在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:26
1373 近年來(lái)，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，其主要的市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在汽車(chē)領(lǐng)域，特別是
2019-07-05 11:56:2833343 我國(guó)車(chē)聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展現(xiàn)狀是怎樣的？未來(lái)的發(fā)展機(jī)遇有哪些？車(chē)聯(lián)網(wǎng)是近年來(lái)很熱的一個(gè)話(huà)題，雖然我國(guó)車(chē)聯(lián)網(wǎng)還處在探索發(fā)展期，但是很多人對(duì)車(chē)聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展充滿(mǎn)信心，認(rèn)為我國(guó)車(chē)聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)潛力大，將在未來(lái)幾年迎來(lái)黃金期
2018-01-23 16:17:31
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來(lái)的范圍。通過(guò)未來(lái)的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開(kāi)始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)
2018-11-29 14:35:23
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無(wú)線通信系統(tǒng)中一個(gè)不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對(duì)抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高
2019-08-12 06:59:10
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性?xún)?yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導(dǎo)體已經(jīng)開(kāi)始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對(duì)品質(zhì)可靠性要求很?chē)?yán)苛的車(chē)載設(shè)備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
FPGA的發(fā)展現(xiàn)狀如何?賽靈思推出的領(lǐng)域目標(biāo)設(shè)計(jì)平臺(tái)如何簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間？
2021-04-08 06:18:44
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開(kāi)關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
QoS保證技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)安全技術(shù)等的成熟則是NGN得以大規(guī)模發(fā)展的關(guān)鍵。因此，把握NGN的發(fā)展要考察上述多方面的發(fā)展現(xiàn)狀和成熟程度。NGN協(xié)議的發(fā)展現(xiàn)狀NGN協(xié)議和標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展是NGN應(yīng)用成熟和網(wǎng)絡(luò)融合的關(guān)鍵
2018-12-13 09:51:30
如今的無(wú)線設(shè)備中，線路板上一半以上的元件都是模擬RF器件，因此要縮小線路板面積和功耗一個(gè)有效方法就是進(jìn)行更大規(guī)模RF集成，并向系統(tǒng)級(jí)芯片方向發(fā)展。本文介紹RF集成發(fā)展現(xiàn)狀，并對(duì)其中一些問(wèn)題提出應(yīng)對(duì)方法和解決方案。
2019-07-26 07:53:56
近年來(lái)，由于掃地機(jī)的出現(xiàn)使得SLAM技術(shù)名聲大噪，如今，已在機(jī)器人、無(wú)人機(jī)、AVG等領(lǐng)域相繼出現(xiàn)它的身影，今天就來(lái)跟大家聊一聊國(guó)內(nèi)SLAM的發(fā)展現(xiàn)狀。 SLAM的多領(lǐng)域應(yīng)用SLAM應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，按其
2018-12-06 10:25:32
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)，所應(yīng)用的產(chǎn)品包括
2009-09-23 19:36:41
云計(jì)算產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)，本文講的是云計(jì)算時(shí)代IT產(chǎn)業(yè)六大發(fā)展趨勢(shì)，【IT168 資訊】1946年2月14日第一臺(tái)計(jì)算機(jī)誕生，至今已經(jīng)有50多年的歷史，隨著計(jì)算機(jī)和網(wǎng)絡(luò)的普及，全球經(jīng)濟(jì)步入發(fā)展
2021-07-27 06:25:03
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
作者：bsqlunwen1. 光纖加速度傳感器的應(yīng)用及研究現(xiàn)狀近幾年來(lái)，越來(lái)越多的工業(yè)應(yīng)用中要求對(duì)振動(dòng)加速度進(jìn)行測(cè)量。加速度信號(hào)的測(cè)量通常是利用慣性原理，通過(guò)感知慣性力所產(chǎn)生的位移或者應(yīng)變而測(cè)得相應(yīng)
2019-07-23 07:27:26
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
工業(yè)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)-全球發(fā)展現(xiàn)狀 自20世紀(jì)60年代開(kāi)始，經(jīng)過(guò)近六十年的迅速發(fā)展，隨著對(duì)產(chǎn)品加工精度要求的提高以及人力成本的逐漸提升，關(guān)鍵工藝生產(chǎn)環(huán)節(jié)逐步由工業(yè)機(jī)器人代替工人操作。另外，由于某些高危
2016-01-28 15:21:21
嵌入式系統(tǒng)開(kāi)源軟件發(fā)展現(xiàn)狀如何？
2021-04-26 06:23:33
廣播電視發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)【摘要】 近年來(lái)，隨著信息技術(shù)的不斷發(fā)展，數(shù)字、網(wǎng)絡(luò)等先進(jìn)的信息技術(shù)成為時(shí)代主體，為避免傳統(tǒng)廣播電視行業(yè)受到?jīng)_擊，廣播電視技術(shù)也在不斷更新?lián)Q代，從節(jié)目的錄制、編輯到后續(xù)的傳輸
2021-07-21 09:43:17
我國(guó)分布式光伏發(fā)電發(fā)展現(xiàn)狀光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能過(guò)剩的矛盾由來(lái)已久。我國(guó)光伏組件產(chǎn)量自2007年以來(lái)，連續(xù)5年位居世界第一。2011年，我國(guó)光伏組件產(chǎn)量是當(dāng)年新增安裝容量的10倍，90%的光伏組件需要銷(xiāo)往國(guó)外
2014-04-22 14:38:48
我國(guó)驅(qū)動(dòng)電機(jī)及其控制器的發(fā)展現(xiàn)狀如何？我國(guó)驅(qū)動(dòng)電機(jī)及其控制器存在的主要問(wèn)題是什么？
2021-05-13 06:27:04
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型
2019-03-12 03:43:18
數(shù)字調(diào)諧濾波器技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀如何？跳頻濾波器有哪些分類(lèi)？
2021-04-07 06:04:46
`斯派克光電預(yù)測(cè)分析LED路燈發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)前景[url=http://www.spark-oe.cn/][/url] 隨著技術(shù)的不斷成熟，LED路燈的節(jié)能效果日益凸顯，尤其是LED的智能控制特性
2017-05-22 15:33:33
無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀
2012-08-14 22:31:49
音頻信號(hào)是什么？音頻編碼技術(shù)分為哪幾類(lèi)？音頻編碼技術(shù)有哪些應(yīng)用？音頻編碼標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展現(xiàn)狀如何？數(shù)字音頻編碼技術(shù)有怎樣的發(fā)展趨勢(shì)？
2021-04-14 07:00:14
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
汽車(chē)用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展現(xiàn)狀如何？國(guó)內(nèi)汽車(chē)用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展現(xiàn)狀如何？汽車(chē)用基礎(chǔ)電子元器件發(fā)展趨勢(shì)是什么？
2021-05-17 06:27:16
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
淺析變頻器發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)（原文鏈接）變頻器：利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。其作用對(duì)象主要是電動(dòng)機(jī)。分類(lèi)：交—交（頻率電壓可變）、交—直—交（整流、逆變）性能優(yōu)劣
2021-09-03 06:40:59
`什么是物聯(lián)網(wǎng)，其發(fā)展現(xiàn)狀如何?說(shuō)到物聯(lián)網(wǎng)，肯定是要與當(dāng)今發(fā)展迅速的信息技術(shù)關(guān)聯(lián)到一塊，物聯(lián)網(wǎng)是新一代信息技術(shù)的重要組成部分之一，同時(shí)也是當(dāng)前快速發(fā)展的信息化時(shí)代的重要發(fā)展內(nèi)容及階段，它的英文名字
2021-01-12 14:48:56
。這些器件主要有電力場(chǎng)控晶體管(即功率MOSFET)、絕緣柵極雙極晶體管(IGT或IGBT)、靜電感應(yīng)晶體管(SIT)和靜電感應(yīng)晶閘管(SITH)等。電力電子器件的最新發(fā)展現(xiàn)代電力電子器件仍然在向
2017-11-07 11:11:09
電子器件的最新發(fā)展現(xiàn)代電力電子器件仍然在向大功率、易驅(qū)動(dòng)和高頻化方向發(fā)展。電力電子模塊化是其向高功率密度發(fā)展的重要一步。當(dāng)前電力電子器件的主要發(fā)展成果如下：IGBT：絕緣柵雙極晶體管IGBT
2017-05-25 14:10:51
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
的結(jié)構(gòu)，將這部分單元縮小、提高集成度，就可降低導(dǎo)通電阻。本文將具體解說(shuō)羅姆在"SiC"與"GaN"功率元器件領(lǐng)域的探索與發(fā)展。
2019-07-08 06:09:02
的安全可靠性，提升國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，防止電磁脈沖武器的打擊，確保信息通信系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、傳輸系統(tǒng)、武器平臺(tái)等的安全暢通均具有重要的意義1_ 。鑒于電磁屏蔽材料在社會(huì)生活、經(jīng)濟(jì)建設(shè)和國(guó)防建設(shè)中的重要作用，其研發(fā)愈發(fā)成為人們關(guān)注的重要課題。那么電磁屏蔽材料發(fā)展現(xiàn)狀如何了？該怎么應(yīng)用？
2019-07-30 06:26:57
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)，所應(yīng)用的產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)
2009-04-27 17:04:38
24 高溫超導(dǎo)HTS變壓器及發(fā)展現(xiàn)狀
摘要介紹了高溫超導(dǎo)變壓器的優(yōu)點(diǎn)，簡(jiǎn)單分析了高溫超導(dǎo)變壓器與傳統(tǒng)油浸變壓器的區(qū)別。在對(duì)高溫超導(dǎo)變壓器的發(fā)展現(xiàn)狀
2009-11-17 11:44:038 SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 世界氫能及燃料電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀（上）
2009-11-21 10:03:08677 
Java手機(jī)發(fā)展現(xiàn)狀
&nbs
2009-12-19 13:47:08435 光耦 - 發(fā)展現(xiàn)狀
2012-05-29 14:23:291189 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《我國(guó)的汽車(chē)空調(diào)發(fā)展現(xiàn)狀_章鏞初.pdf》資料免費(fèi)下載
2017-04-21 10:21:0021 本文闡述了太陽(yáng)能光伏電池的原理， 綜述了國(guó)內(nèi)外光伏發(fā)電技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)。
2016-10-18 11:21:347334 
超寬帶雷達(dá)的發(fā)展現(xiàn)狀及應(yīng)用，有需要的可以下來(lái)看看
2016-12-28 10:16:4323 本文介紹了全球平板顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、發(fā)展趨勢(shì)，以及我國(guó)平板顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和存在的問(wèn)題與下一步工作的思考。
2017-10-19 15:47:1011 各國(guó)5G頻率最新發(fā)展現(xiàn)狀
2018-01-19 16:01:1710010 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 本文首先介紹了中國(guó)光通信器件的發(fā)展史以及中國(guó)光器件技術(shù)和行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀，其次闡述了中國(guó)光通信器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)，最后介紹了光通信器件的發(fā)展趨勢(shì)以及發(fā)展我國(guó)光通信器件的建議，具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下。
2018-05-22 09:28:2522776 
本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 TriQuint公司中國(guó)資深FAE steven先生為大家介紹3G的基礎(chǔ)知識(shí)以及3G在中國(guó)的發(fā)展現(xiàn)狀
2018-07-02 13:37:215778 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
隨著我國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813797 
隨著我國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開(kāi)關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 本文主要闡述了氫燃料電池的發(fā)展現(xiàn)狀及發(fā)展前景。
2020-03-24 09:26:5632602 SiC IGBT的發(fā)展至少也有30年了，大眾視野中很少會(huì)提及到SiC IGBT產(chǎn)品，并不是沒(méi)有，只是太多事情是我們目不可及的。就目前而言，SiC器件的制成還有著很多難點(diǎn)需要突破和解決，下面我們就來(lái)看看SiC IGBT的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)。
2020-10-30 14:13:295849 先進(jìn)研究計(jì)劃局DARPA的高功率電子器件應(yīng)用寬禁帶技術(shù)HPE項(xiàng)目的發(fā)展，介紹了SiC功率器件的最新進(jìn)展及其面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。同時(shí)對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件的研究現(xiàn)狀及未來(lái)的發(fā)展方向做了概述與展望.
2021-02-01 11:28:4629 元宇宙發(fā)展現(xiàn)狀如何？元宇宙在今年爆發(fā)主要是由于疫情的持續(xù)，推動(dòng)了虛擬辦公的發(fā)展。元宇宙概念最早出現(xiàn)在美國(guó)的科幻小說(shuō)雪崩當(dāng)中，將現(xiàn)實(shí)世界與虛擬世界相連。
2021-11-03 11:19:469919 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/程文智）這幾年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼，GaN器件在快充等消費(fèi)類(lèi)電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，碳化硅（SiC）器件則被汽車(chē)電子廠商委以重任。未來(lái)不論是800V高壓平臺(tái)，還是電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的效率提升，都需要SiC器件的深度參與。
2022-03-15 08:55:052611 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開(kāi)關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰(zhàn)和最新發(fā)展。第一部分重點(diǎn)
2022-11-04 09:56:01564 碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開(kāi)關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 Rust GUI 庫(kù)發(fā)展現(xiàn)狀 最近有一篇關(guān)于 Rust GUI 的博客，這不，kas?這個(gè)? Another GUI toolkit ?框架也針對(duì) Rust 的 GUI 框架現(xiàn)狀進(jìn)行了總結(jié)，主要包含
2022-12-21 15:00:042058 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過(guò)將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
本文研究全球與中國(guó)市場(chǎng)SMD（表面貼裝器件）功率電感器的發(fā)展現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，分別從生產(chǎn)和消費(fèi)的角度分析
SMD（表面貼裝器件）功率電感器的主要生產(chǎn)地區(qū)、主要消費(fèi)地區(qū)以及主要的生產(chǎn)商。重點(diǎn)分析
2023-02-16 15:09:380 功率器件到底在半導(dǎo)體中扮演著什么角色呢？在本文中，我們將從功率器件的概況、市場(chǎng)分布與競(jìng)爭(zhēng)格局、國(guó)內(nèi)外發(fā)展差
距以及國(guó)產(chǎn)化替代的現(xiàn)狀等幾個(gè)方面，簡(jiǎn)要探討一下功率器件行業(yè)的現(xiàn)狀與趨勢(shì)。
2023-02-16 15:11:217 業(yè)的產(chǎn)值有望超過(guò) 60 億美元。 Yole 表示，EV/混合動(dòng)力汽車(chē)市場(chǎng)將成為 SiC 功率元件的最佳市場(chǎng)，預(yù)計(jì)超過(guò) 70% 的收入將來(lái)自該領(lǐng)域。如下圖所示，根據(jù) Yole 的預(yù)測(cè)，除汽車(chē)以外，能源、交通、工業(yè)、消費(fèi)者、通信和基礎(chǔ)設(shè)施等也都將為 SiC 的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。 總結(jié)而言，SiC 基器件擁
2023-02-20 17:05:161106 前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開(kāi)發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30345 
功率半導(dǎo)體器件一直是電力電子技術(shù)發(fā)展的重要組成部分，隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展和電力電子技術(shù)水平的提高，功率半導(dǎo)體器件也在不斷發(fā)展和創(chuàng)新。目前，功率半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要趨勢(shì)和方向包括以下幾個(gè)方面
2023-02-28 11:22:193017 本文將分析工控安全技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀，盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)外工控安全主流廠商發(fā)展態(tài)勢(shì)，分析我國(guó)工控安全市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀，展望未來(lái)工控安全技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用趨勢(shì)。
2023-05-25 10:42:082736 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
三菱電機(jī)將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù)； 旨在通過(guò)與Coherent的縱向合作來(lái)發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達(dá)成協(xié)議，將SiC
2023-10-18 19:17:17368 1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
工業(yè)機(jī)器人的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì) 導(dǎo)語(yǔ)： 隨著科技的不斷進(jìn)步，工業(yè)機(jī)器人已逐漸成為工業(yè)生產(chǎn)的重要組成部分。工業(yè)機(jī)器人不僅可以提高生產(chǎn)效率，降低成本，還可以提高產(chǎn)品質(zhì)量和減少勞工的操作風(fēng)險(xiǎn)。本文將詳細(xì)探討
2023-12-07 17:27:182460 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《從融資看通信行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-13 10:15:181 隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46240 隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理特性，如高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等，在功率器件領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本文將對(duì)SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展進(jìn)行深入探討。
2023-12-28 09:25:56152 和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開(kāi)關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43106 
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