jī)時(shí)，電機(jī)繞組上的能量會(huì)通過(guò)逆變側(cè)的反....
什么是IGBT的退飽和？什么情況下IGBT會(huì)進(jìn)入退飽和狀態(tài)？
如下圖，是IGBT產(chǎn)品典型的輸出特性曲線，橫軸是C，E兩端電壓，縱軸是歸一化的集電極電流。可以看到I....
mos管是不是三極管?
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當(dāng)給pn結(jié)加上正向電壓時(shí)，由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電....
IGBT模塊常規(guī)測(cè)量以及故障維修方法
將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極(C)，紅表筆接IGBT 的發(fā)射極(E)，此時(shí)....
P溝道和N溝道MOSFET在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用
由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降....
工商網(wǎng)監(jiān)