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我來聊聊模電學(xué)習(xí)的兩個(gè)重點(diǎn)
??? 凡是學(xué)電的，總是避不開模電。
??? 上學(xué)時(shí)老師教的知識，畢業(yè)時(shí)統(tǒng)統(tǒng)還給老師。畢業(yè)后又要從事產(chǎn)品設(shè)計(jì)，《模電》拿起又放下了?n?次，躲不開啊。畢業(yè)多年后，回頭望，聊聊模電的學(xué)習(xí)，但愿對學(xué)弟學(xué)妹有點(diǎn)幫助。
??? 通觀整本書，不外是，晶體管放大電路、場管放大電路、負(fù)反饋放大電路、集成運(yùn)算放大器、波形及變換、功放電路、直流電源等。然而其中的重點(diǎn)，應(yīng)該是場管和運(yùn)放。何也？
??? 按理說，場管不是教材的重點(diǎn)，但目前實(shí)際中應(yīng)用最廣，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過雙極型晶體管（BJT）。場效應(yīng)管，包括最常見的MOSFET，在電源、照明、開關(guān)、充電等等領(lǐng)域隨處可見。
??? 運(yùn)放在今天的應(yīng)用，也是如火如荼。比較器、ADC、DAC、電源、儀表、等等離不開運(yùn)放。
??? 1、場效應(yīng)管是只有一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有?N?溝道和?P?溝道兩種器件。有結(jié)型場管和絕緣柵型場管?IGFET?之分。IGFET?又稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體管?MOSFET。MOS?場效應(yīng)管有增強(qiáng)型?EMOS?和耗盡型?DMOS?兩大類，每一類有?N?溝道和?P?溝道兩種導(dǎo)電類型。?
??? 學(xué)習(xí)時(shí)，可將?MOSFET?和?BJT?比較，就很容易掌握，功率?MOSFET?是一種高輸入阻抗、電壓控制型器件，BJT?則是一種低阻抗、電流控制型器件。再比較二者的驅(qū)動電路，功率?MOSFET?的驅(qū)動電路相對簡單。BJT?可能需要多達(dá)?20%?的額定集電極電流以保證飽和度，而?MOSFET?需要的驅(qū)動電流則小得多，而且通常可以直接由?CMOS?或者集電極開路?TTL?驅(qū)動電路驅(qū)動。其次，MOSFET?的開關(guān)速度比較迅速，MOSFET?是一種多數(shù)載流子器件，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆]有電荷存儲效應(yīng)。其三，MOSFET?沒有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低。它們還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能。此外，MOSFET?具有并行工作能力，具有正的電阻溫度系數(shù)。溫度較高的器件往往把電流導(dǎo)向其它MOSFET，允許并行電路配置。而且，MOSFET?的漏極和源極之間形成的寄生二極管可以充當(dāng)箝位二極管，在電感性負(fù)載開關(guān)中特別有用。
??? 場管有兩種工作模式，即開關(guān)模式或線性模式。所謂開關(guān)模式，就是器件充當(dāng)一個(gè)簡單的開關(guān)，在開與關(guān)兩個(gè)狀態(tài)之間切換。線性工作模式是指器件工作在某個(gè)特性曲線中的線性部分，但也未必如此。此處的“線性”是指?MOSFET?保持連續(xù)性的工作狀態(tài)，此時(shí)漏電流是所施加在柵極和源極之間電壓的函數(shù)。它的線性工作模式與開關(guān)工作模式之間的區(qū)別是，在開關(guān)電路中，MOSFET?的漏電流是由外部元件確定的，而在線性電路設(shè)計(jì)中卻并非如此。
??? 2、運(yùn)放所傳遞和處理的信號，包括直流信號、交流信號，以及交、直流疊加在一起的合成信號。而且該信號是按“比例（有符號+或-，如：同相比例或反相比例）”進(jìn)行的。不一定全是“放大”，某些場合也可能是衰減（如：比例系數(shù)或傳遞函數(shù)?K=Vo/Vi=-1/10）。
??? 運(yùn)放直流指標(biāo)有輸入失調(diào)電壓、輸入失調(diào)電壓的溫度漂移（簡稱輸入失調(diào)電壓溫漂）、輸入偏置電流、輸入失調(diào)電流、輸入失調(diào)電流溫漂、差模開環(huán)直流電壓增益、共模抑制比、電源電壓抑制比、輸出峰-峰值電壓、最大共模輸入電壓、最大差模輸入電壓。
??? 交流指標(biāo)有開環(huán)帶寬、單位增益帶寬、轉(zhuǎn)換速率SR、全功率帶寬、建立時(shí)間、等效輸入噪聲電壓、差模輸入阻抗、共模輸入阻抗、輸出阻抗。
??? 個(gè)人認(rèn)為，選擇運(yùn)放，可以只側(cè)重考慮三個(gè)參數(shù)：輸入偏置電流、供電電源和單位增益帶寬。
??? 凡是學(xué)電的，總是避不開模電。
??? 上學(xué)時(shí)老師教的知識，畢業(yè)時(shí)統(tǒng)統(tǒng)還給老師。畢業(yè)后又要從事產(chǎn)品設(shè)計(jì)，《模電》拿起又放下了?n?次，躲不開啊。畢業(yè)多年后，回頭望，聊聊模電的學(xué)習(xí)，但愿對學(xué)弟學(xué)妹有點(diǎn)幫助。
??? 通觀整本書，不外是，晶體管放大電路、場管放大電路、負(fù)反饋放大電路、集成運(yùn)算放大器、波形及變換、功放電路、直流電源等。然而其中的重點(diǎn)，應(yīng)該是場管和運(yùn)放。何也？
??? 按理說，場管不是教材的重點(diǎn)，但目前實(shí)際中應(yīng)用最廣，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過雙極型晶體管（BJT）。場效應(yīng)管，包括最常見的MOSFET，在電源、照明、開關(guān)、充電等等領(lǐng)域隨處可見。
??? 運(yùn)放在今天的應(yīng)用，也是如火如荼。比較器、ADC、DAC、電源、儀表、等等離不開運(yùn)放。
??? 1、場效應(yīng)管是只有一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有?N?溝道和?P?溝道兩種器件。有結(jié)型場管和絕緣柵型場管?IGFET?之分。IGFET?又稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體管?MOSFET。MOS?場效應(yīng)管有增強(qiáng)型?EMOS?和耗盡型?DMOS?兩大類，每一類有?N?溝道和?P?溝道兩種導(dǎo)電類型。?
??? 學(xué)習(xí)時(shí)，可將?MOSFET?和?BJT?比較，就很容易掌握，功率?MOSFET?是一種高輸入阻抗、電壓控制型器件，BJT?則是一種低阻抗、電流控制型器件。再比較二者的驅(qū)動電路，功率?MOSFET?的驅(qū)動電路相對簡單。BJT?可能需要多達(dá)?20%?的額定集電極電流以保證飽和度，而?MOSFET?需要的驅(qū)動電流則小得多，而且通常可以直接由?CMOS?或者集電極開路?TTL?驅(qū)動電路驅(qū)動。其次，MOSFET?的開關(guān)速度比較迅速，MOSFET?是一種多數(shù)載流子器件，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆]有電荷存儲效應(yīng)。其三，MOSFET?沒有二次擊穿失效機(jī)理，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低。它們還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性能。此外，MOSFET?具有并行工作能力，具有正的電阻溫度系數(shù)。溫度較高的器件往往把電流導(dǎo)向其它MOSFET，允許并行電路配置。而且，MOSFET?的漏極和源極之間形成的寄生二極管可以充當(dāng)箝位二極管，在電感性負(fù)載開關(guān)中特別有用。
??? 場管有兩種工作模式，即開關(guān)模式或線性模式。所謂開關(guān)模式，就是器件充當(dāng)一個(gè)簡單的開關(guān)，在開與關(guān)兩個(gè)狀態(tài)之間切換。線性工作模式是指器件工作在某個(gè)特性曲線中的線性部分，但也未必如此。此處的“線性”是指?MOSFET?保持連續(xù)性的工作狀態(tài)，此時(shí)漏電流是所施加在柵極和源極之間電壓的函數(shù)。它的線性工作模式與開關(guān)工作模式之間的區(qū)別是，在開關(guān)電路中，MOSFET?的漏電流是由外部元件確定的，而在線性電路設(shè)計(jì)中卻并非如此。
??? 2、運(yùn)放所傳遞和處理的信號，包括直流信號、交流信號，以及交、直流疊加在一起的合成信號。而且該信號是按“比例（有符號+或-，如：同相比例或反相比例）”進(jìn)行的。不一定全是“放大”，某些場合也可能是衰減（如：比例系數(shù)或傳遞函數(shù)?K=Vo/Vi=-1/10）。
??? 運(yùn)放直流指標(biāo)有輸入失調(diào)電壓、輸入失調(diào)電壓的溫度漂移（簡稱輸入失調(diào)電壓溫漂）、輸入偏置電流、輸入失調(diào)電流、輸入失調(diào)電流溫漂、差模開環(huán)直流電壓增益、共模抑制比、電源電壓抑制比、輸出峰-峰值電壓、最大共模輸入電壓、最大差模輸入電壓。
??? 交流指標(biāo)有開環(huán)帶寬、單位增益帶寬、轉(zhuǎn)換速率SR、全功率帶寬、建立時(shí)間、等效輸入噪聲電壓、差模輸入阻抗、共模輸入阻抗、輸出阻抗。
??? 個(gè)人認(rèn)為，選擇運(yùn)放，可以只側(cè)重考慮三個(gè)參數(shù)：輸入偏置電流、供電電源和單位增益帶寬。
工商網(wǎng)監(jiān)
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