聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
元器件
+關(guān)注
關(guān)注
113文章
4814瀏覽量
94543 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
3180瀏覽量
64587 -
Rohm
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
382瀏覽量
66759
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率

元器件及單元電路介紹-610頁(yè)
元器件及單元電路介紹放大電路基礎(chǔ),電源電路,正弦波振蕩電路,調(diào)制與解調(diào)電路,混頻電路與變頻電路,集成運(yùn)算放大電路,數(shù)字集成電路等。
純分享貼,有需要可以直接下載附件獲取完整資料!
(如果內(nèi)容有幫助可以關(guān)注、點(diǎn)贊、評(píng)論支持一下哦~)
發(fā)表于 05-19 15:41
GaN與SiC功率器件深度解析
本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對(duì)市售GaN與SiC

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開(kāi)關(guān)器件綜述
拿到一個(gè)ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過(guò)渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標(biāo)題的問(wèn)題沒(méi)

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹
碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率

SiC功率器件的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)日益

SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量
汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開(kāi)關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC

羅姆與聯(lián)合汽車電子簽署SiC功率元器件長(zhǎng)期供貨協(xié)議
近日,全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者羅姆半導(dǎo)體公司與中國(guó)汽車行業(yè)的重要綜合性供應(yīng)商聯(lián)合汽車電子有限公司(UAES)正式簽署了SiC功率元器件的長(zhǎng)期供貨協(xié)議。這一合作標(biāo)志著雙方自2015年建立技術(shù)交流以來(lái)的深厚合作關(guān)系邁入了新階段。
SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別
SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件
什么是SiC功率器件?它有哪些應(yīng)用?
SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。
羅姆:先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件助力工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能
。通過(guò)在適合的應(yīng)用中使用功率元器件和模擬IC,可以進(jìn)一步提高逆變器的功率轉(zhuǎn)換效率,降低工業(yè)設(shè)備的功耗,從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能。本文將為您介紹在新型逆變器中應(yīng)用日益廣泛的先進(jìn)

先進(jìn)的半導(dǎo)體功率元器件工業(yè)用能源設(shè)備節(jié)能
。通過(guò)在適合的應(yīng)用中使用功率元器件和模擬IC,可以進(jìn)一步提高逆變器的功率轉(zhuǎn)換效率,降低工業(yè)設(shè)備的功耗,從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能。本文將為您介紹在新型逆變器中應(yīng)用日益廣泛的先進(jìn)

評(píng)論