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無錫新潔能股份有限公司

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新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產品

作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破,其研發團隊持....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 06-11 08:59 ?773次閱讀
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NSG4427柵極驅動芯片產品特性

NSG4427是低電壓功率MOSFET和IGBT同相位柵驅動器。專有的閂鎖免疫CMOS技術可以實現高....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 05-30 14:23 ?288次閱讀
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新潔能Gen.4超結MOSFET 800V和900V產品介紹

超結MOS采用垂直結構設計,在漂移區內交替排列垂直的P型柱區和N型柱區,形成“超級結”單元,通過電荷....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 05-06 15:05 ?475次閱讀
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金蘭功率半導體推出全新三電平逆變儲能一體模塊

在“雙碳”目標驅動下,光伏逆變、儲能系統及工業變頻領域對功率模塊的高效率、高功率密度需求持續攀升。三....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 03-20 17:21 ?680次閱讀
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一文詳解寄生參數對柵極震蕩的影響

在現代電子電路設計和應用中,寄生參數是指那些并非設計者最初所期望的,但在電路或元器件中由于物理結構、....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 03-14 13:47 ?11158次閱讀
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新潔能推出HO系列MOSFET產品

隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長,新潔能(NCE)產品研發部門推出....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 03-04 14:40 ?592次閱讀
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新潔能車規級PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹

在汽車電子行業飛速發展的今天,提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設計的重要方向。車規級 PDF....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 02-12 09:19 ?1975次閱讀
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高電流密度IGBT模塊LE2 200A/650V介紹

JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術I....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 01-16 14:16 ?635次閱讀

NSG6000 650V單通道半橋柵極驅動芯片介紹

NSG6000是650V電壓功率MOSFET和IGBT半橋柵驅動器。自帶死區保護、高低側互鎖功能,防....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 01-07 10:58 ?880次閱讀
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新潔能榮獲2024年全球半導體企業綜合競爭力百強

近日,全球半導體市場峰會在上海成功召開。會上,世界集成電路協會發布了全球半導體企業綜合競爭力百強報告....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 12-14 15:15 ?1731次閱讀

新潔能150V Gen.3 SGT MOSFET系列產品介紹

150V Gen.3 SGT MOSFET系列產品采用全新屏蔽柵溝槽技術,特征導通電阻Rsp(導通電....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 08-15 16:36 ?1125次閱讀
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新潔能650V Gen.7 IGBT系列產品介紹

新潔能650V Gen.7系列IGBT產品,基于微溝槽場截止技術,可大幅提高器件的元胞結構密度。采用....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 08-15 16:34 ?1160次閱讀
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功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機理

雪崩耐量是功率器件性能評估的關鍵指標,那么什么是雪崩耐量呢?即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 08-15 16:29 ?3304次閱讀
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新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

在變頻器輔助電源或光伏逆變器中,輔助電源的主要作用是將DC高壓降壓后,為驅動IC、主控MCU、通訊模....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 10-16 11:38 ?2273次閱讀
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雙脈沖測試之開關特性參數講解

功率開關器件的規格書上有著多種多樣的數據,如靜態特性參數,動態特性參數,開關特性參數等等。其中靜態特....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 02-22 14:40 ?7920次閱讀

國產功率器件供應商無錫新潔能榮獲寧波德業年度“戰略供應商”稱號

近日,無錫新潔能榮獲重要客戶寧波德業年度“戰略供應商”稱號。 在過去的一年中,新潔能憑借優秀的產品質....
的頭像 無錫新潔能股份有限公司 發表于 02-14 12:50 ?1801次閱讀
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